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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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UJ3C065030T3S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件

型號(hào)： UJ3C065030T3S

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • VDS 最大值(V) 650
  • RDS(on) 27
  • 內(nèi)徑最大值(A) 85
  • 一代 第 3 代
  • Tj 最大值(°C) 175
  • 汽車資質(zhì) 是的
  • 包裝類型 TO-220-3L

--- 產(chǎn)品詳情 ---

UJ3C065030T3S

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 UJ3C065030T3S 是一款 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 產(chǎn)品，將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當(dāng)今市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 TO-220-3L 封裝，具有超低柵極電荷，而且具有同類額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合開關(guān)電感負(fù)載，以及任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格
VDS 最大值(V) 650
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 27
內(nèi)徑最大值(A) 85
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽車資質(zhì) 是的
包裝類型 TO-220-3L

 

主要特征
導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：27 mohm（典型值）
最高工作溫度：175 °C
優(yōu)秀的反向恢復(fù)
低柵極電荷
低本征電容
ESD 保護(hù)，HBM 2 級(jí)

 

相關(guān)型號(hào)
UJ3C065030B3
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