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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2022UNS 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN2022UNS

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN2022UNS
  • 名稱 雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 POWERDI®3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2022UNS 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN2022UNS 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) ),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號(hào)               DMN2022UNS
名稱               雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               POWERDI?3333-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.7 A
PD @TA = +25°C (W) 1.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10.8 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 14.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 17 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 20.3 nC
CISS Typ (pF) 1870 pF

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
互補(bǔ)對(duì) MOSFET
ESD 保護(hù)高達(dá) 2kV


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