型號 SQD50P0615LGE3絲印 VBE2625品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 50A 導通電阻 20mΩ @10V, 25mΩ @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.76Vth 封裝 TO252應用簡介 SQD50P0615LGE3是一款P溝道MOSFET，適用于負極電壓控制和負載開關的高功率應用。其最大耐壓為60V，最大電流為50A，具有低導通電阻和高性能。該器件適用于多個領域的模塊設計，主要包括 1. 電源管理模塊 適用于高功率DCDC轉換器、逆變器和電池管理系統等。2. 高效功率開關模塊 可用于高功率負載開關和電源控制器。3. 電動工具 適用于驅動高功率電動工具中的負極電源控制和負載開關。總之，SQD50P0615LGE3適用于負極電壓控制和負載開關等高功率應用領域的模塊設計，包括電源管理、高效功率開關模塊和電動工具等。
--- 產品參數 ---
- 類型 P溝道
- 最大耐壓 60V
- 最大電流 50A
- 導通電阻 20mΩ @10V, 25mΩ @4.5V
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 門閾電壓 1.76Vth
- 封裝 TO252
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
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