Si1553CDLT1GE3詳細參數說明 極性 N+P溝道 額定電壓 ±20V 額定電流 2.5A (N溝道), 1.5A (P溝道) 導通電阻 130mΩ @ 4.5V (N溝道), 230mΩ @ 4.5V (P溝道), 160mΩ @ 2.5V (N溝道), 280mΩ @ 2.5V (P溝道) 門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓 ±0.6~2Vth (V) 封裝類型 SC706應用簡介 Si1553CDLT1GE3是一款集成有N和P溝道MOSFET的器件，適用于電源管理和功率放大器等多種應用。它具有正負額定電壓和額定電流特性，能夠提供可靠且高效的電流開關功能。通過控制20Vgs (±V)的門源電壓，可以實現開關管的導通和截止，實現電流的控制和開關狀態的轉換。其較低的導通電阻可以降低功耗，并提高系統的效率。Si1553CDLT1GE3采用SC706封裝，適用于各種電路板和模塊中使用。該器件廣泛應用于電源開關、電源逆變器、電機驅動器等多個領域。由于其正負額定電壓和額定電流特性，Si1553CDLT1GE3特別適用于需要同時控制正負電壓的電路應用。在這些領域中，它能夠提供可靠的功率開關控制和電流傳輸。總之，Si1553CDLT1GE3是一款集成有N和P溝道MOSFET的器件，適用于電源管理和功率放大器等多種應用模塊。特別適用于需要同時控制正負電壓的領域，如電源開關、電機驅動器等。
--- 產品參數 ---
- 極性 N+P溝道
- 額定電壓 ±20V
- 額定電流 2.5A
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 ±0.6~2Vth (V)
- 封裝類型 SC706
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
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