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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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SGNL015Z2K-R DC–3.8GHz高功率GaN HEMTT

型號(hào)： SGNL015Z2K-R

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號(hào) SGNL015Z2K-R
  • 名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 DFN

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SGNL015Z2K-R 

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的GaN HEMT SGNL015Z2K-R提供高功率，高效、易于匹配和DC更大的一致性3.8GHz雷達(dá)應(yīng)用，50V操作。SGNL015Z2K-R為適用于寬帶應(yīng)用。


型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號(hào)                    SGNL015Z2K-R
名稱                    GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    DFN
 

型號(hào)參數(shù)
用于直流至3.8GHz的高功率GaN HEMT
高功率：17W@3.8GHz
高效率：56%@3.8GHz
DFN塑料包裝


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