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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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EGN21C320IV 高壓 大功率GaN HEMT

型號： EGN21C320IV

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Eudyna
  • 型號 EGN21C320IV
  • 名稱 用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 SMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

EGN21C320IV 

型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT EGN21C320IV提供高效率、易于匹配、更大的一致性以及用于50V操作的高功率L波段放大器的寬帶寬，以及給你更高的增益。此新產(chǎn)品非常適合在2.14GHz W-CDMA和LTE中使用設(shè)計要求，因為它提供了高增益、長期可靠性和易用性。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric  Eudyna
型號                    EGN21C320IV
名稱                    用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
產(chǎn)地                    日本
封裝                    SMT


型號參數(shù)
高壓操作：VDS=50V
高功率：55.0dBm（典型值）@Psat
高效率：65%（典型值）@Psat
功率增益：18dB（典型值）@f=2.14GHz
經(jīng)驗證的可靠性


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