哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用？對此，業(yè)界存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長期演進(jìn)（LTE）等4G技術(shù)的發(fā)展，分立技術(shù)在通信領(lǐng)域中正變得越來越少見。事實上許多人相信，智能手機(jī)的普及敲響了手持通信產(chǎn)品中分立實現(xiàn)技術(shù)的喪鐘。例如像iPhone這樣的手持設(shè)備，消費者對更長電池使用時間、更強(qiáng)多媒體功能和小型體積等要求主導(dǎo)著產(chǎn)品的設(shè)計。用更少的芯片提供更強(qiáng)的性能和更多的功能意味著體積和成本方面的節(jié)省。除了集成更多的元件外，今天的半導(dǎo)體器件和集成電路（IC）必須提供更低的功耗、更方便的設(shè)計和合理的價格等優(yōu)勢。在基礎(chǔ)設(shè)施方面同樣是這個趨勢，因為網(wǎng)絡(luò)供應(yīng)商希望在滿足不斷增長的數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)同時，能利用“綠色”基站降低系統(tǒng)功耗。從TriQuint半導(dǎo)體公司的行動中也可以驗證上述趨勢來。該公司目前正在推進(jìn)相對分立技術(shù)來說具有更高集成度的解決方案。 “大功率GaNon-SiC的優(yōu)秀性能已經(jīng)得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可，”TriQuint公司商業(yè)代工營銷部總監(jiān)Mike Peters指出，“TriQuint的方法是提供完整的MMIC GaN工藝，這種工藝允許在這些更大功率應(yīng)用中實現(xiàn)更完整的集成。另外，公司的TriPower系列 RFIC在業(yè)界樹立了新的性能標(biāo)桿。采用系統(tǒng)性Doherty配置的兩種TriQuint TG2H214120-FL 120W器件可以提供60多瓦的平均WCDMA功率和55%的集電極效率。TriPower器件也很容易通過傳統(tǒng)的數(shù)字預(yù)失真（DPD）技術(shù)實現(xiàn)線性化。” 為了滿足正在發(fā)展的4G標(biāo)準(zhǔn)日益提高的帶寬和調(diào)制復(fù)雜性和當(dāng)前3G標(biāo)準(zhǔn)的擴(kuò)增有關(guān)的要求，Peters認(rèn)為需要采用新一代的工藝技術(shù)產(chǎn)品。“這將涉及到提高集成度、提高功率和效率以及降低系統(tǒng)成本。”他預(yù)計，“技術(shù)改進(jìn)將深入化合物半導(dǎo)體（GaAs 和GaN）以及諸如銅倒裝芯片等封裝技術(shù)中去。” 工藝技術(shù)的持續(xù)發(fā)展確實在推動蜂窩通信的演進(jìn)。舉例來說，Peregrine半導(dǎo)體公司與IBM公司的合作成為前段時間的熱門新聞。Peregrine公司的下一代UltraCMOS RF IC在經(jīng)過充分認(rèn)證后，將由IBM公司設(shè)在佛蒙特州伯林頓市的200mm晶圓半導(dǎo)體制造工廠采用兩家公司聯(lián)合開發(fā)的一種180nm工藝進(jìn)行制造。最近，Peregrine還與絕緣硅（SOI）晶圓提供商Soitec公司聯(lián)合開發(fā)了一種綁定型藍(lán)寶石硅基板，用于RF IC制造。這種新基板的開發(fā)和大批量生產(chǎn)已經(jīng)得到認(rèn)證，可用于制造Peregrine公司的下一代STeP5 UltraCMOS RF IC。這兩家公司能夠?qū)⒁粚訂尉з|(zhì)薄硅層運載并綁定到藍(lán)寶石基板上。最終形成的綁定型硅層在晶體管遷移率和硅質(zhì)量方面都好于使用外延生長型硅層的傳統(tǒng)SOS晶圓。對Peregrine來說，新基板有望進(jìn)一步改善RF IC性能、功能和外形尺寸，而且IC尺寸減小和性能增強(qiáng)的幅度可達(dá)30%。這種基板還有助于Peregrine公司繼續(xù)保持其長期發(fā)展戰(zhàn)略，即采用能夠匹配體硅技術(shù)的良率和可擴(kuò)展質(zhì)量的基板技術(shù)實現(xiàn)更高集成度的射頻前端（RFFE）IC解決方案。