IGBT失效原因分析

超出關(guān)斷安全工作區(qū)引起擎住效應(yīng)而損壞擎住效應(yīng)分靜態(tài)擎住效應(yīng)和動(dòng)態(tài)擎住效應(yīng)。IGBT為PNPN4層結(jié)構(gòu)。體內(nèi)存在一個(gè)寄生晶閘管，在NPN晶體管的基極與發(fā)射...

2023-01-13 標(biāo)簽：晶體管功率模塊IBGT 2063 0

意法半導(dǎo)體新碳化硅功率模塊提升電動(dòng)汽車的性能和續(xù)航里程

ST碳化硅解決方案讓主要的汽車OEM廠商能夠領(lǐng)跑電動(dòng)汽車開發(fā)競(jìng)賽，我們的第三代 SiC 技術(shù)確保功率晶體管達(dá)到理想的功率密度和能效，讓汽車實(shí)現(xiàn)出色的性能...

2022-12-15 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車意法半導(dǎo)體功率模塊 1996 0

羅姆半導(dǎo)體“全SiC”功率模塊開始量產(chǎn)，開關(guān)損耗降低85％

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社（總部：日本京都市）推出的“全SiC”功率模塊（額定1200V/100A）開始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采...

2012-03-23 標(biāo)簽：SiC功率模塊羅姆 1984 0

飛兆推出SPM? 5 智能功率模塊系列三相MOSFET逆變器解決方案

電機(jī)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要能夠在嚴(yán)苛的應(yīng)用條件下，提高效率同時(shí)確保最高可靠性的解決方案。為迎接該挑戰(zhàn)，全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商飛兆半...

2013-07-11 標(biāo)簽：飛兆半導(dǎo)體MOSFET逆變器 1973 0

Amantys針對(duì)高功率模塊的4500V Amantys Power DriveTM 驅(qū)動(dòng)器進(jìn)入中國市場(chǎng)

2013年10月22日 – Amantys今日宣布推出一款針對(duì)高功率模塊的全新絕緣柵雙極晶體管（IGBT）柵極驅(qū)動(dòng)器，其工作電壓為4500V，額定電流從...

2013-10-23 標(biāo)簽：IGBT功率模塊柵極驅(qū)動(dòng)器 1971 0

意法半導(dǎo)體新ACEPACK功率模塊可自由地優(yōu)化散熱器尺寸和功率耗散

意法半導(dǎo)體的節(jié)省空間的纖薄的ACEPACK 技術(shù)在經(jīng)濟(jì)劃算的塑料封裝內(nèi)整合高功率密度與可靠性。產(chǎn)品特性包括可選的無焊壓接工藝。這項(xiàng)工藝可以取代傳統(tǒng)焊接引...

2018-03-28 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體功率模塊 1953 0

英飛凌推出EasyPACK 4B新封裝，壯大其Easy功率模塊

F3L600R10W4S7F_C22首發(fā)型號(hào)的推出，標(biāo)志著帶有三塊DCB的EasyPACK 4B現(xiàn)已成為Easy系列的最大封裝。但該模塊仍然采用無基板設(shè)...

2022-11-30 標(biāo)簽：英飛凌逆變器功率模塊 1943 0

e2v 推出新系列超緊湊、不受《國際武器貿(mào)易條例》ITAR約束微波功率模塊

在 DSEI 2013 英國國際防務(wù)展覽會(huì)期間，創(chuàng)新解決方案供應(yīng)商 e2v 將推出新型超寬頻帶 （2-18GHz） 微波功率模塊 （MPM）。新型 MP...

2013-09-06 標(biāo)簽：功率模塊e2v 1917 0

Microchip推出AgileSwitch柵極驅(qū)動(dòng)器和功率模塊工具包，助力開發(fā)人員設(shè)計(jì)投產(chǎn)

Microchip的AgileSwitch?數(shù)字可編程?hào)艠O驅(qū)動(dòng)器和SP6LI SiC功率模塊工具包解決方案可加快開發(fā)人員從設(shè)計(jì)到投產(chǎn)的步伐。

2020-09-01 標(biāo)簽：microchip逆變器功率模塊 1858 0

IR針對(duì)300W馬達(dá)功率應(yīng)用推出半橋式功率模塊，擴(kuò)充μIPM系列

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出IRSM808-105MH和IR...

2013-11-04 標(biāo)簽：IR功率模塊 1825 0

國電南自引領(lǐng)儲(chǔ)能核心技術(shù)突破，碳化硅功率模塊助雙碳目標(biāo)實(shí)現(xiàn)

中國電科基礎(chǔ)辦付興昌表示：“碳化硅器件在電網(wǎng)和儲(chǔ)能領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用空間，希望雙方未來能發(fā)掘出更多的合作場(chǎng)景。”

2024-01-05 標(biāo)簽：功率模塊變流器碳化硅 1814 0

普思瑪中國：引領(lǐng)常壓等離子技術(shù)的創(chuàng)新者

在2024年盛大舉辦的慕尼黑上海電子生產(chǎn)設(shè)備展覽會(huì)上，智匯工業(yè)有幸采訪到了普思瑪中國這一業(yè)界翹楚。

2024-03-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBT功率模塊 1798 0

熾芯微電開業(yè)！專注于碳化硅塑封功率模塊封測(cè)研發(fā)

1月19日，熾芯微電子科技（蘇州）有限公司（以下簡稱“熾芯微電”）在恒泰智造·蘇州納米城Ⅴ區(qū)開業(yè)。

2024-01-24 標(biāo)簽：IGBTSiC功率模塊 1745 0

科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列——“Wolfspeed WolfPACK?

科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列，為電動(dòng)汽車快速充電和太陽能市場(chǎng)提供業(yè)界領(lǐng)先的效率。

2021-01-14 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車導(dǎo)通電阻SiC 1740 0

CISSOID宣布推出用于電動(dòng)汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊

內(nèi)置的柵極驅(qū)動(dòng)器包括3個(gè)板載隔離電源（每相1個(gè)），可提供每相高達(dá)5W的功率，從而可以在高達(dá)125°C的環(huán)境溫度下輕松驅(qū)動(dòng)頻率高達(dá)25KHz的功率模塊。

2020-03-05 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車MOSFETCISSOID 1735 0