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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。
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氮化鎵(GaN)是一種直接帶隙半導體,寬帶隙為3.4 eV(電子伏特),比砷化鎵(GaAs)寬2.4倍,比硅寬3倍。具有禁帶寬度大、擊穿電場高、飽和電子...
目前納微在半橋氮化鎵功率芯片方向上的專利已授權76件,除去世界知識產權局WO的8件PCT專利之外,其授權率高達約80%,目前僅有3件專利處于失效狀態。
第三代半導體具有較高的熱導率、電子飽和率、擊穿電場、帶隙寬度、抗輻射能力等,適用于制造高溫、高頻、高功率、抗輻射器件,可用于衛星、汽車、雷達、工業、...
氮化鎵是一種無機物,化學式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結...
氮化鎵,由鎵(原子序數 31)和氮(原子序數 7)結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要...
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。在帶隙寬度中,硅為1.1eV,SiC為3.3eV,GaN為3.4eV,因此寬帶隙...
中國氮化鎵芯片市場占據全球約 %的市場份額,為全球最主要的消費市場之一,且增速高于全球。2021年市場規模約 億元,2017-2021年年復合增長率約為 %。
氮化鎵是目前全球最快功率開關器件之一,氮化鎵本身是第三代的半導體材料,許多特性都比傳統硅基半導體更強。
幾十年來,硅主宰了晶體管世界。但這正在改變。由兩種或三種材料組成的復合半導體已經開發出來,具有獨特的優勢和優越的財產。例如,利用化合物半導體,開發了...
Transphorm發布新的氮化鎵場效應管可靠性指標 日前,高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc...
氮化鎵工藝發展現狀 氮化鎵是當前發展最成款的競禁帶半導體材料,世界各國對氮化鎵的研究重視,美歐日等不僅從國家層面上制定了相應的研究規劃。氮化鎵因具有很大...
2023-02-03 標簽:氮化鎵 1538 0
氮化鎵用途和性質 第三代半導體材料以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為代表,是5G時代的主要材料,其中氮化鎵(GaN)和碳化...
2023-02-03 標簽:氮化鎵 2657 0
氮化鎵前景怎么樣 氮化鎵產業概述 1、產業地位 隨著半導體化合物持續發展,相較第一代硅基半導體和第二代砷化鎵等半導體,第三代半導體具有高擊穿電場、高熱導...
2023-02-03 標簽:氮化鎵 1191 0
什么是氮化鎵技術 氮化鎵(GaN:Gallium Nitride)是氮和鎵化合物,具體半導體特性,早期應用于發光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族...
2023-02-03 標簽:氮化鎵 3344 0
麥科信OIP系列光隔離探頭應用場景之——助力氮化鎵(GaN)原廠FAE解決客戶問題
作為功率半導體廠商,為下游客戶提供典型應用方案似乎成行業內約定俗成的事。也就是說,作為半導體原廠不僅要設計好芯片,還要親自設計和驗證很多應用方案供下游客...
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