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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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貿澤電子備貨Qorvo的QPA1314T 功率放大器(PA)
貿澤備貨的Qorvo QPA1314T PA具有12.75至15.35GHz的擴展頻率范圍，并在13.75至14.5GHz的標準范圍內實現55W的飽和輸出功率。
蘇州高新區與水芯電子合作簽約儀式暨水芯與Baseus倍思聯合新品發布會開幕！
9月20日，蘇州高新區水芯電子合作簽約儀式暨水芯電子Baseus倍思聯合新品發布會在江蘇蘇州日航酒店成功舉辦。會議主要就消費類電子領域首次采用水芯數字電...
然而，一個諧波濾波器需要一個保護帶，以達到對帶內頻率低端的二次諧波的最小抑制要求。例如，如圖2所示，第一個頻段不能是30至60MHz，或一個倍頻程，因為...
納微半導體GaNSense半橋芯片達到更高層級的效率和節能水平
GaNSense半橋氮化鎵功率芯片集成了兩個GaN FETs 和驅動器，以及控制、電平轉換、傳感和保護功能，為電子元件創建了一個易于使用的系統構建塊。相...
前言 氮化鎵技術在消費類電源領域的大規模商用，帶來了電源配件產品功率密度的一次大提升。借助GaN功率器件高頻、高效的特性，體積小巧、更加便攜的高密度快充...
氮化鎵企業納微半導體宣布收購GeneSiC Semiconductor（GeneSiC），加速向高功率市場擴張。納微半導體稱，合并后的公司將在下一代功率...
自從碳化硅MOS管在Model3牽引電驅中使用后，整個世界對碳化硅的討論就沒有停過，也促進了碳化硅MOS管在充電樁與新能源汽車中的應用，從而提高充電速度...
長期以來，硅基器件一直是半導體領域的基準標準。從 2007 年開始，由于摩爾定律的失敗，復合材料被開發出來，特別關注寬帶隙半導體，因為它們利用了重要的...
第四屆第三代半導體材料及裝備發展研討會在青島成功舉辦。中微公司參加了此次研討會，并受邀發表主題演講，與產業鏈上下游、設備及關鍵零部件研究、生產單位專家代...
隨著PD快充技術的普及以及氮化鎵快充市場的爆發，消費類電源市場對高頻率、高效率、小體積的產品需求量日益提升。而在開發高頻率快充電源時，找元器件現貨上唯樣...
電子發燒友網報道（文/黃晶晶）以碳化硅、氮化鎵為主的第三代半導體材料得以大力發展，譬如氮化鎵功率器件在充電器和手機等消費類電子上得到越來越多的采用。在經...
QPA3908 和 QPA3810 為集成式兩級 PAM，專為大規模 MIMO 應用而設計，器件輸出具有 8 瓦 RMS。QPA3908 的工作頻率范圍...
兩款氮化鎵8瓦功率放大器模塊(PAM)QPA3908和QPA3810
日本電氣股份有限公司 (NEC) 擁有追求技術創新以及與領先行業供應商合作的悠久傳統。NEC 已與 Qorvo 合作實施 QPA3908 和 QPA38...
加賀富儀艾電子加快基于氮化鎵USB-C PD電源適配器的研發
近日，加賀富儀艾電子旗下代理品牌Transphorm宣布推出七款參考設計，旨在加快基于氮化鎵的USB-C PD電源適配器的研發。該參考設計組合包括廣泛的...
GaNFast?功率芯片為一加ACE手機實現超快充，電量從1%到100%只需充電17分鐘 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多 2022年8月11號訊 - 納微半...
在當今的電力電子產品中，質量和可靠性是既定的，設計重點是最大限度地提高效率和功率密度，同時最大限度地降低成本。工作頻率的急劇增加挑戰了當前的設計實踐，以...
經典電力電子設備中使用的所有類型的器件都可以使用 WBG 器件制造。此外，經典的硅器件在許多應用領域已經達到了極限。鑒于這些前提，很明顯 WBG 技術是...
設計人員在電動和混合動力汽車中提高能量轉換效率的重點是配備緊湊封裝和組裝的高熱可靠性電力電子模塊的設備，以減少開關損耗。
【核芯觀察】是電子發燒友編輯部出品的深度系列專欄，目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產業架構，理清上、中、下游的各個環節，同時迅速了解各大細分環節中...
多年來，設計人員一直在描述氮化鎵 (GaN) 有助于在電網應用中實現前所未有的功率密度、系統可靠性和成本水平的未來。工程師不僅在尋找設備或技術成熟度——...
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