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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術

碳化硅MOSFET與硅MOSFET的應用對比分析

碳化硅 MOSFET 具有導通電壓低、開關速度極快、驅動能力要求相對低等特點，是替代高壓硅MOSFET 的理想器件之一。

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電源解決方案跟摩爾定律有何關系？它如何跟上摩爾定律的步伐？

根據電源解決方案或與功耗、能源效率或整體能源或碳足跡相關的分析來對任何系統（或系統集合）進行分析時，將源與負載分開出來能幫助整個過程。

2024-03-28 標簽：摩爾定律晶體管碳化硅 1121 0

安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設計注意事項和使用技巧

安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特...

2024-03-28 標簽：電容器 MOSFET 安森美 1839 0

探秘功率二極管反向恢復抑制的三大法寶

為解決功率二極管反向恢復問題已經出現了很多種方案。一種思路是從器件本身出發，尋找新的材料力圖從根本上解決這一問題，比如碳化硅二極管的出現帶來了器件革命的...

2024-03-27 標簽：二極管功率二極管 emi 2798 0

碳化硅功率器件的工作原理

碳化硅功率器件的核心在于其能夠在極端條件下高效地控制電力的流動。SiC材料的寬帶隙特性意味著它在高溫下仍能維持較高的能量障礙，從而保持穩定的半導體特性。

2024-03-26 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 737 0

碳化硅晶片C面與硅面的存在原因探究

Si-Si鍵能大小為 310 kJ/mol，可以理解鍵能是把這兩個原子拉開的力度，鍵能越大，需要拉開的力越大。 Si-C鍵原子間距為 1.89 ?，...

2024-03-26 標簽：SiC 晶片光刻機 1531 0

安森美發布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

安森美(onsemi)發布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關。

2024-03-26 標簽：電動汽車 MOSFET 安森美 2408 0

碳化硅功率器件：革新未來能源與電力電子技術的關鍵材料

隨著全球對高效能源的不斷追求和電子技術的快速發展，傳統的硅基功率器件已逐漸達到其性能邊界。

2024-03-21 標簽：電動汽車功率器件 SiC 827 0

碳化硅MOS、超結MOS與IGBT性能比較

Si-MOSFET根據制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時，漂移層會變厚，導致導通電阻增加的問題。

2024-03-19 標簽：二極管 IGBT MOS 9074 0

碳化硅功率器件特性及基本原理

碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導體材料，與傳統的硅(Si)材料相比，具有更寬的能隙、更高的擊穿電場強度和熱導率。

2024-03-19 標簽：功率轉換功率器件 SiC 934 0

中國碳化硅襯底價格2024年快速滑落 800V的春天看來要到了

國際半導體IDM廠商，如意法半導體、英飛凌、安森美、羅姆電子等，在中國市場仍然占據碳化硅元件的重要地位。消息人士補充，外國汽車品牌或與中國合資的汽車品牌...

2024-03-14 標簽：SiC 碳化硅射頻器件 1607 0

Infineon碳化硅布局加速，晶圓廠投資引發市場疑慮

雖然Infineon是歐洲五大芯片制造商之一，但他的作風一向非常低調。就連Infineon的收購行動也常常被低調處理。

2024-03-14 標簽：SiC Infineon 碳化硅 399 0

探討碳化硅功率器件的工作原理、優勢、應用場景

碳化硅功率器件利用SiC半導體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導體材料，具有比硅（Si）更高的電子飽和漂移速度和熱導率，以及更高的臨界擊穿電場強度。

2024-03-14 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 726 0

基于碳化硅（SiC）材料打造的主驅逆變器即將大規模“上車”

在當今全球汽車工業駛向電動化的滾滾浪潮中，一項關鍵技術正以其顛覆性的性能改變著電動汽車整體市場競爭力的新格局，它便是基于碳化硅（SiC）材料打造的主驅逆變器。

2024-03-13 標簽：新能源汽車 MOSFET 逆變器 2377 0

碳化硅（SiC）功率器件核心優勢及技術挑戰

SiC器件的核心優勢在于其寬禁帶、高熱導率、以及高擊穿電壓。具體來說，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導率是硅的...

2024-03-08 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 2238 0

一文詳解雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。

2024-03-08 標簽：IGBT 功率模塊碳化硅 2388 0

一文解析SiC功率器件互連技術

和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓大、開關頻率高等諸多優點,因而適用于更高工作頻率的功率器件。但這些優點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶...

2024-03-07 標簽：MOSFET 功率器件互連技術 1898 0

光刻機精密碳化硅陶瓷部件揭秘

集成電路制造關鍵裝備要求零部件材料具有高純度、高致密度、高強度、高彈性模量、高導熱系數和低熱膨脹系數等特點，且且結構件要具有極高的尺寸精度和結構復雜性，...

2024-03-07 標簽：集成電路光刻機光刻技術 1349 0

淺談SiC晶體材料的主流生長技術

在SiC晶體的擴徑生長上比較困難，比如我們有了4英寸的晶體，想把晶體直徑擴展到6英寸或者8英寸上，需要花費的周期特別長。

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碳化硅功率器件的基本原理、性能優勢、應用領域

碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用碳化硅材料的優良特性，可以在更...

2024-02-29 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 2021 0

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