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驅(qū)動(dòng)電壓

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　　驅(qū)動(dòng)電壓，使器件開始工作所需的最小供電電壓。

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驅(qū)動(dòng)電壓技術(shù)

碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓選擇15V還是18V，是電力電子設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵權(quán)衡問題。這兩種電壓對(duì)器件的導(dǎo)通損耗、開關(guān)特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。

2025-06-04 標(biāo)簽：SiC 碳化硅驅(qū)動(dòng)電壓 386 0

UCC27200-Q1 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的汽車類 3A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27200-Q1 高頻 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器包括一個(gè) 120V 自舉二極管以及具有獨(dú)立輸入的高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)最大的控制靈活性。這...

2025-05-21 標(biāo)簽：CMOS MOSFET UVLO 169 0

UCC27611 具有 4V UVLO 和 5V 穩(wěn)壓輸出的 4A/6A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27611 是一款針對(duì) 5V 驅(qū)動(dòng)優(yōu)化的單通道高速柵極驅(qū)動(dòng)器，專門針對(duì)增強(qiáng)型 GaN FET 進(jìn)行尋址。驅(qū)動(dòng)電壓 VREF 由內(nèi)部線性穩(wěn)壓器精確控...

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TPS7H6023-SP 抗輻射 QMLV 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證（RHA）氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 T...

2025-05-15 標(biāo)簽：FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 GaN 211 0

TPS7H6005-SEP 耐輻射 200V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS7H60x5 系列抗輻射保證（RHA）氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 ...

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LP395 系列 36V 功率晶體管數(shù)據(jù)手冊(cè)

LP395 是一款具有完全過載保護(hù)的快速單片晶體管。這非常片上包括高增益晶體管、電流限制、功率限制和熱過載保護(hù)，使其幾乎難以因任何類型的過載而銷毀。...

2025-05-15 標(biāo)簽：晶體管過載保護(hù)額定電流 193 0

TPS2330 具有低電平有效使能功能的 3V 至 13V 熱插拔控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS2330/31 器件具有欠壓鎖定（UVLO）和電源正常（PG）功能報(bào)告以確保設(shè)備在啟動(dòng)時(shí)處于關(guān)閉狀態(tài)并確認(rèn)輸出電壓的狀態(tài) 運(yùn)行期間的導(dǎo)軌...

2025-05-14 標(biāo)簽：MOSFET 電荷泵峰值電流 223 0

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TPSI3050-Q1 是一款完全集成的隔離式開關(guān)驅(qū)動(dòng)器，與外部電源開關(guān)結(jié)合使用時(shí)，可形成完整的隔離式固態(tài)繼電器（SSR）。憑借 10V 的標(biāo)稱柵極驅(qū)...

2025-05-08 標(biāo)簽：固態(tài)繼電器電源開關(guān)偏置電源 181 0

TPSI3050 具有集成 10V 柵極電源的隔離式開關(guān)驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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TPSI31P1-Q1 具有 17V 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器和偏置電源的汽車級(jí)有源預(yù)充電控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPSI31P1-Q1 設(shè)計(jì)用于汽車預(yù)充電系統(tǒng)，作為傳統(tǒng)無源預(yù)充電架構(gòu)的替代方案，傳統(tǒng)無源預(yù)充電架構(gòu)通常包括昂貴的機(jī)電繼電器（EMR）以及笨重的高功...

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