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離散傅里葉變換（Discrete Fourier Transform，DFT）傅里葉分析方法是信號分析的最基本方法，傅里葉變換是傅里葉分析的核心，通過它把信號從時間域變換到頻率域，進(jìn)而研究信號的頻譜結(jié)構(gòu)和變化規(guī)律。

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SOC中多片嵌入式SRAM的DFT實現(xiàn)方法

本文基于MBIST的一般測試方法來對多片SRAM的可測試設(shè)計進(jìn)行優(yōu)化，提出了一種通過一個MBIST控制邏輯來實現(xiàn)多片SRAM的MBIST測試的優(yōu)化方法。

2011-12-15 標(biāo)簽：嵌入式 SRAM SOC 3835 0

聊聊IC測試機(jī)（4）DFT PLL向量，ATE怎么用？

自動測試設(shè)備 (ATE)對PLL（鎖相環(huán)）進(jìn)行測試時，我們首先要明白PLL在系統(tǒng)級芯片（SoC）中的重要性。

2023-11-01 標(biāo)簽：鎖相環(huán)DFT ATE 3601 0

固態(tài)電解質(zhì)引入特殊官能團(tuán)實現(xiàn)高電壓鋰金屬固態(tài)電池

在基于固體聚合物電解質(zhì)（SPE）的鋰金屬電池中，雙離子在電池中的不均勻遷移導(dǎo)致了巨大的濃差極化，并降低了循環(huán)過程中的界面穩(wěn)定性。

2022-11-16 標(biāo)簽：電解質(zhì)DFT SPE 3539 0

鋰金屬電池室溫固態(tài)聚合物電解質(zhì)的鋰離子傳導(dǎo)機(jī)制

本文開發(fā)了一種異質(zhì)雙層固態(tài)聚合物電解質(zhì)（DSPE），并闡明其在室溫下的工作機(jī)理。通過分子動力學(xué)（MD）模擬提出了丁二腈（SN）與鋰鹽之間的分子間相互作用...

2023-04-15 標(biāo)簽：鋰離子電解質(zhì)DFT 3343 0

在距離多普勒處理中使用Keystone變換進(jìn)行距離徙動校正

常規(guī)的距離多普勒處理采集相干處理時間(CPI)內(nèi)快時間/慢時間數(shù)據(jù)，并對所有距離單元的做慢時間維的離散傅里葉變換(DFT)，形成距離多普勒矩陣。

2023-12-04 標(biāo)簽：DFT 離散傅里葉變換 3320 0

新型四氫呋喃局部飽和電解液激活超低溫鋰金屬電池

當(dāng)前，鋰金屬電池(Li-metal batteries, LMBs)由于具備高理論能量密度(> 350 Wh kg-1)被譽(yù)為下一代二次電池的“圣杯”。

2023-04-03 標(biāo)簽：鋰電池電解質(zhì)DFT 3278 0

如何使用 DFT App 進(jìn)行硬件仿真

Ad-hoc DFT 包括一套提倡“良好”設(shè)計規(guī)范的規(guī)則，旨在簡化和加速測試流程。例如，提供置位和復(fù)位信號，使得所有觸發(fā)器均可初始化；避免引起振蕩的異步...

2018-04-12 標(biāo)簽：dft 硬件仿真 3180 0

芯片fail是哪幾方面原因呢？

功能fail，某個功能點點沒有實現(xiàn)，這往往是設(shè)計上導(dǎo)致的，通常是在設(shè)計階段前仿真來對功能進(jìn)行驗證來保證，所以通常設(shè)計一塊芯片，仿真驗證會占用大約80%的時間

2023-01-16 標(biāo)簽：數(shù)模轉(zhuǎn)換器 DFT 模擬器 3167 0

自組裝多層緩沖界面實現(xiàn)長壽命水系鋅離子電池

隨著人們對環(huán)保和可持續(xù)能源存儲系統(tǒng)的需求不斷增長，水系鋅離子電池(AZIBs)因其固有的安全性、低成本和高理論容量而被認(rèn)為是最有前途的儲能系統(tǒng)之一。

2023-06-25 標(biāo)簽：離子電池 DFT SAM 3164 0

淺談PCB測試技術(shù)和測試方法

今天是關(guān)于 PCB 測試技術(shù) 、 PCB 測試方法。

2023-06-09 標(biāo)簽：pcb 測試技術(shù)DFT 3138 0

Fe-N-C增強(qiáng)高載量Pt納米粒子的耐久性

碳載鉑納米顆粒(Pt/C)是用于聚合物電解質(zhì)燃料電池的經(jīng)典催化劑。其中，碳載體的性質(zhì)不僅影響燃料電池的性能，特別是在大電流下，還會影響催化劑在苛刻的燃料...

2022-11-04 標(biāo)簽：電解質(zhì)DFT ICP 3078 0

電路分析中的ZT和DFT

簡介：這學(xué)期的信號與系統(tǒng)進(jìn)展到第五章，拉普拉斯變換與 z 變換。前幾天看到一篇博文中對于無限電阻網(wǎng)絡(luò)求解相鄰節(jié)點阻抗中使用了離散傅里葉變換 (DFT)...

2022-08-16 標(biāo)簽：電路分析 DFT 電阻網(wǎng)絡(luò) 3012 0

如何對時域信號做頻域DFT線性度分析

如何對一個時域信號（比如ADC輸出、一個采樣保持電路的輸出）做頻域DFT線性度分析？

2023-05-23 標(biāo)簽：adc 信號 DFT 2916 0

調(diào)節(jié)用于高性能水系鋅離子電池的多金屬離子溶劑化結(jié)構(gòu)

由于在鍍鋅/剝鋅過程中不可避免地在鋅負(fù)極表面形成枝晶，大多數(shù)水系鋅離子電池(AZIBs)會出現(xiàn)嚴(yán)重的容量衰退和電池失效。

2023-12-04 標(biāo)簽：鋅電池電解液 DFT 2845 0

什么是DFT友好的功能ECO呢？

DFT是確保芯片在制造過程中具有可測試性的一種技術(shù)。DFT友好的ECO是指在進(jìn)行ECO時，不會破壞芯片的DFT功能或降低DFT覆蓋率的設(shè)計方法。

2023-03-06 標(biāo)簽：寄存器 EDA工具 DFT 2774 0

CORDIC算法簡介

在信號處理領(lǐng)域，CORDIC（Coordinate Rotation Digital Computer，坐標(biāo)旋轉(zhuǎn)數(shù)字計算機(jī)）算法具有重大工程意義。

2023-03-28 標(biāo)簽：信號處理 DDS DFT 2747 0

debug這個問題，貫通了DC、DFT、P&R

當(dāng)PR工具導(dǎo)入scan chain的scandef，用于reorder，但是報錯說scan chain里面的cell在db數(shù)據(jù)庫里面沒有？難道是scan...

2023-10-10 標(biāo)簽：寄存器 DFT FIFO芯片 2743 0

揭示固態(tài)電解質(zhì)中鋰鹽解離的重要機(jī)制！

清華大學(xué)深圳國際研究生院康飛宇（本刊主編）、賀艷兵（本刊執(zhí)行主編）、柳明（本刊青年編委）、侯廷政（本刊青年編委）團(tuán)隊闡明了 BaTiO3鐵電填料誘導(dǎo) L...

2024-05-22 標(biāo)簽：DFT PFM 固態(tài)電解質(zhì) 2735 0

缺陷調(diào)節(jié)雙金屬氧化物正極以顯著改善柔性水系鋅離子電池性能

便攜式電子設(shè)備的快速發(fā)展導(dǎo)致了對輕便、靈活和通用便攜式能量存儲解決方案的需求。水系鋅離子電池(AZIB)作為一種更安全、更環(huán)保的鋰離子電池替代品而受到廣...

2023-05-25 標(biāo)簽：離子電池 DFT PAM 2709 0

PtNi納米合金可與Ni單原子發(fā)生原子置換

多相金屬催化劑在化工生產(chǎn)、環(huán)境保護(hù)和可持續(xù)能源生產(chǎn)中發(fā)揮著重要作用。為了實現(xiàn)催化活性金屬的有效利用，金屬物種通常被設(shè)計為高度分散的形式，如金屬納米顆粒、...

2023-01-03 標(biāo)簽：DFT 傅里葉變換 XRD 2640 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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