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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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igbt模塊參數(shù)怎么看 igbt的主要參數(shù)有哪些?
IGBT模塊動態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時間、驅(qū)動功率等的重要依據(jù),本文重點討論以下動態(tài)參數(shù):模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極...
通常情況下,為了防止出現(xiàn)寄生IGBT通道的情況發(fā)生,國內(nèi)通常有兩種解決辦法。第一個辦法是為配置添加門極和發(fā)射極之間的電容,第二是通過使用負門極驅(qū)動。如果...
分布式能源與充電站一體化解決辦法分析以及共直流母線IGBT充電集如何助力
但是,分布式能源和汽車充電站一體化發(fā)展的傳統(tǒng)實現(xiàn)方式還具備單向傳遞、能源逆變損耗大、效率低等劣勢。為此,深圳市安和威電力科技股份有限公司推出了“光儲充”...
IGBT是繼MOSFET之后,新一代的開關(guān)器件,主要用于高壓和高電流的開關(guān)控制。IGBT的全稱是Isolated Gate Bipolar Transi...
辯證分析MOSFET與IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與應(yīng)用區(qū)別
這種延遲引起了類飽和 (Quasi-saturation) 效應(yīng),使集電極/發(fā)射極電壓不能立即下降到其VCE(sat)值。這種效應(yīng)也導致了在ZVS情況下...
本文首先介紹了IGBT的概念與結(jié)構(gòu),其次對IGB模塊原理電路進行了分析以及介紹了變頻器IGBT模塊常見故障處理,最后介紹了變頻器IGBT模塊檢測方法以及...
功率晶體管的電壓/電流都選得足夠大,除了注意自己的人身安全,一般不用擔心功率晶體管會損壞。但是在實際產(chǎn)品實驗中,功率晶體管技術(shù)規(guī)格的裕量不可能選得這么大...
現(xiàn)在電磁爐已經(jīng)是家里必備電器之一了,加熱快,使用方便,給我們帶來很大便利。雖然現(xiàn)在電路集成度高,不易損壞,但由于工作環(huán)境和元器件自然壽命原因,也會有不少...
IGBT基礎(chǔ)知識、參數(shù)特性、驅(qū)動電路總結(jié)
IGBT——絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),顧名思義,是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 ...
焊機作為比較傳統(tǒng)的行業(yè),但是任何一個行業(yè)不可能是停滯不前的。俗話說:原地踏步就等于退步。所以,隨著電子元器件的發(fā)展,各個行業(yè)也都在不停地迭代更新,推出新...
雙向開關(guān)的介紹/特性/結(jié)構(gòu)/功能
雙向電源開關(guān) (BPS) 是一種使用 MOSFET 或 IGBT 構(gòu)建的有源器件,在上電時允許雙向雙向電流流動,并在斷電時阻止雙向電壓流。
具體來說,可以通過電子器件(例如晶體管、IGBT等)開關(guān)電源,將直流電源轉(zhuǎn)換為高頻的脈沖信號,再通過控制脈沖的占空比來控制電機的電壓。當占空比增加時...
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