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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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使用繼電器或者IGBT y以上電路就是使用PWM控制IGBT快速開關(guān)實(shí)現(xiàn)控制大電流的例子。 IGBT是以GTR為主導(dǎo)元件,MOSFET為驅(qū)動(dòng)元件的達(dá)林頓...
2022-07-27 標(biāo)簽:繼電器pcb電路設(shè)計(jì) 8864 0
功率器件介紹、市場(chǎng)概況、產(chǎn)業(yè)鏈分析,您想了解的都在這里了
變流器把直流電轉(zhuǎn)換成交流電。變流器幾乎使用在所有的電力和電子產(chǎn)品中, 如供電電路中的電壓波動(dòng)整形、產(chǎn)生變頻輸出功率來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)速度,后者 在變頻空調(diào)、...
2023-11-30 標(biāo)簽:IGBT功率器件產(chǎn)業(yè)鏈 8854 0
IGBT關(guān)斷時(shí),集電極電流Ic迅速減小到0,急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感,產(chǎn)生感應(yīng)電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上,使IGBT承受高于平常的電壓...
IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)有哪些類型
IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)為可靠驅(qū)動(dòng)絕緣柵器件,目前已有很多成熟電路。當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)與功率器件不需要隔離時(shí),驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)是比較簡(jiǎn)單的,目前也有了許多優(yōu)...
上半年COVID-19疫情的爆發(fā),給IT設(shè)備領(lǐng)域創(chuàng)造了新的行業(yè)熱點(diǎn),但對(duì)交通出行行業(yè)造成了重創(chuàng)。從中國汽車工業(yè)協(xié)會(huì)(CAAM)的數(shù)據(jù)來看,今年一季度,乘...
2020-10-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器IGBT 8690 0
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)擊穿短路的原因是一個(gè)復(fù)雜且多元的問題,涉及多個(gè)因素相互作用。以下是對(duì)IGBT擊穿短路原因的詳細(xì)分析,旨在達(dá)到1000字的要求。
基于功率MOSFET的H橋PWM DC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
H橋(全橋)驅(qū)動(dòng)器在驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)等負(fù)載方面非常流行,并且已廣泛用于機(jī)器人技術(shù)和工業(yè)中。使用H橋驅(qū)動(dòng)器的主要優(yōu)點(diǎn)是效率高,旋轉(zhuǎn)方向變化和制動(dòng)電動(dòng)機(jī)。
2021-05-20 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBTMOSFET驅(qū)動(dòng)器 8667 0
浩寶推出IGBT功率半導(dǎo)體無空洞、高可靠真空焊接設(shè)備
隨著全球新能源的發(fā)展,功率半導(dǎo)體行業(yè)正在快速發(fā)展。IGBT功率模塊在封裝焊接時(shí)有著低空洞率、高可靠性、消除氧化、高效生產(chǎn)等需求
瞬態(tài)過電流IGBT在運(yùn)行過程中所承受的大幅值過電流除短路、直通等故障外,還有續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流、緩沖電容器的放電電流及噪聲干擾造成的尖峰電流。這種...
IGBT模塊單極驅(qū)動(dòng)的特殊注意事項(xiàng)
開關(guān)IGBT T1時(shí),主電流將從續(xù)流二極管D1換向到IGBT。由于二極管電流衰減產(chǎn)生的電流變化率diC2 /dt在LσE2上產(chǎn)生感應(yīng)電壓,并使T2的發(fā)射...
逆變電路中IGBT安全操作注意事項(xiàng),IGBT的主要特性參數(shù)
對(duì)于過壓保護(hù)采取的措施為:門極和發(fā)射極之間并聯(lián)反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管Vz3和Vz4;門極和發(fā)射極之間加門極發(fā)射極電阻R6;加阻容吸收電路,由D6、R14和...
大功率IGBT驅(qū)動(dòng)的技術(shù)特點(diǎn)及發(fā)展趨勢(shì)分析
由于igbt具有開關(guān)頻率高、導(dǎo)通功耗小及門極控制方便等特點(diǎn),在大功率變換系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用。在igbt應(yīng)用中,除其本身的技術(shù)水平以外,另一個(gè)要考慮的重...
2021-03-11 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器變換器igbt 8576 0
自舉升壓驅(qū)動(dòng)芯片在MOS/IGBT的驅(qū)動(dòng)中應(yīng)用已經(jīng)十分廣泛,自舉升壓作為產(chǎn)生浮地電源的普遍方法,應(yīng)用起來十分便捷,行之有效。
屈興國告訴半導(dǎo)體行業(yè)觀察記者,東芝IEGT單管目前可以實(shí)現(xiàn)4.5KV和3KA的功率,再加上簡(jiǎn)易的串聯(lián)實(shí)施,這些產(chǎn)品完美匹配中國柔性直流輸電、直流電網(wǎng)發(fā)展...
基于IGBT的緩沖電路怎樣選擇電容?電容大小不同導(dǎo)線該如何選擇?
在諧振電容選擇前,應(yīng)首先確定IGBT 驅(qū)動(dòng)的負(fù)載電流IGmax的最大值、外施電源V的最大值以及要求的開關(guān)管電壓上升時(shí)間Tr。因緩沖電容Cl、C2配合充放...
使用IGBT時(shí),面臨的常見問題之一是由于米勒電容器而導(dǎo)致的寄生導(dǎo)通。在0至+15 V型柵極驅(qū)動(dòng)器(單電源驅(qū)動(dòng)器)中,這種影響是明顯的。
2021-05-17 標(biāo)簽:電容器IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 8479 0
說一說有關(guān)IGBT的一項(xiàng)比較重要的測(cè)試—雙脈沖測(cè)試
對(duì)于任何一個(gè)器件,在使用之前,無論是生產(chǎn)方還是使用方都會(huì)進(jìn)行充分的驗(yàn)證,以確定產(chǎn)品的性能是否符合相應(yīng)的需求。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管...
2023-02-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 8426 0
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