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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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有什么IGBT是可以替代FGH40N60SFD這款型號(hào)呢?
為什么要找替代的IGBT?因?yàn)槊鎸?duì)世界的不穩(wěn)定因素,國(guó)內(nèi)如果有好的電子元器件替代的話(huà),為什么不選擇呢?這樣才能更好保障自己的產(chǎn)品穩(wěn)定性。
電磁爐是應(yīng)用電磁感應(yīng)加熱原理,利用電流通過(guò)線(xiàn)圈產(chǎn)生磁場(chǎng),該磁場(chǎng)的磁力線(xiàn)通過(guò)鐵質(zhì)鍋底部的磁條形成閉合回路時(shí)會(huì)產(chǎn)生無(wú)數(shù)小渦流,使鐵質(zhì)鍋體的鐵分子高速動(dòng)動(dòng)產(chǎn)生...
2023-06-29 標(biāo)簽:mcu線(xiàn)圈開(kāi)關(guān)電源 4453 0
對(duì)于變頻器的維修,總的來(lái)說(shuō),首先要對(duì)其工作原理有較透徹的理解,對(duì)每個(gè)電路的性能指標(biāo)、工作點(diǎn)及器件的性能、好壞都能有一個(gè)正確的判別,才能真正地修好每一臺(tái)設(shè)...
功率器件作為電力電子裝置的核心器件,在設(shè)計(jì)及使用過(guò)程中如何保證其可靠運(yùn)行,一直都是研發(fā)工程師最為關(guān)心的問(wèn)題。功率器件除了要考核其電氣特性運(yùn)行在安全工作區(qū)...
2022-08-01 標(biāo)簽:IGBT功率器件散熱系統(tǒng) 4441 0
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的,目前大部分都不承諾短路能力,有少數(shù)在數(shù)據(jù)手冊(cè)上標(biāo)明短路能力的幾家,也通常把短路耐受時(shí)間(SCWT:shor...
為什么要使用SVPWM策略?SVPWM調(diào)制策略要點(diǎn)講解
SVPWM(Space Vector Pulse Width Modulation,空間矢量脈寬調(diào)制)是近年發(fā)展的一種比較新穎的電機(jī)控制方法
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的IGBT過(guò)流和短路保護(hù)
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器可以在相對(duì)惡劣的環(huán)境中運(yùn)行,其中可能發(fā)生高溫、交流線(xiàn)路瞬變、機(jī)械過(guò)載、接線(xiàn)錯(cuò)誤和其他突發(fā)事件。其中一些事件可能導(dǎo)致電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源電路中流動(dòng)較...
2023-01-08 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器電機(jī)IGBT 4424 0
在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動(dòng),控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn),...
雙脈沖測(cè)試是電力變壓器和互感器的一種常見(jiàn)測(cè)試方法,其主要目的是評(píng)估設(shè)備的性能和準(zhǔn)確性,確保其符合設(shè)計(jì)要求和運(yùn)行標(biāo)準(zhǔn)。
IGBT全稱(chēng)為絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),所以它是一個(gè)有MOS Gate的BJT晶體管。奇...
2022-10-09 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源變頻器IGBT 4387 0
SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記1:短路保護(hù)時(shí)間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力,也就是說(shuō),在一定的短路耐受時(shí)間(short circuit withstand time SCWT)
用數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量igbt好壞判斷
IGBT是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。正確判斷IGBT的好壞對(duì)于確保設(shè)備的正常運(yùn)行至關(guān)重要。 1. IGBT的...
2024-07-25 標(biāo)簽:數(shù)字萬(wàn)用表IGBT電源轉(zhuǎn)換 4371 0
隔離驅(qū)動(dòng)IGBT有何意義?IGBT失控?cái)?shù)據(jù)變化準(zhǔn)則
嚴(yán)格來(lái)說(shuō),器件靜電損傷也屬于過(guò)電壓應(yīng)力損傷,靜電型過(guò)電應(yīng)力的特點(diǎn)是:電壓較高,能力較小,瞬間電流較大,但持續(xù)的時(shí)間極短,與一般的過(guò)電應(yīng)力相比,靜電型損傷...
MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態(tài)半導(dǎo)體器件,且都屬于電壓控制器件。
2023-07-07 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器逆變器 4351 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即絕緣柵雙極型晶體管,是一種先進(jìn)的電力電子器件。IGBT芯片結(jié)合了MOS...
4.5kV IGBT/二極管芯片組在高壓直流輸電領(lǐng)域的應(yīng)用
制造商已經(jīng)為高壓直流 (HVDC) 應(yīng)用開(kāi)發(fā)出新的 4.5kV 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)/ 二極管芯片組并對(duì)其性能進(jìn)行了優(yōu)化 。
2014-10-28 標(biāo)簽:IGBT英飛凌科技FZ1200R45HL3 4341 0
igbt驅(qū)動(dòng)電路工作原理 igbt驅(qū)動(dòng)電路和場(chǎng)效管驅(qū)動(dòng)區(qū)別
IGBT驅(qū)動(dòng)電路工作原理: IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種特殊的雙極晶體管,結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和普通雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)...
2024-01-23 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路雙極晶體管 4336 0
基于MOSFET和IGBT器件在電機(jī)控制應(yīng)用中的選擇
長(zhǎng)期以來(lái),發(fā)動(dòng)機(jī)控制一直處于研究和開(kāi)發(fā)活動(dòng)的前沿,其目標(biāo)是在兩個(gè)層面上找到有效和高效的微電子解決方案,一個(gè)是計(jì)算軟件,另一個(gè)是可以在微電子層次集成的電力...
2020-01-30 標(biāo)簽:mosfet電動(dòng)機(jī)igbt 4328 0
不同因素對(duì)IGBT溫敏參數(shù)dv/dt有什么影響?
結(jié)溫是IGBT功率模塊中功率器件的重要狀態(tài)變量,能直接反映器件安全裕量、健康狀態(tài)及運(yùn)行性能等。
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