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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
IGBT模塊在三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器中的典型應(yīng)用案例如下圖,主要包含了整流、IGBT主電路、驅(qū)動(dòng)保護(hù)、PWM產(chǎn)生及控制電路,電流電壓反饋電路等。
雙脈沖測(cè)試是否能夠反映器件在真實(shí)換流中的各種電應(yīng)力
大家好,前段時(shí)間在知乎上看到有個(gè)網(wǎng)友問:“在大功率變頻器應(yīng)用中,我們常用雙脈沖測(cè)試評(píng)估器件的動(dòng)態(tài)特征,在實(shí)際中有可比性嗎?”感覺這個(gè)問題提的比較好,也是...
IGBT雙脈沖測(cè)試的實(shí)測(cè)原理及電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
通常我們對(duì)某款I(lǐng)GBT的認(rèn)識(shí)主要是通過閱讀相應(yīng)的datasheet,數(shù)據(jù)手冊(cè)中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測(cè)試得來的,而實(shí)際應(yīng)用中的外部...
淺談汽車PTC模塊中用低側(cè)驅(qū)動(dòng)器IC的作用分析
分立式電路的一個(gè)顯著缺點(diǎn)是它不提供保護(hù),而柵極驅(qū)動(dòng)器IC集成了對(duì)于確保可預(yù)測(cè)和穩(wěn)定的柵極驅(qū)動(dòng)非常重要的功能。
2021-05-31 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電源開關(guān) 5055 0
分析和比較驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)和功率回路耦合特性對(duì)于并聯(lián)IGBT均流特性的影響
本文作者北京交通大學(xué)電氣工程學(xué)院穆峰,劉宜鑫,賈靜雯,郝欣,楊勇,黃先進(jìn) 摘要:隨著電力電子應(yīng)用越發(fā)趨于高壓與高功率密度,單個(gè)模塊已經(jīng)無法滿足其需求,功...
如果要縮短溶解時(shí)間,可以預(yù)先用物理方式去除部分表面的硅膠,但需要有較好的控制,以免對(duì)鍵合引線或者芯片造成損傷;如果是較小的模塊,不建議物理去除。
2023-06-10 標(biāo)簽:IGBT 5041 0
各種最經(jīng)典的IGBT電路賞析和保護(hù)方案,IGBT靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性是什么?
M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動(dòng)電路采用雙電源(+15V,-10V)供電,輸出負(fù)偏壓為-10V,輸入輸出電平與TTL電平兼容,配有短路/過載保護(hù)和...
聊一聊關(guān)于碳化硅雙脈沖測(cè)試中遇到的串?dāng)_問題
碳化硅具有更快的切換速度(更短的切換時(shí)間),較低的損耗,更高的開關(guān)頻率,更高的耐壓能力以及更好的溫度特性,相應(yīng)地帶來效率的替身,系統(tǒng)磁性元器件減小,功率...
變頻器(VFD)在運(yùn)行時(shí)突然發(fā)出爆炸聲,同時(shí)外部保險(xiǎn)絲燒斷,拆機(jī)時(shí)發(fā)現(xiàn)VFD的igbt模塊損壞。測(cè)試相關(guān)板卡后發(fā)現(xiàn)igbt觸發(fā)電路損壞,其他板卡正常。在...
IGBT模塊的結(jié)構(gòu)構(gòu)成示意圖分析
IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成,如金屬、陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來改善器件相關(guān)熱性能的硅膠。它們的熱膨脹系數(shù)以及熱導(dǎo)率存在很大的差異,...
常見的MOSFET以及IGBT絕緣柵極隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)解析
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu),直流電不能通過,因而低頻的表態(tài)驅(qū)動(dòng)功率接近于零。但是柵極和源極之...
2019-07-03 標(biāo)簽:MOSFETIGBT隔離驅(qū)動(dòng) 4936 0
IGBT行業(yè)的門檻非常高。除了芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn),IGBT模塊封裝測(cè)試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求。
2023-12-07 標(biāo)簽:動(dòng)力電池新能源汽車IGBT 4904 0
IGBT認(rèn)識(shí):電力系統(tǒng)的開關(guān)死區(qū)的原理、意義和計(jì)算
死區(qū)時(shí)間,也**稱為互鎖延時(shí)時(shí)間(互鎖:即互相掣肘,對(duì)開關(guān)管來說就是Q1開通時(shí)候,Q2通過結(jié)合Q1控制邏輯必須關(guān)閉)
2023-11-21 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT脈沖變壓器 4895 0
IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動(dòng),利用最新的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動(dòng)電路、控制電路和保護(hù)電路高度集成在一起的模塊。其類別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功...
對(duì)于本文所述的半導(dǎo)體,該值大約是一半的斷態(tài)重復(fù)峰值電壓。這對(duì)100fit(單位時(shí)間間隔內(nèi)的失效次數(shù);1fit=每小時(shí)失效1小時(shí)失-9次,即,器件工作10...
汽車功率電子組件(例如IGBT)的設(shè)計(jì)必須能負(fù)荷數(shù)千小時(shí)的工作時(shí)間和上百萬次的功率循環(huán),同時(shí)得承受高達(dá) 200℃的溫度。因此產(chǎn)品的可靠性特別關(guān)鍵,而同時(shí)...
2016-01-08 標(biāo)簽:汽車電子IGBT功率循環(huán)測(cè)試 4865 0
基于IGBT技術(shù)實(shí)現(xiàn)反并聯(lián)二極管的正確設(shè)計(jì)
二極管的反向恢復(fù)電荷Qrr與正向壓降Vf的關(guān)系曲線可以表示出二極管的特性。這意味著,原則上該曲線上的每一個(gè)點(diǎn)都能實(shí)現(xiàn),如圖1所示。因此,可以設(shè)計(jì)出低Qr...
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