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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

IGBT模塊在三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器中的典型應(yīng)用案例如下圖,主要包含了整流、IGBT主電路、驅(qū)動(dòng)保護(hù)、PWM產(chǎn)生及控制電路,電流電壓反饋電路等。

2024-10-25 標(biāo)簽:模塊PWM逆變器 5090 0

雙脈沖測(cè)試是否能夠反映器件在真實(shí)換流中的各種電應(yīng)力

大家好,前段時(shí)間在知乎上看到有個(gè)網(wǎng)友問:“在大功率變頻器應(yīng)用中,我們常用雙脈沖測(cè)試評(píng)估器件的動(dòng)態(tài)特征,在實(shí)際中有可比性嗎?”感覺這個(gè)問題提的比較好,也是...

2022-04-15 標(biāo)簽:測(cè)試逆變器IGBT 5074 0

IGBT雙脈沖測(cè)試的實(shí)測(cè)原理及電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

IGBT雙脈沖測(cè)試的實(shí)測(cè)原理及電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

通常我們對(duì)某款I(lǐng)GBT的認(rèn)識(shí)主要是通過閱讀相應(yīng)的datasheet,數(shù)據(jù)手冊(cè)中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測(cè)試得來的,而實(shí)際應(yīng)用中的外部...

2023-11-24 標(biāo)簽:示波器IGBT續(xù)流二極管 5071 0

淺談汽車PTC模塊中用低側(cè)驅(qū)動(dòng)器IC的作用分析

淺談汽車PTC模塊中用低側(cè)驅(qū)動(dòng)器IC的作用分析

分立式電路的一個(gè)顯著缺點(diǎn)是它不提供保護(hù),而柵極驅(qū)動(dòng)器IC集成了對(duì)于確保可預(yù)測(cè)和穩(wěn)定的柵極驅(qū)動(dòng)非常重要的功能。

2021-05-31 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電源開關(guān) 5055 0

分析和比較驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)和功率回路耦合特性對(duì)于并聯(lián)IGBT均流特性的影響

分析和比較驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)和功率回路耦合特性對(duì)于并聯(lián)IGBT均流特性的影響

本文作者北京交通大學(xué)電氣工程學(xué)院穆峰,劉宜鑫,賈靜雯,郝欣,楊勇,黃先進(jìn) 摘要:隨著電力電子應(yīng)用越發(fā)趨于高壓與高功率密度,單個(gè)模塊已經(jīng)無法滿足其需求,功...

2021-02-14 標(biāo)簽:耦合IGBT功率 5042 0

淺談IGBT去硅凝膠方法及注意事項(xiàng)

淺談IGBT去硅凝膠方法及注意事項(xiàng)

如果要縮短溶解時(shí)間,可以預(yù)先用物理方式去除部分表面的硅膠,但需要有較好的控制,以免對(duì)鍵合引線或者芯片造成損傷;如果是較小的模塊,不建議物理去除。

2023-06-10 標(biāo)簽:IGBT 5041 0

主要討論P(yáng)WM比較器的Simulink模型

主要討論P(yáng)WM比較器的Simulink模型

輸入的是三相的正弦波信號(hào),三角載波與正弦信號(hào)波進(jìn)行比較,當(dāng)正弦信號(hào)波的值大于三角載波的值,輸出“1”,否則,就輸出“0”;

2023-06-27 標(biāo)簽:IGBT三相逆變器PWM比較器 5036 0

全方位了解IGBT的基礎(chǔ)知識(shí)

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有關(guān)IGBT你了解多少,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和...

2013-04-16 標(biāo)簽:IGBT功率器件 5034 1

各種最經(jīng)典的IGBT電路賞析和保護(hù)方案,IGBT靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性是什么?

各種最經(jīng)典的IGBT電路賞析和保護(hù)方案,IGBT靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性是什么?

M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動(dòng)電路采用雙電源(+15V,-10V)供電,輸出負(fù)偏壓為-10V,輸入輸出電平與TTL電平兼容,配有短路/過載保護(hù)和...

2017-05-17 標(biāo)簽:二極管電阻igbt 5031 0

聊一聊關(guān)于碳化硅雙脈沖測(cè)試中遇到的串?dāng)_問題

聊一聊關(guān)于碳化硅雙脈沖測(cè)試中遇到的串?dāng)_問題

碳化硅具有更快的切換速度(更短的切換時(shí)間),較低的損耗,更高的開關(guān)頻率,更高的耐壓能力以及更好的溫度特性,相應(yīng)地帶來效率的替身,系統(tǒng)磁性元器件減小,功率...

2023-08-27 標(biāo)簽:二極管IGBTSiC 4986 0

變頻器IGBT模塊損壞的維修方法

變頻器(VFD)在運(yùn)行時(shí)突然發(fā)出爆炸聲,同時(shí)外部保險(xiǎn)絲燒斷,拆機(jī)時(shí)發(fā)現(xiàn)VFD的igbt模塊損壞。測(cè)試相關(guān)板卡后發(fā)現(xiàn)igbt觸發(fā)電路損壞,其他板卡正常。在...

2023-02-11 標(biāo)簽:變頻器IGBT 4984 0

IGBT模塊的結(jié)構(gòu)構(gòu)成示意圖分析

IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成,如金屬、陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來改善器件相關(guān)熱性能的硅膠。它們的熱膨脹系數(shù)以及熱導(dǎo)率存在很大的差異,...

2023-03-20 標(biāo)簽:IGBT功率器件DBC 4971 0

常見的MOSFET以及IGBT絕緣柵極隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)解析

常見的MOSFET以及IGBT絕緣柵極隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)解析

MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu),直流電不能通過,因而低頻的表態(tài)驅(qū)動(dòng)功率接近于零。但是柵極和源極之...

2019-07-03 標(biāo)簽:MOSFETIGBT隔離驅(qū)動(dòng) 4936 0

常見的汽車IGBT模塊封裝類型有哪些?

常見的汽車IGBT模塊封裝類型有哪些?

IGBT行業(yè)的門檻非常高。除了芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn),IGBT模塊封裝測(cè)試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求。

2023-12-07 標(biāo)簽:動(dòng)力電池新能源汽車IGBT 4904 0

IGBT認(rèn)識(shí):電力系統(tǒng)的開關(guān)死區(qū)的原理、意義和計(jì)算

IGBT認(rèn)識(shí):電力系統(tǒng)的開關(guān)死區(qū)的原理、意義和計(jì)算

死區(qū)時(shí)間,也**稱為互鎖延時(shí)時(shí)間(互鎖:即互相掣肘,對(duì)開關(guān)管來說就是Q1開通時(shí)候,Q2通過結(jié)合Q1控制邏輯必須關(guān)閉)

2023-11-21 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT脈沖變壓器 4895 0

IGBT功率模塊是什么?

IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動(dòng),利用最新的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動(dòng)電路、控制電路和保護(hù)電路高度集成在一起的模塊。其類別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功...

2023-02-22 標(biāo)簽:封裝技術(shù)IGBT功率模塊 4888 0

大功率晶閘管參數(shù)解析之正向特性

大功率晶閘管參數(shù)解析之正向特性

對(duì)于本文所述的半導(dǎo)體,該值大約是一半的斷態(tài)重復(fù)峰值電壓。這對(duì)100fit(單位時(shí)間間隔內(nèi)的失效次數(shù);1fit=每小時(shí)失效1小時(shí)失-9次,即,器件工作10...

2021-08-13 標(biāo)簽:大功率晶閘管IGBT 4872 0

功率循環(huán)測(cè)試助力車用IGBT性能提升

功率循環(huán)測(cè)試助力車用IGBT性能提升

汽車功率電子組件(例如IGBT)的設(shè)計(jì)必須能負(fù)荷數(shù)千小時(shí)的工作時(shí)間和上百萬次的功率循環(huán),同時(shí)得承受高達(dá) 200℃的溫度。因此產(chǎn)品的可靠性特別關(guān)鍵,而同時(shí)...

2016-01-08 標(biāo)簽:汽車電子IGBT功率循環(huán)測(cè)試 4865 0

基于IGBT技術(shù)實(shí)現(xiàn)反并聯(lián)二極管的正確設(shè)計(jì)

基于IGBT技術(shù)實(shí)現(xiàn)反并聯(lián)二極管的正確設(shè)計(jì)

二極管的反向恢復(fù)電荷Qrr與正向壓降Vf的關(guān)系曲線可以表示出二極管的特性。這意味著,原則上該曲線上的每一個(gè)點(diǎn)都能實(shí)現(xiàn),如圖1所示。因此,可以設(shè)計(jì)出低Qr...

2020-07-23 標(biāo)簽:芯片二極管igbt 4850 0

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    IOT
    +關(guān)注
    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場(chǎng)總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場(chǎng)合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    光立方
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    光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的,在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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    光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成,光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說,光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換,發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào),通過光纖傳送后,接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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