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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

全橋直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器的的高性能電源控制

作者:Maurizio Di Paolo Emilio 近年來(lái),電力電子半導(dǎo)體市場(chǎng)迅速增長(zhǎng),這主要?dú)w功于用于電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車(EV / HEV)和電機(jī)...

2021-05-20 標(biāo)簽:穩(wěn)壓器led驅(qū)動(dòng)器IGBT 3209 0

高頻電源igbt溫度高怎么處理

高頻電源是一種利用高頻開關(guān)技術(shù)實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的電源設(shè)備,廣泛應(yīng)用于通信、電力、工業(yè)、醫(yī)療等領(lǐng)域。在高頻電源的運(yùn)行過(guò)程中,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為核...

2024-08-07 標(biāo)簽:IGBT高頻電源電源設(shè)備 3201 0

什么是二極管的反向恢復(fù)

什么是二極管的反向恢復(fù)

IGBT的續(xù)流二極管是個(gè)很有意思的東西,對(duì)模塊整體的性能影響很大,今天就聊聊它。

2024-10-15 標(biāo)簽:IGBTPN結(jié)快恢復(fù)二極管 3199 0

如何計(jì)算IGBT的損耗?

如何計(jì)算IGBT的損耗?

今天作者就幫大家打開這個(gè)黑盒子,詳細(xì)介紹一下IGBT損耗計(jì)算方法同時(shí)一起復(fù)習(xí)一下高等數(shù)學(xué)知識(shí)。

2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT高等數(shù)學(xué)損耗計(jì)算 3195 0

聊一聊一種具有雙向阻斷能力的逆阻型IGBT

聊一聊一種具有雙向阻斷能力的逆阻型IGBT

一般情況下,常見的IGBT主要定義的是其正向阻斷電壓,而反向阻斷電壓一般不會(huì)在Datasheet中被提及到,這是因?yàn)镮GBT通常會(huì)反并聯(lián)續(xù)流二極管

2023-05-25 標(biāo)簽:變換器IGBT續(xù)流二極管 3194 0

電機(jī)驅(qū)動(dòng)中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景

電機(jī)驅(qū)動(dòng)中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景

通過(guò)采用電子馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的增強(qiáng)型控制,此類驅(qū)動(dòng)器通常會(huì)產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來(lái)控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動(dòng)器采用...

2021-07-04 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT柵極 3189 0

汽車IGBT模塊功率循環(huán)壽命研究

汽車IGBT模塊功率循環(huán)壽命研究

針對(duì)汽車 IGBT 模塊的主要失效原理和引線鍵合壽命短板,結(jié)合仿真分析進(jìn)行了功率循環(huán)試驗(yàn)設(shè)計(jì),結(jié)溫差 ΔTj 和流經(jīng)鍵合線的電流 IC 是影響鍵合點(diǎn)壽命...

2023-08-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車模塊仿真 3173 0

IGBT模塊參數(shù)之NTC熱敏電阻

IGBT模塊參數(shù)之NTC熱敏電阻

IGBT結(jié)溫是功率電子器件最重要的參數(shù)之一,器件在運(yùn)行中測(cè)量此溫度是非常困難的。一個(gè)方法是通過(guò)使用IGBT模塊內(nèi)部的NTC(熱敏電阻)近似估計(jì)芯片穩(wěn)定工...

2023-08-11 標(biāo)簽:熱敏電阻NTCIGBT 3161 0

大功率電力電子器件散熱研究綜述

大功率電力電子器件散熱研究綜述

針對(duì)現(xiàn)階段制約電力電子技術(shù)發(fā)展的散熱問題,以溫度對(duì)電力電子器件的影響、電力電子設(shè)備熱設(shè)計(jì)特點(diǎn)、常見散熱技術(shù)、散熱系統(tǒng)優(yōu)化研究和新材料在電力電子散熱研究中...

2023-11-07 標(biāo)簽:大功率電力電子器件IGBT 3153 0

又是碳化硅(SiC),它到底好在哪里?

又是碳化硅(SiC),它到底好在哪里?

碳化硅和氮化鎵技術(shù)的“甜區(qū)”在哪里?

2021-06-02 標(biāo)簽:MOSFET逆變器IGBT 3143 0

工業(yè)、EV、軌道交通用IGBT模塊的選材及封裝工藝對(duì)比

工業(yè)、EV、軌道交通用IGBT模塊的選材及封裝工藝對(duì)比

由下圖我們可以看到,外殼選材上,工業(yè)用IGBT模塊外殼一般采用通用型PBT材料,EV用IGBT模塊外殼采用增強(qiáng)型PBT材料,軌道交通用IGBT模塊外殼采...

2023-05-04 標(biāo)簽:模塊IGBT功率密度 3140 0

RC-IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理及優(yōu)勢(shì)

RC-IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理及優(yōu)勢(shì)

因?yàn)镮GBT大部分應(yīng)用場(chǎng)景都是感性負(fù)載,在IGBT關(guān)斷的時(shí)候,感性負(fù)載會(huì)產(chǎn)生很大的反向電流,IGBT不能反向?qū)ǎ枰贗GBT的兩端并聯(lián)一個(gè)快速恢復(fù)二...

2024-10-15 標(biāo)簽:二極管IGBT晶體管 3140 0

IGBT單管及IGBT模塊的區(qū)別在哪?

IGBT最常見的形式其實(shí)是模塊(Module),而不是單管。

2023-12-08 標(biāo)簽:IGBT晶體管PFC 3140 0

電動(dòng)汽車充電站電源模塊設(shè)計(jì)方案

電動(dòng)汽車充電站電源模塊設(shè)計(jì)方案

分析了移相全橋變換器的工作原理,提出一種安全可靠的IGBT驅(qū)動(dòng)電路。據(jù)此設(shè)計(jì)了一種面向電動(dòng)汽車充電站應(yīng)用的電源模塊,該電源模塊具有恒壓和恒流兩種輸出方式...

2025-05-23 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT電源模塊 3139 0

絕緣柵雙極型晶體管IGBT工藝仿真

絕緣柵雙極型晶體管IGBT工藝仿真

MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管部分載流子累積又使得此復(fù)合結(jié)構(gòu)中 BJT 部分的基極驅(qū)動(dòng)電流顯著增加,二者協(xié)同工作,從而改善了整個(gè)器件的特性。

2023-04-24 標(biāo)簽:IGBTMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3133 0

納芯微單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器NSi66x1A和NSi6601M發(fā)布

納芯微單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器兩款新品NSi66x1A和NSi6601M雙雙發(fā)布,均適用于驅(qū)動(dòng)SiC,IGBT和MOSFET等功率管,兼具車規(guī)(滿足AEC...

2022-07-22 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器納芯微 3132 0

有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)和無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)一樣嗎?怎么驅(qū)動(dòng)大功率直流電機(jī)?

有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)和無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)的原理是不同的,因此,在驅(qū)動(dòng)方式上也存在較大的差異。

2023-04-01 標(biāo)簽:IGBTESC有刷直流電機(jī) 3129 0

SVPWM原理推導(dǎo)與Mathcad建模控制實(shí)現(xiàn)

SVPWM原理推導(dǎo)與Mathcad建模控制實(shí)現(xiàn)

SVPWM是變流器控制基礎(chǔ),其實(shí)現(xiàn)流程大致為,判斷合成矢量所在扇區(qū),計(jì)算相鄰矢量作用時(shí)間,計(jì)算各橋臂導(dǎo)通時(shí)間,得到各相PWM占空比,更新相應(yīng)寄存器值。

2023-07-10 標(biāo)簽:寄存器IGBTSVPWM 3122 0

焊點(diǎn)空洞產(chǎn)生的原因及其危害

焊點(diǎn)空洞產(chǎn)生的原因及其危害

隨著電子產(chǎn)品的集成度越來(lái)越高,器件的單位功率也越來(lái)越大,特別是在5G通信、汽車電子.軌道交通、光伏、軍工航天等領(lǐng)域,大功率晶體管、射頻元件、LED、IG...

2024-01-19 標(biāo)簽:pcbMOSFETIGBT 3122 0

為什么說(shuō)IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件?它們有何區(qū)別和聯(lián)系?

為什么說(shuō)IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件?它們有何區(qū)別和聯(lián)系?

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)...

2023-11-24 標(biāo)簽:MOSFETIGBTBJT 3115 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    CD4046
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    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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