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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3051個 瀏覽：253915次 帖子：482個

      igbt技術

      為什么要標準化模塊化電驅呢？如何做好電驅動的標準化模塊化？

      電機的結構，主要是轉子和定子。轉子是線圈，就是感應電機；轉子是永磁體，就是永磁同步電機。

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      為了確保高水平的功能安全以保護車輛操作員以及第一代系統，使能套件中包含系統級功能安全白皮書、設備FMEDA和功能安全運行時框架，適用于ASIL C/D ...

      2023-03-25 標簽：驅動器IGBT功率逆變器 2865 0

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      IGBT模塊中通常都會在陶瓷基板（DBC）上設有熱敏電阻（NTC或PTC，由于NTC較為常用，以下統稱NTC）用于溫度檢測，如圖1所示。在實際應用中，工...

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      IGBT中的MOS結構—輸入電容（上）

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