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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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IGBT雙脈沖仿真—脈沖寬度、負(fù)柵極電壓、發(fā)射極寄生電感的影響
階段2(tl—t2):在t1時(shí)刻,VGE>Vth,溝道開啟,電子開始通過溝道注入到基區(qū),同時(shí)背面的集電極開始向基區(qū)內(nèi)注入空穴,集電極開始產(chǎn)生電流I...
今年以來,國外某些國家仍然在拉動其盟友在對中國的半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行打擊,意味著國產(chǎn)化半導(dǎo)體的進(jìn)程將進(jìn)一步加速。如今在國內(nèi),是否有純國產(chǎn)的IGBT單管生產(chǎn)廠家...
飛虹半導(dǎo)體IGBT單管在逆變器中的應(yīng)用
逆變器在不僅在家庭、工業(yè)、交通的領(lǐng)域進(jìn)行應(yīng)用,而且還在太陽能、風(fēng)能、電池等新能源領(lǐng)域應(yīng)用越來越廣泛。逆變器的廣泛應(yīng)用意味著IGBT作為其核心元器件,也會...
飛虹半導(dǎo)體IGBT單管在電焊機(jī)中的應(yīng)用
IGBT在逆變焊機(jī)中能將逆變電路的直流電變成幾十khz的交流電,經(jīng)過主變壓器降壓后,再經(jīng)過整流濾波獲得平穩(wěn)的直流輸出焊接電流,讓電焊機(jī)的功能得到極大的提...
BLDC電機(jī)常用IGBT:適用各類家電優(yōu)選IGBT單管
BLDC電機(jī)不管在工業(yè)用還是家用領(lǐng)域的滲透率都在持續(xù)提升,除傳統(tǒng)的電動工具、吸塵器、小家電外,還有汽車、電動兩輪車、高速風(fēng)筒等都是不斷在提升的。
2023-07-13 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動IGBT驅(qū)動電路 778 0
IGBT是雙極型三極管和MOS管結(jié)合在一起的產(chǎn)物,雙極型三極管具有低頻(10KHz以下)大電流能力,MOSFET具有高頻(100KHz以上)小電流特點(diǎn)。
2023-07-13 標(biāo)簽:三極管IC設(shè)計(jì)MOS管 2236 0
電機(jī)控制器的功率模塊,即IGBT器件和續(xù)流二極管,在開關(guān)和導(dǎo)通電流會產(chǎn)生損耗,損失的能量會轉(zhuǎn)化成熱能,表現(xiàn)為功率模塊發(fā)熱。
階段6(t6—t7):在t6時(shí)刻,VCE下降到使IGBT進(jìn)入飽和狀態(tài),柵極反射極電壓增加以維持IL,當(dāng)VCE衰減穩(wěn)定后,穩(wěn)定值即為飽和導(dǎo)通壓降VCE(s...
在IGBT開關(guān)過程中通常用開通延遲td(on)、關(guān)斷延遲td(off)、上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf來進(jìn)行描述。圖5是IGBT整個開關(guān)過程的波形。
看完后,搞懂開關(guān)電源設(shè)計(jì)的這些指標(biāo)一點(diǎn)都不難!
中國一般是220V,由于電網(wǎng)電壓的不穩(wěn)定,很多時(shí)候要求寬電壓輸入,所以會設(shè)計(jì)成90-270V都能正常工作。通常美國用電范圍為110-130V,日本用電范...
2023-07-11 標(biāo)簽:變壓器開關(guān)電源MOS管 2233 0
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