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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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如下圖自舉電路僅僅需要一個(gè)15~18V的電源來(lái)給逆變器的驅(qū)動(dòng)級(jí)提供能量,所有半橋底部IGBT都與這個(gè)電源直接相連,半橋上部IGBT的驅(qū)動(dòng)器通過(guò)電阻Rbo...
變頻器的風(fēng)扇不轉(zhuǎn)了到底會(huì)不會(huì)影響變頻器?
會(huì)嚴(yán)重影響變頻器的正常工作。變頻器內(nèi)部的核心器件都是(IGBT)電力半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元器件,正常工作時(shí),它們都會(huì)產(chǎn)生大量熱能,如果沒(méi)有風(fēng)扇強(qiáng)制散熱,它的感溫頭...
MOS管是一種基于金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件,也被稱為MOSFET(MOS場(chǎng)效應(yīng)管),是現(xiàn)代電子技術(shù)中應(yīng)用最廣泛的晶體管之一。
2023-02-25 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管NMOS 1.7萬(wàn) 0
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用舉例
IGBT的驅(qū)動(dòng)電路必須具備兩種功能:一是實(shí)現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動(dòng)IGBT柵極的電位隔離;二是提供合適的柵極驅(qū)動(dòng)脈沖。實(shí)現(xiàn)電位隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓...
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 1.6萬(wàn) 0
IGBT動(dòng)態(tài)雪崩產(chǎn)生機(jī)制_IGBT動(dòng)態(tài)雪崩的抑制方法
在動(dòng)態(tài)關(guān)斷過(guò)程中,器件內(nèi)部所發(fā)生的由電流控制的受自由載流子濃度影響的碰撞電離現(xiàn)象。
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 1.6萬(wàn) 0
IGBT就是一個(gè)開(kāi)關(guān),非通即斷,如何控制他的通還是斷,就是靠的是柵源極的電壓,當(dāng)柵源極加+12V(大于6V,一般取12V到15V)時(shí)IGBT導(dǎo)通,柵源...
2017-06-05 標(biāo)簽:igbt 1.6萬(wàn) 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導(dǎo)體器件,在電力電子領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。在IGBT的開(kāi)關(guān)過(guò)程中,上下橋臂的關(guān)斷尖峰現(xiàn)象是影響器件性能和可靠性的重要因素。
2024-05-29 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 1.6萬(wàn) 0
詳解IGBT的驅(qū)動(dòng)電路及短路保護(hù)設(shè)計(jì)
IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度...
2024-02-17 標(biāo)簽:MOSFETIGBT驅(qū)動(dòng)電路 1.6萬(wàn) 0
烈日炎炎的天氣是變頻器發(fā)熱的硬傷,現(xiàn)有大批研究及實(shí)踐表明變頻器的故障率會(huì)隨溫度的升高而上升,使用壽命隨溫度的升高而下降,環(huán)境溫度升高10℃,變頻器使用壽...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入...
IGBT通用計(jì)算方法,IGBT門(mén)極驅(qū)動(dòng)是什么意思,工作原理是什么?
HCPL316J 可以驅(qū)動(dòng) 150 A/1200 V 的 IGBT ,光耦隔離, COMS/TTL 電平兼容,過(guò)流軟關(guān)斷,最大開(kāi)關(guān)速度 500 ns ,...
IGCT和IGBT之間的主要區(qū)別在于IGCT可以提供更高的效率和更低的損耗,而IGBT可以提供更高的功率密度和更低的噪聲。此外,IGCT可以提供更高的...
IGBT模塊的原理及測(cè)量判斷方法 GBT模塊的原理及測(cè)量判斷方法 本文以介紹由單只 IGBT 管子或雙管做成的逆變模塊及其有關(guān)測(cè)盈和判斷好壞的方法。場(chǎng)效...
2018-05-18 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管igbt 1.6萬(wàn) 0
IGBT模塊損壞修復(fù)方案與IGBT焊機(jī)報(bào)錯(cuò)修復(fù)方案分析
可通過(guò)降額使用,加大散熱器,涂敷導(dǎo)熱膠,強(qiáng)制風(fēng)扇冷卻,設(shè)置過(guò)溫度保護(hù)等方法來(lái)解決過(guò)熱損壞問(wèn)題。在安裝或更換IGBT時(shí),應(yīng)十分重視IGBT與散熱片的接觸面...
變頻器在設(shè)計(jì)上不斷的推陳出新,為了提高功率密度并降低成本,工程師更是絞盡腦汁。IGBT(絕緣柵型雙極性晶體管)在變頻器里屬于關(guān)鍵器件,其選型和損耗直接關(guān)...
2022-06-29 標(biāo)簽:IGBT 1.5萬(wàn) 0
什么是過(guò)調(diào)制?PWM過(guò)調(diào)制有什么好處?
通常,我們用的SVPWM是在上圖中的白色內(nèi)圓里,輸出的相電壓幅值能到Vdc/sqrt(3)。這塊區(qū)域叫線性區(qū),線性的意思是給定電壓和輸出電壓完全成比例關(guān)系。
2023-07-07 標(biāo)簽:IGBT調(diào)節(jié)器SVPWM 1.5萬(wàn) 0
什么是IGBT? IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),是由BJT(Bipolar J...
2021-02-27 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBT晶體管 1.5萬(wàn) 0
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