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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)幾個(gè)方面的不同
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開(kāi)通電壓、GS關(guān)斷電壓、短...
IGBT,電力電子的CPU!小小功率半導(dǎo)體器件,卻在很多電力電子相關(guān)的領(lǐng)域發(fā)揮著巨大的作用。近年來(lái),IGBT發(fā)展迅猛,英飛凌以及日本廠商不斷針對(duì)各類應(yīng)用...
2020-10-27 標(biāo)簽:IGBT 2.5萬(wàn) 0
對(duì)新能源車來(lái)說(shuō),電池、VCU、BSM、電機(jī)效率都缺乏提升空間,最有提升空間的當(dāng)屬電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分,而電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分最核心的元件IGBT(Insulated G...
逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的設(shè)備,它的主要原理是利用半導(dǎo)體器件(如場(chǎng)效應(yīng)管或晶閘管等)的開(kāi)關(guān)特性,通過(guò)快速切換來(lái)控制電源電壓和電流,從而實(shí)現(xiàn)將直流...
2023-06-28 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管逆變器 2.4萬(wàn) 0
從一開(kāi)始的TO-247封裝的IGBT單管并聯(lián),到單管電流等級(jí)需求優(yōu)化的TO-247Plus封裝的IGBT并聯(lián),到如今的TPAK封裝,可以說(shuō)將單管并聯(lián)方式...
常用的功率開(kāi)關(guān)有晶閘管、IGBT、場(chǎng)效應(yīng)管等。其中,晶閘管(可控硅)的開(kāi)關(guān)頻率最低約1000次/秒左右,一般不適用于高頻工作的開(kāi)關(guān)電路。
IGBT的開(kāi)關(guān)頻率不是算出來(lái)的,只能是在變頻電源生產(chǎn)廠家生產(chǎn)時(shí)測(cè)試它工作的最高頻率,正常時(shí)候,我們使用之前都需要先確定讓其大概工作在多少頻率段,并經(jīng)過(guò)實(shí)...
2023-02-26 標(biāo)簽:IGBT變頻電源開(kāi)關(guān)頻率 2.4萬(wàn) 0
搞電力電子的應(yīng)該都知道IGBT和MOSFET屬于全控型電力電子器件,在應(yīng)用的時(shí)候把它當(dāng)作一個(gè)開(kāi)關(guān)就可以了,但估計(jì)很少人能夠說(shuō)出IGBT和MOSFET工作...
漏極電流的下降時(shí)間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成,而總的關(guān)斷時(shí)間可以稱為toff=td(off)+trv十t(f),td(off)+trv之...
IGBT封裝流程及其原理分析,簡(jiǎn)潔明了的告訴你如何測(cè)試IGBT
散熱管理設(shè)計(jì)方面,通過(guò)采用封裝的熱模擬技術(shù),優(yōu)化了芯片布局及尺寸,從而在相同的ΔTjc條件下,成功實(shí)現(xiàn)了比原來(lái)高約10%的輸出功率。
圖5-14所示是采用IGBT過(guò)流時(shí)UCE增大的原理構(gòu)成的保護(hù)電路,該電路采用IGBT專用驅(qū)動(dòng)器EXB841。
2024-05-24 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器比較器IGBT 2.2萬(wàn) 0
利用有源米勒鉗位技術(shù)有效緩解緩米勒效應(yīng)
當(dāng)IGBT在開(kāi)關(guān)時(shí)普遍會(huì)遇到的一個(gè)問(wèn)題即寄生米勒電容開(kāi)通期間的米勒平臺(tái)。米勒效應(yīng)在單電源門(mén)極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中影響是很明顯的?;陂T(mén)極G與集電極C之間的耦合,...
全面解析BJT、FET、JFET、MOSFET、IGBT晶體管
晶體管是一種三端半導(dǎo)體器件,用于開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。其輸入端的小電流或電壓可用于控制非常高的輸出電壓或電流。
IGBT的三種安全工作區(qū)(FBSOA/RBSOA/SCSOA)
失效器件送到原廠做FA分析,看到的字眼通常包含over voltage,over current,short circuit,EOS等,但是,其失效的深...
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT過(guò)流和短路保護(hù)的問(wèn)題及處理方法
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是:更高的 短路電...
2016-10-09 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT短路保護(hù) 2.2萬(wàn) 0
淺析IGBT并聯(lián)技術(shù)-并聯(lián)方法分類
IGBT并聯(lián)可以分為“硬并聯(lián)”及“橋臂并聯(lián)”2大類。
2024-05-17 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBTbuck電路 2.2萬(wàn) 0
IGBT應(yīng)用電子電路設(shè)計(jì)集錦—電路精選(48)
GBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗...
2017-02-04 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路半導(dǎo)體器件 2.0萬(wàn) 0
MOS管,IGBT,以及三極管他們有什么區(qū)別?正向單流柵極IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)
在低壓下 igbt相對(duì)mos管在電性能和價(jià)格上都沒(méi)有優(yōu)勢(shì),所以基本上看不到低壓igbt,并不是低壓的造不出來(lái),而是毫無(wú)性價(jià)比。在600v以上,igbt的...
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