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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達(dá)的今天,各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中,為我們的生活帶來(lái)便利,那么你知道這些高科技可能會(huì)含有的電源適配器嗎?
MOS管損耗的8個(gè)組成部分在器件設(shè)計(jì)選擇過(guò)程中需要對(duì)MOSFET的工作過(guò)程損耗進(jìn)行先期計(jì)算(所謂先期計(jì)算是指在沒(méi)能夠測(cè)試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格...
2025-02-11 標(biāo)簽:負(fù)載電流開關(guān)電源電壓 2299 0
三級(jí)降壓轉(zhuǎn)換器(3-Level Buck Converter)是在傳統(tǒng)2-Level Buck拓?fù)涞幕A(chǔ)上, 加入了Cfly電容以和兩顆MOS。通過(guò)在輸...
2023-03-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器BUCK電壓 2275 0
MOS結(jié)構(gòu)加上一對(duì)背靠背的PN結(jié),就構(gòu)成一個(gè)MOSFET。如果MOS結(jié)構(gòu)在零柵壓時(shí)半導(dǎo)體表面不是反型的,此時(shí)由于PN結(jié)的反向截止效果,源漏之間不會(huì)導(dǎo)通。...
射頻回路包括哪幾部分構(gòu)成 射頻回路加mos的作用大嗎
射頻電路指處理信號(hào)的電磁波長(zhǎng)與電路或器件尺寸處于同一數(shù)量級(jí)的電路。此時(shí)由于器件尺寸和導(dǎo)線尺寸的關(guān)系,電路需要用分布參數(shù)的相關(guān)理論來(lái)處理,這類電路都可以認(rèn)...
MOT03/252024什么是MOS管?MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Ox...
Buck電路工作原理 電源閉合時(shí)電壓會(huì)快速增加,當(dāng)斷開時(shí)電壓會(huì)快速減小,如果開關(guān)速度足夠快的話,是不是就能把負(fù)載,控制在想要的電壓值以內(nèi)呢? 假設(shè)12V...
電路在電子領(lǐng)域非常重要。從調(diào)節(jié)電流到應(yīng)用的優(yōu)良性能,電路對(duì)于我們常規(guī)電子產(chǎn)品的耐用性至關(guān)重要。其中,我們要討論的是穩(wěn)壓電路7805。
RS瑞森半導(dǎo)體高壓MOS在開關(guān)電源中的應(yīng)用
瑞森高壓MOS采用新型橫向變摻雜技術(shù),專有功率MOS結(jié)構(gòu),高溫特性優(yōu)良,為開關(guān)電源開發(fā)提供最佳選擇。
2022-11-10 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS 2186 0
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,晶體管是實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大、開關(guān)控制等功能的關(guān)鍵元件。隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展,晶體管的尺寸不斷縮小,性能不斷提升。3MOS和4MOS作為兩種...
ACM5807是一款同步升壓控制器,同步升壓效率高,對(duì)于大功率應(yīng)用非常重要。升壓范圍在5-36V,更寬的電壓符合大部分應(yīng)用。
2024-03-29 標(biāo)簽:電壓MOS電源系統(tǒng) 2136 0
電源反接保護(hù)電路:MOS、自恢復(fù)保險(xiǎn)絲過(guò)流
自恢復(fù)保險(xiǎn)絲+二極管,防反接防過(guò)流,缺點(diǎn),自恢復(fù)保險(xiǎn)絲有個(gè)0.1V左右的壓降,大電流會(huì)發(fā)熱,而且大電流的自恢復(fù)保險(xiǎn)絲太貴mos防反接,成本低,壓降小,可...
2025-01-07 標(biāo)簽:電源反接保護(hù)電路自恢復(fù)保險(xiǎn)絲 2111 0
碳化硅MOSFET在新能源行業(yè)有怎樣的應(yīng)用和發(fā)展
在碳化硅電力電子器件的研究中,SiC-MOSFET是最受關(guān)注的器件。在Si材料接近理論性能極限的今天,SiC功率器件由于具有耐壓高、損耗低、效率高等特點(diǎn)...
低延時(shí)的驅(qū)動(dòng)單元將功率管的柵極電壓拉低,達(dá)到限制Power NMOS電流的大小的目的
電機(jī)控制器中的功率MOS驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
通用MCU或DSP的IO電壓通常是5V3.3V,IO的電流輸出能力在20MA以下,不足以直接驅(qū)動(dòng)功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP來(lái)設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)...
2023-07-25 標(biāo)簽:mcuMOSFET驅(qū)動(dòng)器 2079 0
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