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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系...
碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類，無論是作為單晶還是陶瓷，碳化硅材料目前已成為半導體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關鍵材料之一。圖片來源：Pixa...
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對碳化硅技術進行商業化應用時，需要持續關注材料缺陷、器件可靠性和相關封裝技術。本文還將向研究人員和專業人士介紹一些實用知識，幫助了解碳化硅如何為功率半導...
本文將介紹如何根據開關波形計算使用了SiC MOSFET的開關電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線性近似的有效范圍內對開關波形進行分割，并使...
亞非拉市場工商業儲能破局之道：基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網不穩環境量身定制的技術革新 傾佳電子楊茜致力于推動...
半導體器件作為現代電子技術的核心元件，廣泛應用于集成電路、消費電子及工業設備等場景，其性能直接影響智能終端與裝備的運行效能。以氮化鎵（GaN）和碳化硅（...
碳化硅MOS驅動電壓選擇15V還是18V，是電力電子設計中的關鍵權衡問題。這兩種電壓對器件的導通損耗、開關特性、熱管理和系統可靠性有顯著影響。
隨著電力電子技術向高頻、高效、高功率密度方向發展，碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等功率器件在眾多領域得到廣泛應用。在這些功率器件的封裝...
-回答星友xuu的提問，關于SiC功率器件在純電動卡車中的應用解析-文字原創，素材來源：各廠商，網絡-本篇為知識星球節選，完整版報告與解讀在知識星球發布...
在電力電子領域，當多個SiC MOSFET模塊并聯時，受器件參數、寄生參數等因素影響，會出現動態電流不均的問題，制約系統性能。本章節帶你探究SiC MO...
ADuM4177具有擺率控制和BIST功能的40 A拉電流和30 A灌電流SiC隔離式柵極驅動器技術手冊
ADuM4177是一款高性能隔離式柵極驅動器，采用ADI公司的*i*Coupler ^?^ 技術，提供5.7 kV RMS隔離。ADuM4177采用28...
碳化硅功率半導體在光伏、充電、電動汽車等行業得到了廣泛應用，其潛力毋庸置疑。然而，從當前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實現平衡性能...
SiC MOSFET并聯運行實現靜態均流的基本要求和注意事項
通過并聯SiC MOSFET功率器件，可以獲得更高輸出電流，滿足更大功率系統的要求。本章節主要介紹了SiC MOSFET并聯運行實現靜態均流的基本要求和...
UCC5390-Q1 汽車級 17-A 5kv RMS 單通道隔離式柵極驅動器數據手冊
UCC5390-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅動器，具有 10A 拉電流和 10A 灌電流峰值電流，設計用于驅動 MOSFET、IGBT 和 SiC M...
UCC21739-Q1 汽車級 3kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅動器數據手冊
UCC21739-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅動器，專為高達 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計，具有先進的保護...
UCC23514 5kVrms 4A/5A，單通道光學兼容隔離柵極驅動器，帶有鉗位和分割輸出選項數據手冊
UCC23514 是一款適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅動器，具有 4.5A 的拉電流和 5.3A ...
UCC21550 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅動器數據手冊
UCC21550 是具有可編程死區時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設計，可驅動功率 MOSFE...
本文針對當前及下一代電力電子領域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結構差異。...
柵極驅動器是確保SiC MOSFET安全運行的關鍵，設計柵極驅動電路的關鍵點包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等，本章節帶你了解柵極驅動電壓的影響以及驅動...
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