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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作
SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作
2023-12-07 標(biāo)簽:二極管SiC柵極驅(qū)動(dòng)電路 938 0
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處...
2023-02-24 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 937 0
本文將介紹如何根據(jù)開關(guān)波形計(jì)算使用了SiC MOSFET的開關(guān)電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線性近似的有效范圍內(nèi)對(duì)開關(guān)波形進(jìn)行分割,并使...
2025-06-12 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOSFET波形 931 0
碳化硅器件的應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)是一種以碳和硅為主要成分的半導(dǎo)體材料,近年來在電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用迅速發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅材料,碳化硅具有更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率和...
*文末有禮 碳化硅(SiC) 正在改變?nèi)祟惸茉纯刂坪娃D(zhuǎn)換的方式,帶來一場(chǎng)顛覆性變革。電動(dòng)汽車、可再生能源、儲(chǔ)能和不間斷電源等許多應(yīng)用都能通過SiC實(shí)現(xiàn)性...
碳化硅解決方案滿足快速充電基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)要求
基于 SiC 的解決方案具有靈活性和適應(yīng)性,有助于滿足當(dāng)今對(duì)快速電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施日益增長(zhǎng)的需求,無論它是否是雙向充電站。無論如何,它們?cè)谌魏吻闆r下都...
2023-05-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC 920 0
SiC推動(dòng)實(shí)現(xiàn)可再生的未來
隨著世界朝著更加綠色的可持續(xù)未來邁進(jìn),許多國(guó)家/地區(qū)正在減少化石燃料能源發(fā)電,轉(zhuǎn)而使用可再生能源。
SiC(碳化硅)二極管在大功率電源上的應(yīng)用,正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)重要技術(shù)革新。其憑借高能效、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及優(yōu)越的電氣特性,在多個(gè)大功...
電隔離式(GI)柵極驅(qū)動(dòng)器在優(yōu)化碳化硅(SiC)MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色,特別是在應(yīng)對(duì)電氣化系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求時(shí)。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、...
SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動(dòng)態(tài)均流問題
在電力電子領(lǐng)域,當(dāng)多個(gè)SiC MOSFET模塊并聯(lián)時(shí),受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響,會(huì)出現(xiàn)動(dòng)態(tài)電流不均的問題,制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MO...
2025-05-30 標(biāo)簽:并聯(lián)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 912 0
溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中,ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
集成的專業(yè)知識(shí)為X波段PA提供最佳的氮化鎵解決方案
氮化鎵是在高頻應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行的無可爭(zhēng)議的技術(shù),例如 X 波段 (8–12 GHz) 的應(yīng)用。SiC器件上的GaN可以為這些應(yīng)用提供急需的高溫可靠性和...
SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)在哪里
在我們的傳統(tǒng)印象中,電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關(guān)器件,而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特...
2023-12-16 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 910 0
半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個(gè)截然不同的精密步驟。無論是前道工藝還是后道工藝,半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。
2023-05-19 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器SiC半導(dǎo)體器件 909 0
AC/DC轉(zhuǎn)換器IC BM2SC12xFP2-LBZ介紹
內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC:BM2SC12xFP2-LBZ-優(yōu)點(diǎn)篇-使采用了SiC MOSFET的高效AC...
2023-02-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET封裝 907 0
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