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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導體器件的電極間電容
本文介紹了使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導體器件的電極間電容。它分為四部分：雙電流探頭法原理、測量結果、三電流探頭法原理和測量結果。
數(shù)據(jù)中心、光伏以及大量其他可再生能源和工業(yè)應用也是如此。這些新的電源轉換系統(tǒng)需要在固態(tài)電源開關器件方面取得突破，以高效可靠地處理高功率、快速開關速度和寬...
碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET)相比其他競爭技術具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻(稱為RDS.A)。
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)...
SiC MOSFET：橋式結構中柵極-源極間電壓的動作-低邊開關關斷時的柵極-源極間電壓的動作
上一篇文章中介紹了LS開關導通時柵極 – 源極間電壓的動作。本文將繼續(xù)介紹LS關斷時的動作情況。低邊開關關斷時的柵極 – 源極間電壓的動作：下面是表示L...
碳化硅（ Silicon Carbide, SiC)具有很好的電學特性，其中禁帶寬度 （2.3~3.3eV）約是Si 的3倍，擊穿電場強度（0.8×10...
三相全橋SiC MOSFET模塊，為車載空調壓縮機提供創(chuàng)新解決方案
1200V三相全橋碳化硅模塊。這款模塊采用緊湊型頂部散熱塑封結構，以其高效能、高功率密度和優(yōu)秀的散熱性能，展現(xiàn)了碳化硅材料在高壓、高頻、低損耗方面的優(yōu)勢...
隨著碳化硅（SiC）功率器件在電力電子領域的廣泛應用，其高效、耐高壓、高溫等特性得到了業(yè)界的廣泛認可。然而，要充分發(fā)揮SiC芯片的性能優(yōu)勢，封裝技術起著...
如果想要說明白GaN、超級SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別，首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性，然后再根據(jù)材料特性分析具體應用。
在當今追求高效能、高耐用性的電力電子領域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越性能，成為了領域內的明星產品，它的出現(xiàn)預示著一次技術革命的悄然到來。
使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例-PCB板布局示例
截至上一篇文章，結束了部件選型相關的內容，本文將對此前介紹過的PCB電路板布局示例進行總結。使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的PCB布局示例
共讀好書 杜隆純 何勇 劉洪偉 劉曉鵬 （湖南國芯半導體科技有限公司 湖南省功率半導體創(chuàng)新中心） 摘要： 針對SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求，...
碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導體材料，因其出色的物理和化學特性，如高硬度、高熔點、高熱導率和化學穩(wěn)定性，在半導體產業(yè)中得到了廣泛的應用。SiC襯底是...
隨著科技的飛速發(fā)展，電力電子技術在各種領域中發(fā)揮著越來越重要的作用，從電動汽車到數(shù)據(jù)中心，再到可再生能源系統(tǒng)，其應用范圍不斷擴大。在這一領域，碳化硅...
具體而言，SiC 近年來在很多領域都有應用，比如工業(yè)領域。對于 GAN 來說，可使用場景非常廣泛。SiC 產品在高功率市場中有著很好的應用，例如 IGB...
由于能源價格在過去12個月中大幅攀升，無論是企業(yè)還是消費者都開始感到巨大壓力。在歐洲，2020年至 2021期間，天然氣價格上漲了47%。
SiC MOSFET：橋式結構中柵極-源極間電壓的動作-低邊開關導通時的Gate-Source間電壓的動作
上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結構中柵極驅動電路的開關工作帶來的VDS和ID的變化所產生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOS...
功率器件的熱設計基礎（二）——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
/前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低...
UnitedSiC FET-Jet計算器讓功率設計選擇FET和SiC變得輕而易舉
該工具可以立即計算出整體效率、動態(tài)和導通導致的組件功耗以及電流應力水平；甚至可以指定并聯(lián)器件、多個轉換器“支路”和外部散熱片性能，以便預測結溫。
為減緩氣候變化的步伐，人類在非化石燃料、可再生能源解決方案方面取得了進展，并且交通領域的電氣化進程也在加速。這些新興技術幾乎都要求使用大功率，對電源的要...
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