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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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低邊SiC MOSFET關(guān)斷時(shí)的行為

通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳...

2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 SiC 770 0

碳化硅功率器件：能效革新的催化劑！

隨著全球?qū)δ苄Ш铜h(huán)保的要求日益提高，傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體器件逐漸暴露出其性能瓶頸，特別是在高溫、高壓和高頻應(yīng)用場(chǎng)景中。

2024-04-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體逆變器功率器件 767 0

安森美應(yīng)用于UPS的SiC方案

隨著云計(jì)算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應(yīng)用和大型設(shè)備的不斷發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)不間斷電源(UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展，設(shè)計(jì)人員面臨...

2022-07-12 標(biāo)簽：UPS SiC 碳化硅 766 0

電源設(shè)計(jì)說(shuō)明：如何優(yōu)化您的SiC器件

采用 SiC 電子元件的電力電子設(shè)備越來(lái)越多地用于工業(yè)、家用和汽車電源中最苛刻的開關(guān)操作。電路的實(shí)現(xiàn)顯然不是隨機(jī)執(zhí)行的，而是遵循精確的計(jì)算路線和數(shù)...

2022-08-04 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)SiC 計(jì)算器 760 0

SiC功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測(cè)量

汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應(yīng)更高的電壓，擁有更快的開關(guān)速度，并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率...

2024-10-16 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 758 0

采用先進(jìn)Wolfspeed SiC技術(shù)，滿足最新能效標(biāo)準(zhǔn)

對(duì)于電動(dòng)汽車（其采用 90 kW 至 350 kW 以上的動(dòng)力總成逆變器）而言，提高效率、減小尺寸、減輕重量可最大限度提高車輛續(xù)航里程。Wolfspee...

2023-05-20 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器 SiC 756 0

SiC MOSFET的靜態(tài)特性

商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過(guò)900V，而SiC擁有更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐...

2025-03-12 標(biāo)簽：芯片 MOSFET IGBT 753 0

在橋式結(jié)構(gòu)中的注意事項(xiàng)：探頭的CMRR

在對(duì)橋式結(jié)構(gòu)中的高邊（HS）MOSFET進(jìn)行測(cè)試時(shí)，通常使用高壓差分探頭或差分探頭（*4）來(lái)觀測(cè)波形，但所用探頭的共模抑制比（CMRR）在高頻區(qū)域可能會(huì)...

2023-02-22 標(biāo)簽：MOSFET 波形探頭 752 0

借助SpeedFit設(shè)計(jì)仿真軟件縮短比較分析的時(shí)間

相較于基于硅（Si）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）之類的傳統(tǒng)技術(shù)，碳化硅（SiC）元件擁有明顯的優(yōu)點(diǎn)，因此很多應(yīng)用都能從運(yùn)用 SiC 器件中獲益。

2023-05-22 標(biāo)簽：IGBT 晶體管 SiC 748 0

SiC與功率器件半導(dǎo)體材料知識(shí)匯總

MCT 是一種新型MOS 與雙極復(fù)合型器件。如上圖所示。MCT是將 MOSFET 的高阻抗、低驅(qū)動(dòng)圖 MCT 的功率、快開關(guān)速度的特性與晶閘管的高壓、大...

2023-11-01 標(biāo)簽：晶閘管 MOS 功率器件 741 0

橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時(shí)

2023-12-05 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器電壓柵極 741 0

碳化硅功率器件的工作原理

碳化硅功率器件的核心在于其能夠在極端條件下高效地控制電力的流動(dòng)。SiC材料的寬帶隙特性意味著它在高溫下仍能維持較高的能量障礙，從而保持穩(wěn)定的半導(dǎo)體特性。

2024-03-26 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 737 0

氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料

氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導(dǎo)體，日本和海外正在進(jìn)行研究和開發(fā)。

2023-04-14 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC GaN 731 0

低邊開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的Gate-Source間電壓的動(dòng)作

當(dāng)SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，首先ID會(huì)變化（下述波形示意圖T1）。此時(shí)LS的ID沿增加方向、HS的ID沿減少方向流動(dòng)，受下述等效電路圖中所示的事...

2023-02-28 標(biāo)簽：MOSFET SiC 電動(dòng)勢(shì) 730 0

何謂全SiC功率模塊

繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了...

2023-02-24 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 729 0

探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用場(chǎng)景

碳化硅功率器件利用SiC半導(dǎo)體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更高的電子飽和漂移速度和熱導(dǎo)率，以及更高的臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。

2024-03-14 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 728 0

功率器件在多次循環(huán)雙脈沖測(cè)試中的應(yīng)用

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，功率器件在電動(dòng)汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。這些應(yīng)用對(duì)功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動(dòng)...

2024-11-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 724 0

深入探討碳化硅功率器件優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用

碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更優(yōu)越的物理和化學(xué)特性，包括更高的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更大的熱導(dǎo)率、更高的工作溫度和更快的開關(guān)速度。

2024-04-12 標(biāo)簽：變壓器電感器功率器件 722 0

芯力特SIT1462Q CAN FD收發(fā)器簡(jiǎn)介

芯力特是國(guó)內(nèi)首個(gè)量產(chǎn)CAN收發(fā)器和CAN FD收發(fā)器的公司，SIT1462Q作為芯力特全新一代收發(fā)器產(chǎn)品搭載了芯力特多年來(lái)在CAN收發(fā)器接口產(chǎn)品研發(fā)的經(jīng)...

2025-03-25 標(biāo)簽：接口 SiC CAN收發(fā)器 722 0

SiC FET 耐抗性變化與溫度變化 — 進(jìn)行正確的比較

SiC FET 耐抗性變化與溫度變化 — — 進(jìn)行正確的比較

2023-09-27 標(biāo)簽：MOSFET FET SiC 722 0

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快充技術(shù)

快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

快充

+關(guān)注

目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

Qi標(biāo)準(zhǔn)

+關(guān)注

國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
WPC

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手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
電池系統(tǒng)

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+關(guān)注

　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

+關(guān)注

采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽(yáng)能充電

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PSR

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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