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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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MOS管的構造,工作原理,特性,電壓極性和符號規則的詳細資料概述
隨著社會的進步和發展,MOS管在電子行業的應用越來越廣泛,薩科微電子SLKOR作為能夠研發生產碳化硅SiC產品的“碳化硅專家”,必須來科普一下這方面的知識。
SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導率是Si的3倍,所以被認為是...
億緯鋰能采取多元化品類并存路線,包括鋰原電池、復合電源、消費類鋰離子電池及動力/儲能電源系統等。在動力方面的主要產品類型包括:圓柱三元(18650/21...
2018-06-22 標簽:SiC 2.0萬 0
在PWM逆變器驅動時的損耗仿真中,與同等額定電流的IGBT模塊相比,相同開關頻率的損耗在5kHz時減少30%、20kHz時減少55%,總體損耗顯著降低。...
為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅動芯片,需要考慮幾個方面?
SiC MOSFET與傳統硅MOSFET在短路特性上有所差異,以英飛凌CoolSiC? 系列為例,全系列SiC MOSFET具有大約3秒的短路耐受能力。...
SiC和GaN功率半導體在混合動力和電動汽車的主傳動系逆變器中的應用
SiC電力電子器件主要包括功率二極管和三極管(晶體管、開關管)。SiC功率器件可使電力電子系統的功率、溫度、頻率、抗輻射能力、效率和可靠性倍增,帶來體積...
了解關鍵的ADI iCoupler?數字隔離、控制、傳感和通信技術如何直接通過部署SiC和GaN功率轉換及日益復雜的多級控制拓撲來解決面臨的挑戰。
羅姆在全球率先實現了搭載羅姆生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模...
SiC作為寬禁帶半導體材料,與Si相比具有擊穿場強高、導熱系數高、載流能力大、開關速度快、可高溫工作等優點,適用于高壓、高溫、高頻等領域的應用。
電力電子未來發展的趨勢之一是使用更高的開關頻率以獲得更緊密的系統設計,所以如何降低動態損耗至關重要。因為SiC材料的本征特性,SiC器件的電容相當小。在...
一種先進的利用電流檢測端子實現的全SiC模塊過流和短路保護方法
采用電流檢測并用于FMF800DX-24A的先進保護方法是通過參考設計RDHP-1417來實現的(其采用驅動核2SC0435T)[4][5],并包括過壓...
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