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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

GaN和SiC在工業(yè)電子領(lǐng)域的優(yōu)勢

提高工業(yè)能源效率是制造業(yè)關(guān)鍵趨勢，聚焦于優(yōu)化電力電子設(shè)備。MOSFET作為主流電子元件，雖控制高效但壽命短、對過載敏感。新材料如氮化鎵與碳化硅的出現(xiàn)，通...

2024-08-30 標(biāo)簽：MOSFET SiC GaN 713 0

SiC FET在固態(tài)斷路器應(yīng)用中的沖擊電流處理能力

固態(tài)斷路器(SSCB)相比于傳統(tǒng)的電機(jī)械斷路器具有多種優(yōu)勢。基于寬帶隙(WBG)器件如碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)的SSCB可以在許多應(yīng)用中擴(kuò)大其...

2024-08-20 標(biāo)簽：固態(tài)斷路器 SiC 715 0

SiC器件在電源中的應(yīng)用

SiC（碳化硅）器件在電源中的應(yīng)用日益廣泛，其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使得SiC成為提升電源效率、可靠性及高溫、高頻性能的關(guān)鍵材料。以下將詳細(xì)探討SiC器件...

2024-08-19 標(biāo)簽：電源 SiC 碳化硅 1526 0

提升傳統(tǒng)基于IGBT模塊的電力組件性能的SiC模塊

近年來，1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成為當(dāng)前使用IGBT的電力轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師的真正替代方案。到目前為止，大多數(shù)SiCMOSFET...

2024-08-19 標(biāo)簽：IGBT SiC IGBT模塊 663 0

GaN晶體管和SiC晶體管有什么不同

GaN（氮化鎵）晶體管和SiC（碳化硅）晶體管作為兩種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子、高頻通信及高溫高壓應(yīng)用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢。然而，它們在材料...

2024-08-15 標(biāo)簽：晶體管 SiC GaN 1642 0

DTS技術(shù)提高功率模塊可靠性方面發(fā)揮的關(guān)鍵作用

派恩杰半導(dǎo)體，中國第三代半導(dǎo)體功率器件的領(lǐng)先品牌，主營碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化鎵HEMT等功率器件產(chǎn)品。在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、白色家電、...

2024-08-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1982 0

Qorvo在SiC領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局

SiC領(lǐng)域正在迎來群雄逐鹿的新時(shí)代，而射頻芯片巨頭Qorvo亦在電源應(yīng)用領(lǐng)域耕耘多年，已占據(jù)自己的一席之地。

2024-08-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 射頻芯片 826 0

CAN SIC收發(fā)器助力復(fù)雜CAN網(wǎng)絡(luò)高效可靠通信（2）

SIC的作用機(jī)理在CAN總線上，通過CAN_H和CAN_L兩根線上的電位差來表示CAN信號(hào)。CAN總線上的電位差分為兩種：顯性電平(DominantVo...

2024-08-09 標(biāo)簽：收發(fā)器 CAN 通信 2939 0

SiC 技術(shù)相對于 Si 具有不可否認(rèn)的優(yōu)勢

在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和充電器等應(yīng)用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、降低的冷卻需求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。盡管SiC器件的成本高于硅器件，但...

2024-08-08 標(biāo)簽：MTTF SiC GaN 573 0

PCIM2024論文摘要｜新型400V SiC MOSFET用于高效三電平工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)

/摘要/400VSiCMOSFET技術(shù)商用化彌補(bǔ)了長期存在的200V中壓MOSFET與600V超級(jí)結(jié)MOSFET之間產(chǎn)品和技術(shù)空缺。400VSiCMOS...

2024-08-08 標(biāo)簽：MOSFET 電機(jī)驅(qū)動(dòng)SiC 2412 0

碳化硅器件的應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)挑戰(zhàn)

　　碳化硅（SiC）是一種以碳和硅為主要成分的半導(dǎo)體材料，近年來在電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用迅速發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅材料，碳化硅具有更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率和...

2024-08-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 917 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢和分類

碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件，主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅功率器件具有...

2024-08-07 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1200 0

碳化硅晶體的生長原理

碳化硅晶體的生長原理在自然界中，晶體不勝枚舉，其分布及應(yīng)用都十分廣泛。例如日常生活中隨處可見的鹽、糖、鉆石、雪花都是晶體；此外，半導(dǎo)體晶體、激光晶體、...

2024-08-03 標(biāo)簽：晶體 SiC 襯底 4033 0

國產(chǎn)車規(guī)級(jí)智能隔離柵極驅(qū)動(dòng)器概述

電機(jī)控制器是新能源汽車中的重要組成部分，負(fù)責(zé)控制電機(jī)的運(yùn)轉(zhuǎn)，而柵極驅(qū)動(dòng)器則是電機(jī)控制器中的關(guān)鍵元件之一。今天就給大家推薦一款國產(chǎn)車規(guī)級(jí)智能隔離柵極驅(qū)動(dòng)器...

2024-08-01 標(biāo)簽：MOSFET SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器 1213 1

直接液體冷卻功率半導(dǎo)體器件的影響

在電力電子領(lǐng)域，面臨的挑戰(zhàn)是如何在更小的設(shè)備中實(shí)現(xiàn)更高的功率傳輸并降低成本。這些目標(biāo)往往相互矛盾，導(dǎo)致必須做出妥協(xié)。更高的電流會(huì)導(dǎo)致器件內(nèi)部的熱應(yīng)力增加...

2024-07-25 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 475 0

Qorvo SiC FET在ZVS軟開關(guān)技術(shù)應(yīng)用中的卓越表現(xiàn)

從石器時(shí)代到信息時(shí)代，人類對高效率的追求從未停止。如今，隨著人工智能、電動(dòng)汽車和可再生能源系統(tǒng)等前沿科技的蓬勃發(fā)展，電力電子設(shè)備面臨的挑戰(zhàn)與日俱增。開關(guān)...

2024-07-25 標(biāo)簽：ZVS 軟開關(guān)SiC 1668 0

源漏嵌入SiC應(yīng)變技術(shù)簡介

源漏區(qū)嵌入SiC 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用于提高90nm 及以下工藝制程 NMOS 的速度，它是通過外延生長技術(shù)在源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料，利用硅和碳晶格常數(shù)...

2024-07-25 標(biāo)簽：NMOS SiC 晶格 1381 0

PCIM2024論文摘要｜并聯(lián)SiC MOSFET的均流研究

/摘要/并聯(lián)SiCMOSFET面臨著許多技術(shù)挑戰(zhàn),包括電流不平衡、不同的熱性能、過電壓等。本文介紹了不同參數(shù)對并聯(lián)SiCMOSFET分流影響的理論分析和...

2024-07-25 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路 SiC 933 0

使用SiC技術(shù)應(yīng)對能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)

本文簡要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比，SiC技術(shù)是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個(gè)實(shí)際案例之前，先探討了 Si...

2024-07-25 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 642 0

用SiC JFET技術(shù)徹底改變電路保護(hù)

20世紀(jì)中葉，住宅和工業(yè)電氣系統(tǒng)經(jīng)歷了重大創(chuàng)新。其中最具影響力的進(jìn)展之一是從傳統(tǒng)的可更換保險(xiǎn)絲轉(zhuǎn)向微型斷路器(MCB)。雖然保險(xiǎn)絲提供了基本的保護(hù)，但在...

2024-07-24 標(biāo)簽：斷路器電路保護(hù)SiC 833 0

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快充技術(shù)

快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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手機(jī)快充

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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國十大營銷人物”
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