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PA應(yīng)用極為廣泛,在無(wú)線通信系統(tǒng)中,如手機(jī)、衛(wèi)星通信、Wi-Fi、蜂窩網(wǎng)絡(luò)等都需要射頻功率放大器來(lái)提供足夠的信號(hào)強(qiáng)度和覆蓋范圍。...
TVS(Transient Voltage Suppressors),即瞬態(tài)電壓抑制器,又稱雪崩擊穿二極管。它是采用半導(dǎo)體工藝制成的單個(gè) PN 結(jié)或多個(gè) PN 結(jié)集成的器件。...
我們知道可以通過調(diào)節(jié)負(fù)載電容CL來(lái)微調(diào)振蕩器的頻率,這就是為什么晶振制造 商在其產(chǎn)品說明書中會(huì)指定外部負(fù)載電容CL值的原因。通過指定外部負(fù)載電容CL值,可以使晶 振晶體振蕩時(shí)達(dá)到其標(biāo)稱頻率。...
電感是一種電路元件,它可以在自身磁場(chǎng)中儲(chǔ)存能量。電感通過儲(chǔ)存將電能轉(zhuǎn)換為磁能,然后向電路提供能量以調(diào)節(jié)電流。當(dāng)電流增加,磁場(chǎng)就會(huì)增強(qiáng)。...
討論了不同的ADC和DAC架構(gòu),包括Flash型、逐次逼近寄存器(SAR)型、Pipelining型和時(shí)間交錯(cuò)型等。...
當(dāng)VGS小于一定的電壓值,DS極就會(huì)導(dǎo)通,適合用于S極接正電源的情況(高端驅(qū)動(dòng))。雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動(dòng),但由于其導(dǎo)通電阻大、價(jià)格貴、替換種類少等原因,在大部分應(yīng)用中通常還是使用NMOS。...
電磁干擾嚴(yán)重。隨著頻率提高,電路中的di/dt和du/dt增大,從而使電磁干擾增大,影響變換器和周圍電子設(shè)備的工作。...
在此電路中,TVS管PTVS30VP1UP可以快速鉗位一些瞬態(tài)的電壓到30V,同時(shí)它的漏電流也非常非常小(25℃的時(shí)候典型漏電流為1nA),這個(gè)管子也很推薦大家使用,漏電流很小。...
電壓緩沖放大器的作用是將電壓從具有高輸出阻抗的電路傳輸?shù)骄哂械洼斎胱杩沟牧硪粋€(gè)電路。通過在這兩個(gè)電路之間插入緩沖器,可以防止第二個(gè)電路過度加載第一個(gè)電路,這可能會(huì)干擾其預(yù)期操作。...
采樣和保持電路是一種電子電路,它創(chuàng)建作為輸入的電壓樣本,然后將這些樣本保持一定的時(shí)間。采樣保持電路對(duì)輸入信號(hào)產(chǎn)生采樣的時(shí)間稱為采樣時(shí)間。...
碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更優(yōu)越的物理和化學(xué)特性,包括更高的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更大的熱導(dǎo)率、更高的工作溫度和更快的開關(guān)速度。...
在MOSFET的柵極前增加一個(gè)電阻? MOS管是電壓型控制器件,一般情況下MOS管的導(dǎo)通,只需要控制柵極的電壓超過其開啟閾值電壓即可,并不需要柵極電流。...
碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,相比于傳統(tǒng)的硅材料,具有更高的熱導(dǎo)率、更大的電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度和更高的載流子遷移率等特點(diǎn)。...
在柵極電荷方法中,將固定測(cè)試電流(Ig)引入MOS晶體管的柵極,并且測(cè)量的柵極源電壓(Vgs)與流入柵極的電荷相對(duì)應(yīng)。對(duì)漏極端子施加一個(gè)固定的電壓偏置。...
眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝,來(lái)開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管(BJT)、結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的電源產(chǎn)品。...
碳化硅作為第三代半導(dǎo)體具有耐高溫、耐高壓、高頻率、抗輻射等優(yōu)異性能采用碳化硅功率器件可使電動(dòng)汽車或混合動(dòng)力汽車功率轉(zhuǎn)化能耗損失降低20%,在OBC產(chǎn)品上使用碳化硅功率器件對(duì)于提升OBC產(chǎn)品效率、功率密度和質(zhì)量密度上發(fā)揮著重要作用。...
SDA和SCL都是雙向線路,都通過一個(gè)電流源或上拉電阻連接到正的電源電壓。當(dāng)總線空閑時(shí),這兩條線路都是高電平,連接到總線的器件輸出級(jí)必須是漏極開路或集電極開路才能執(zhí)行線與的功能。...
為了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT,必須在每個(gè)方向上硬驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電流,以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動(dòng)為高電平時(shí),會(huì)存在一個(gè)從雙極型晶體管的基極到其發(fā)射極的低阻抗路徑。...
碳化硅具有比硅更高的熱導(dǎo)率、更寬的能帶寬度和更高的電子飽和漂移速度。這些特性使得SiC功率器件在高溫、高頻以及高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。...
那這兩張圖是完全等價(jià)的,我們可以看到MOS管是有三個(gè)端口,也就是有三個(gè)引腳,分別是GATE、DRAIN和SOURCE。至于為啥這么叫并不重要,只要記住他們分別簡(jiǎn)稱G、D、S就可以。...