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本次實(shí)驗(yàn)旨在帶您熟悉變壓器耦合放大器的阻抗匹配操作。升降壓變壓器的基本定義是一種將輸入的交流電壓轉(zhuǎn)換為比原電壓更高（升壓）或更低（降壓）的器件。此外還有可用于將電路與地隔離的變壓器，這種變壓器被稱為隔離變壓器。本文將側(cè)重討論變壓器的另一種用途，即用于匹配電路阻抗以實(shí)現(xiàn) 最大功率傳輸。...
本文旨在解決DC-DC開關(guān)穩(wěn)壓器的功率級(jí)設(shè)計(jì)中面臨的復(fù)雜難題，重點(diǎn)關(guān)注功率晶體管和自舉電容。降壓轉(zhuǎn)換器用于演示忽視功率晶體管時(shí)序規(guī)范的影響，以及移除自舉電容時(shí)會(huì)發(fā)生什么情況。功率晶體管具有最小導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間要求，以確保FET柵極電容正確充電和放電，從而保證晶體管完全導(dǎo)通和關(guān)斷。如果忽略這些要求（例如...
TPA267x系列產(chǎn)品帶寬10MHz，壓擺率達(dá)到15V/μs，產(chǎn)品在100KHz電源干擾下抑制比達(dá)到了80dB，降低了客戶在電源上的設(shè)計(jì)成本，廣泛適用于工業(yè)自動(dòng)化、光伏儲(chǔ)能、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和音頻設(shè)備等領(lǐng)域。...
將PMOS的G極接電阻到地（GND），當(dāng)輸入端連接正向電壓時(shí)，電流流過PMOS的體二極管到負(fù)載端。...
設(shè)計(jì)測(cè)試電路，使用 F030單片機(jī)進(jìn)行測(cè)試。輸入的模擬信號(hào)經(jīng)過RC濾波之后，發(fā)送到 ADC的第0通道。使用兩個(gè)電阻將模擬地和電源分開。電路板上還設(shè)置了 3.3V的穩(wěn)壓芯片。設(shè)計(jì)電路PCB，使其能夠適應(yīng)一分鐘制板方法。...
柵極參數(shù)設(shè)計(jì)是通過理論計(jì)算或建模仿真，模擬器件的開關(guān)狀態(tài)，掌握其動(dòng)態(tài)特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等，其核心還是理論計(jì)算。...
PT100是正溫度系數(shù)的熱敏電阻，顧名思義，隨著溫度的升高，電阻的阻值變大；相反，如果隨著溫度的升高，電阻的阻值變小，就是負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。...
統(tǒng)講法一般分三步，以NPN型為例(以下所有討論皆以NPN型硅管為例)，如示意圖A。1.發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子;2.電子在基區(qū)的擴(kuò)散與復(fù)合;3.集電區(qū)收集由基區(qū)擴(kuò)散過來的電子。”(注1)...
暗戀就像根二極管，總是單向的電流。除非你運(yùn)氣好，表白時(shí)二極管反向擊穿了，否則你就一直這樣毫無回報(bào)的付出吧，別抱怨，誰讓你選二極管呢。...
當(dāng)MOS管驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí)，我們會(huì)使用推挽電路來放大電流，但是MOS管明明是壓控型器件，為什么要去考慮電流大小呢？...
低阻抗、大面積接地層對(duì)于模擬電路和數(shù)字電路都是至關(guān)重要的。接地層不僅為了給高頻電流（高速數(shù)字邏輯產(chǎn)生的）一個(gè)低阻抗返回路徑，而且最大限度地減少EMI / RFI輻射。...
這個(gè)主要是Drain加反偏電壓后，使得Drain/Bulk的PN結(jié)耗盡區(qū)延展，當(dāng)耗盡區(qū)碰到Source的時(shí)候，那源漏之間就不需要開啟就形成了 通路，所以叫做穿通（punch through）。...
在高頻信號(hào)電路中，電阻不是單純的只有電阻R，而是還有電感，電感L模擬引線，電容Ca用于模擬電荷的分離效應(yīng)，電容Cb用于模擬內(nèi)部引線電容。...
1. 每個(gè)IGBT有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)器； 2. IGBT的連接形式接近于硬并聯(lián)，兩橋臂交流輸出端通過銅排直接相連； 3. 可能存在發(fā)射極環(huán)流，但不同的IGBT門極回路間不存在耦合，IGBT的開關(guān)行為很獨(dú)立...
三極管是晶體管的一種，三極管的三個(gè)極分別是基極（Base）、發(fā)射極（Emitter）、集電極（Collector）。...
ESD保護(hù)二極管設(shè)計(jì)在信號(hào)線與GND之間，保護(hù)DUP器件免受浪涌電壓的沖擊。在正常工作模式下，ESD保護(hù)二極管幾乎沒有電流經(jīng)過，只會(huì)有少量電流使反向擊穿電壓高于信號(hào)線電壓。...
從 2kHz 頻率開始，我們逐漸調(diào)小輸入信號(hào)的頻率，直至輸出信號(hào)的峰峰值降至 2.05 * 0.707 = 1.45V ，此時(shí)的頻率即為下限截止頻率：...
.通電導(dǎo)通性檢查 用9 V電池作為電源接至G11觸發(fā)上橋臂中的1號(hào)IGBT，用萬用表的二極管擋測(cè)量上橋臂“+”與“～”之間的導(dǎo)通性，顯示導(dǎo)通，壓降為0.379 V。...
為了保護(hù)接口，抵抗小能量電壓脈沖，防止信號(hào)脈沖損壞接口的。 舉個(gè)簡(jiǎn)單的例子： 一個(gè)串口通訊的提示信號(hào)，當(dāng)接上串口時(shí)，因?yàn)樗查g的插拔產(chǎn)生了一個(gè)很窄的電壓脈沖...
必須在基極和發(fā)射極之間施加電流，以在集電極中產(chǎn)生電流。圖1.2示出了MOSFET，當(dāng)在柵極和源極端子之間施加電壓時(shí)在漏極中產(chǎn)生電流。...
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