引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時,精準測量光刻圖形對把控工藝質(zhì)量意義重大,白光干涉儀為此提供了
發(fā)表于 05-29 09:38
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光刻膠類型及特性光刻膠(Photoresist),又稱光致抗蝕劑,是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和
發(fā)表于 04-29 13:59
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光刻膠是半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域的一種重要材料,在整個電子元器件加工產(chǎn)業(yè)有著舉足輕重的地位。 它主要由感光樹脂、增感劑和溶劑等成分組成。其中,感光樹脂決定了光刻膠的感光度和分辨率等關(guān)鍵性能,增感劑有助于提高
發(fā)表于 12-19 13:57
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近日,據(jù)相關(guān)報道,三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破,成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據(jù)悉,三星已經(jīng)制定了未來NAND閃存的生產(chǎn)路線圖,并計劃在這一
發(fā)表于 11-27 11:00
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光刻膠作為掩模進行干法刻蝕或是濕法腐蝕后,一般都是需要及時的去除清洗,而一些高溫或者其他操作往往會導(dǎo)致光刻膠碳化難以去除。
發(fā)表于 11-11 17:06
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發(fā)表于 11-01 11:08
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本文介紹了光刻膠的使用過程與原理。
發(fā)表于 10-31 15:59
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在微流控PDMS芯片加工的過程中,需要使用烘膠臺或者烤膠設(shè)備對SU-8光刻膠或PDMS聚合物進行烘烤。SU-8光刻膠的烘烤通常需要進行2-3次。本文簡要介紹SU-8
發(fā)表于 08-27 15:54
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存儲時間 正膠和圖形反轉(zhuǎn)膠在存儲數(shù)月后會變暗,而且隨著儲存溫度升高而加速。因為該類型光刻膠含有的光活性化合物形成偶氮染料,在 可見光譜的部分具有很強的吸收能力,對紫外靈敏度沒有任何影響。這種變色過程
發(fā)表于 07-11 16:07
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為了確保光刻工藝的可重復(fù)性、可靠性和可接受性,必須在基板表面上均勻涂覆光刻膠。光刻膠通常分散在溶劑或水溶液中,是一種高粘度材料。根據(jù)工藝要求,有許多工藝可用于涂覆光刻膠。 旋涂是用
發(fā)表于 07-11 15:46
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根據(jù)光刻膠的應(yīng)用工藝,我們可以采用適當?shù)姆椒▽σ扬@影的光刻膠結(jié)構(gòu)進行處理以提高其化學(xué)或物理穩(wěn)定性。通常我們可以采用烘烤步驟來實現(xiàn)整個光刻膠結(jié)構(gòu)的熱交聯(lián),稱為硬烘烤或者堅膜。或通過低劑量紫外線輻照
發(fā)表于 07-10 13:46
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評價一款光刻膠是否適合某種應(yīng)用需要綜合看這款光刻膠的特定性能,這里給出光刻膠一般特性的介紹。 1. 靈敏度 靈敏度(sensitivity)是衡量曝光速度的指標。光刻膠的靈敏度越高,所
發(fā)表于 07-10 13:43
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后烘是指(post exposure bake-PEB)是指在曝光之后的光刻膠膜的烘烤過程。由于光刻膠膜還未顯影,也就是說還未閉合,PEB也可以在高于光刻膠軟化溫度的情況下進行。前面的文章中我們在
發(fā)表于 07-09 16:08
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圖形反轉(zhuǎn)膠是比較常見的一種紫外光刻膠,它既可以當正膠使用又可以作為負膠使用。相比而言,負膠工藝更被人們所熟知。本文重點介紹其負
發(fā)表于 07-09 16:06
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我們在使用光刻膠的時候往往關(guān)注的重點是光刻膠的性能,但是有時候我們會忽略光刻膠的保存和壽命問題,其實這個問題應(yīng)該在我們購買光刻膠前就應(yīng)該提出并規(guī)劃好。并且,在
發(fā)表于 07-08 14:57
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