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功率GaN出現爆炸式增長 基于GaN的RF器件獨特優勢眾多

電子設計 ? 來源:Qorvo ? 作者:Qorvo ? 2021-01-19 11:22 ? 次閱讀
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翻譯自——EEtimes

5G射頻技術發生了全新的變化,近日,Qorvo最近發布的QPA2309 c頻段功率放大器(PA)專為國防和航空航天應用而設計,能為5 – 6 GHz射頻設計提供高功率密度和附加功率效率。它采用了Qorvo自研的QGaN25HV晶圓工藝,即GaN-on-SiC。

在過去一年左右的時間里,許多技術正滲透到消費領域。Qorvo這種新型高功率放大器MMIC是專為“商業和軍事雷達,以及電子戰應用”而設計。

不久以前GaN在電力方面的應用還局限于一個小眾市場。即使在許多工業應用中,如汽車或太陽能電池逆變器,更常見的是SiC。而GaN具有很長的光電子史,它使藍色激光二極管led的生產成為可能。

但現在,在功率市場GaN開始出現了爆炸式增長。蘋果決定推出最后一款不帶充電裝置的iPhone,這將推動這一轉變。由于它不再是蘋果標配,消費者現在可能會同時被多個充電電源所吸引,這是蘋果從未在其手機或平板電腦中附帶的。GaN在電力電子方面的獨特優勢眾多,這里不再贅述。

讓我們回到射頻應用。

當前的技術趨勢需要增加射頻能力和驅動組件,這無疑是一大挑戰。

我們正處在5G系統快速部署的風口上。這意味著在連接的移動設備以及無數固定和移動物聯網設備中又多了一個系統和另一個無線電。

新無線電系統的頻帶要求今天的5G以及仍在定義中的系統需要創造一個理想的環境,以便快速過渡到GaN射頻設備上。作為一種寬帶隙半導體,GaN比傳統材料的優勢將會為這一特殊要求提供強大動力。

以上圖表有力地說明了GaN的尖端性能。Qorvo的功放適用于5GHz至6GHz的工作頻段,因此該產品在“少數競爭技術”領域處于領先地位。然而,在功率方面,GaN沒有對手。100W功率規格使Qorvo的PA只有GaN材料才能做到。

Yole development詳細介紹了GaN的突破潛力。在一篇《RF GaN: The Stranglehold of 5G?》中預測了GaN的市場:

  • 到2025年,GaN RF設備市場將超過20億美元
  • 年增長率達到20%
  • 軍事用途迅速增加

GaN的性能優勢將推動5G基礎設施的采用。

分析師Ezgi Dogmus博士預測,5G基礎設施將推動“GaN優勢”。“預計軍事和5G基礎設施是增長大頭。嚴格地說,5G建設是一個工業應用,而不是消費應用,但這項技術仍然是解決消費者移動帶寬需求的核心。

GaN RF設備市場正處于高速增長邊緣,尤其在在國防領域。

Qorvo QPA2309選擇以GaN作為材料是一個正確的選擇,它被封裝在一個7×7毫米QFN配置中,內部匹配不需要外部組件。對于QFN,它是一個四軸,平面無引線套件,它正在悄悄擴大其覆蓋范圍。因為它提供了一個很好的折衷方案,低成本和減少了對pin計數的板空間要求。而且,這個主要用途的套件——從電源管理音頻放大器再到微控制器——正在繼續增加它的高功率和高頻應用。

新的Qorvo功率放大器引起了人們對新興技術和擴展成熟封裝設計的關注。從平凡到奇異,它們都值得我們近距離觀察,預計它們會在2021年涌現在人們眼前。
編輯:hfy

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