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美光科技開始提速EUV DRAM開發(fā)速度

我快閉嘴 ? 來源:CINNO ? 作者:CINNO ? 2020-12-25 14:43 ? 次閱讀
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美國美光科技開始提速EUV DRAM。加入到三星電子、SK海力士等全球第一、第二EUV廠商選擇的EUV陣營后,后續(xù)EUV競爭或?qū)⒏鼮榧ち摇?/p>

根據(jù)韓媒etnews報(bào)道,美光科技通過多個網(wǎng)站開始招聘EUV設(shè)備開發(fā)負(fù)責(zé)工程師。美光的公告顯示:招聘負(fù)責(zé)美光EUV設(shè)備Scaner技術(shù)開發(fā),管理EUV系統(tǒng)和與ASML的溝通的人才。工作地點(diǎn)為美光總部美國愛達(dá)荷州(Idaho)的博伊西(Boise)。

美光是繼三星電子和SK海力士之后,以20%的全球市占率排第三的DRAM廠商。本月初時美光臺灣DRAM工廠還因停電一小時導(dǎo)致工廠停產(chǎn)。截止到3季度時較好業(yè)績備受業(yè)界矚目。且在Nand Flash領(lǐng)域,也率先發(fā)布了全球首款176層產(chǎn)品。

公司與其他DRAM廠商一樣,投產(chǎn)10納米級3代(1z)產(chǎn)品作為新品。計(jì)劃明年上半年量產(chǎn)4代(1a)DRAM。

但與三星電子、SK海力士不同,并無計(jì)劃在1a DRAM產(chǎn)品上使用EUV技術(shù)。

最近EUV制程備受被稱之為IT設(shè)備大腦的集成芯片領(lǐng)域的青睞,短期內(nèi)有望滲透至DRAM其他層。但相比ArF制程,技術(shù)難度仍高、且設(shè)備運(yùn)營費(fèi)用也相對更高。

而根據(jù)美光公開的資訊顯示,考慮到費(fèi)用和成本、技術(shù)限制等原因,次次時代DRAM ‘1-β’產(chǎn)品前并無計(jì)劃采用EUV制程。

美光副總裁Scott DeBoer表示過:會分析多方面因素后,從1-δ (10納米7代)產(chǎn)品開始導(dǎo)入EUV制程。

本次的招聘公告顯示出公司將通過招聘精通于EUV技術(shù)的專家累計(jì)技術(shù),以確保在最佳時機(jī)導(dǎo)入EUV制程的戰(zhàn)略。

未來美光正式跨入EUV DRAM量產(chǎn)市場后,Memory市場中3家競爭將更為激烈。

在DRAM市場占比40%,排名第一的三星已經(jīng)通過1z產(chǎn)品上導(dǎo)入EUV技術(shù)宣示技術(shù)領(lǐng)先差距,且計(jì)劃在明年上市的1a產(chǎn)品EUV制程比重也是業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。

而SK海力士也正忙于明年導(dǎo)入1a DRAM的EUV制程。SK海力士計(jì)劃明年在京畿道黎川新DRAM工廠M16中搬入新EUV系統(tǒng),為EUV技術(shù)量產(chǎn)而努力。
責(zé)任編輯:tzh

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