3月17，由森蔚汽車聯合國內40+主機廠共同組織的“2021中國汽車芯片開發與應用創新技術論壇”在上海舉辦，旨在共同探討汽車芯片技術發展趨勢、智能駕駛與驅動系統芯片的關鍵應用技術、國產化芯片開發技術路線等相關內容，進一步推動行業的發展。 比亞迪半導體股份有限公司受邀參加了該汽車芯片技術論壇。公司高級研發經理吳海平在本次論壇上做了題為“新能源汽車功率器件的發展與應用”技術演講，從新能源功率器件的需求情況、車規級功率半導體的市場布局和技術發展著手，多維度探討IGBT芯片、SiC模塊、功率模塊的技術發展。

吳海平先生提到，新能源汽車的發展給功率芯片帶來更嚴格的挑戰，意味著更低的損耗和成本，更高的集成度、工作結溫和可靠性。同時，更薄的晶圓厚度、精細化、RC IGBT、集成化也成為了IGBT芯片的技術趨勢。比亞迪電驅功率模塊技術從間接水冷發展到現在的SiC MOS 雙面水冷、超聲波焊接、納米銀燒結技術，使得SiC MOS在新能源汽車電機驅動上帶來明顯的效率提升，電機驅動控制器體積減小60%以上。演講現場氛圍熱烈，與會人員紛紛給予掌聲。

新能源汽車的核心元件IGBT芯片約占電機驅動系統成本的一半，是除電池之外成本第二高的元件，決定了整車的能源效率。比亞迪半導體2009 年推出國內首款自主研發的 IGBT 芯片，2018 年推出 IGBT4.0 芯片，后續還將推出更高性能的IGBT芯片。經過多年的發展，比亞迪半導體已擁有國內領先的功率芯片設計經驗，成熟的晶圓制造工藝、功率模塊生產能力、獨有的測試條件以及應用平臺，擁有國內領先的IDM功率半導體產業。截止2020年12月，以IGBT為主的車規級功率器件累計裝車超過100萬輛，單車行駛里程超過100萬公里。

作為新能源汽車下一代功率半導體器件核心，SiC MOSFET可使得電機驅動控制器體積減小60%以上，整車性能在現有基礎上再提升10%。 2020年7月，比亞迪半導體自主研發的SiC功率模塊全面應用于比亞迪全新旗艦豪華轎車“漢”，是國內首款批量搭載SiC功率模塊的車型。SiC電控的綜合效率高達97%以上，使整車的動力性、經濟性表現非常出眾。 未來比亞迪功率半導體產業，將不斷優化提升IGBT及SiC模塊性能表現，往高效率、高集成、高可靠性方向快速發展。

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