近日，臺積電發(fā)布了該公司2020年年度財報。正如該公司聯(lián)席CEO在致股東說明書中所說，對于臺積公司而言，2020年是深具挑戰(zhàn)的一年，但也是顯著成長與進(jìn)步的一年。面臨全球COVID-19疫情帶來的動蕩與地緣政治的緊張局勢，臺積電與客戶積極合作，并且加強(qiáng)技術(shù)領(lǐng)先、卓越制造，以及客戶信任的承諾。

受惠于客戶對于臺積電領(lǐng)先業(yè)界的5納米（N5）及7納米（N7）技術(shù)的強(qiáng)勁需求，臺積公司的營收連續(xù)11年締造了歷史新高的紀(jì)錄，以美金計算，臺積電在2020年的營收同比增長了31.4%。作為對比，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)較前一年成長約10%。

臺積電方面繼續(xù)表示，，在5G及高效能運(yùn)算（HPC）應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)大趨勢驅(qū)動之下，使半導(dǎo)體芯片內(nèi)含量得到提升，臺積公司將當(dāng)年度資本支出增加至172億美元。由于臺積公司進(jìn)入了另一波更高的成長期，公司將會持續(xù)投資以掌握隨之而來的商機(jī)。

在這份年度財報中，臺積電還對公司的市場、技術(shù)和未來發(fā)展進(jìn)行了深入探討，本文摘錄如下，以饗讀者：

臺積電的業(yè)績表現(xiàn)

首先看財報方面，以美元計算，臺積2020年的全年合并營收為455億1，000萬美元，稅后凈利為176億美元，較前一年度的全年合并營收346億3，000萬美元增加31.4%，較前一年度的稅后凈利111億8，000萬美元增加了57.5%。

來到毛利率方面，據(jù)介紹，臺積電在2020年獲得了53.1%的利潤率，而前一年這項(xiàng)數(shù)據(jù)為46.0%；營業(yè)利益率為42.3%，前一年則為34.8%。稅后純益率為38.7%，也較前一年的稅后純益率32.3%增加了6.4個百分點(diǎn)。

在客戶合作方面，臺積電方面表示，公司在2020年可以提供281種不同的制程技術(shù)，為510個客戶生產(chǎn)1萬1，617種不同的產(chǎn)品，應(yīng)用范圍涵括整個電子應(yīng)用產(chǎn)業(yè)，包括于個人計算機(jī)與其周邊產(chǎn)品、信息應(yīng)用產(chǎn)品、有線與無線通訊系統(tǒng)產(chǎn)品、服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心、汽車與工業(yè)用設(shè)備，以及包括數(shù)位電視、游戲機(jī)、數(shù)位相機(jī)等消費(fèi)性電子、人工智能物聯(lián)網(wǎng)及穿戴式裝置，與其他許多產(chǎn)品與應(yīng)用。

臺積電繼續(xù)指出，公司積極布局全球各國專利，以質(zhì)量并重為核心管理原則。在專利申請數(shù)量上，截至2020年年底，臺積公司在全球?qū)＠暾埧倲?shù)已累積超過6萬2，000件，包括2020年申請6，900件專利；在美國申請數(shù)名列專利申請人排行榜第三名，創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄；且在臺灣的專利申請數(shù)亦連續(xù)五年位居全島第一。在專利獲準(zhǔn)數(shù)量上，截至2020年年年底，臺積公司在全球總數(shù)已累積超過4萬5，000件，包括2020年取得超過4，500件全球?qū)＠?，其中美國專利超過2，800件，名列美國專利權(quán)人第八名。

據(jù)總結(jié)，臺積公司在2020年的主要成就包括：

首先，臺積電在2020年的晶圓出貨量等效于1，240萬片十二吋晶圓，而2019年這個數(shù)字約為1，010萬片十二吋晶圓。

這主要得益于臺積電臺灣公司的四座十二吋超大晶圓廠（GIGAFAB Facilities）、四座八吋晶圓廠和一座六吋晶圓廠，并擁有一家百分之百持有之海外子公司—臺積電（南京）有限公司之十二吋晶圓廠及二家百分之百持有之海外子公司—WaferTech美國子公司、臺積電（中國）有限公司之八吋晶圓廠產(chǎn)能支援。

臺積電進(jìn)一步指出，公司四座超大晶圓廠的總產(chǎn)能已超過900萬片十二吋晶圓。晶圓十二廠、晶圓十四廠和晶圓十五廠目前提供0.13微米、90納米、65納米、40納米、28納米、20納米、16納米、10納米和7納米全世代以及其半世代設(shè)計的生產(chǎn)，目前5納米正在晶圓十八廠加速量產(chǎn)中。

此外，為提供更先進(jìn)的制造技術(shù)，公司亦在晶圓十二廠建置部分產(chǎn)能作為研發(fā)用途，以支援3納米、2納米及更先進(jìn)制程的技術(shù)發(fā)展。

其次，擁有最先進(jìn)的制程技術(shù)是臺積公司在專業(yè)集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域取得強(qiáng)大市場地位的重要關(guān)鍵。2020年，臺積電有58%的晶圓營收來自先進(jìn)制程技術(shù)（16納米及以下更先進(jìn)制程），高于2019年的50%。值得一提的是，臺積公司占全球半導(dǎo)體（不含存儲器）產(chǎn)值的24%，在2019年，這個數(shù)字為21%。

臺積電邏輯技術(shù)的進(jìn)展

根據(jù)財報，在2020年，臺積電持續(xù)投資研究與開發(fā)，全年研發(fā)總預(yù)算約占總營收之8.2%，此一研發(fā)投資規(guī)模相當(dāng)或超越了許多其他高科技領(lǐng)導(dǎo)公司的規(guī)模。臺積電進(jìn)一步指出，為了延續(xù)每二年半導(dǎo)體運(yùn)算能力增加一倍之摩爾定律所面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)日益困難，公司研發(fā)組織的努力著重于讓臺積公司能夠提供客戶率先上市且先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計解決方案，幫助客戶取得產(chǎn)品的成功。

臺積電在財報中指出，在2020年，隨著5納米技術(shù)的移轉(zhuǎn)及量產(chǎn)，公司的研發(fā)組織持續(xù)推動技術(shù)創(chuàng)新以維持業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)地位。當(dāng)臺積公司3納米技術(shù)，作為第六代三維晶體管技術(shù)平臺，持續(xù)全面開發(fā)，并與主要客戶完成I設(shè)計及開始進(jìn)行驗(yàn)證的同時，臺積公司已開始全面開發(fā)領(lǐng)先半導(dǎo)體業(yè)界的2納米技術(shù)，同時針對2納米以下的技術(shù)進(jìn)行探索性研究。

據(jù)臺積電總結(jié)顯示，在2020年獲得的技術(shù)成果，公司在邏輯方面取得了以下多個方面的進(jìn)展：

1、3納米制程技術(shù)

臺積電在2020年的研發(fā)著重于3納米制程技術(shù)基礎(chǔ)制程制定、良率提升、晶體管及導(dǎo)線效能改善，以及可靠性評估。相較于5納米制程技術(shù)，3納米制程技術(shù)顯著地改善芯片密度，在相同的功耗下提供更好的效能，或在相同的效能下提供更低的功耗。

據(jù)臺積電透露，公司主要客戶已于2020年完成3納米IP的設(shè)計，并開始進(jìn)行驗(yàn)證。臺積公司預(yù)計于2020年完成3納米制程技術(shù)驗(yàn)證以進(jìn)入試產(chǎn)。

2、2納米制程技術(shù)

2nm方面，臺積電于2020年初步研究及路徑尋找之后，已進(jìn)行2納米制程技術(shù)的研發(fā)階段，著重于測試鍵與測試載具之設(shè)計與實(shí)作、光罩制作以及硅試產(chǎn)。

3、微影技術(shù)

臺積電表示，公司微影技術(shù)在2020年的研發(fā)重點(diǎn)在于3納米技術(shù)、2納米技術(shù)開發(fā)和下一世代納米技術(shù)開發(fā)的先期準(zhǔn)備。針對3納米技術(shù)的開發(fā)，極紫外光（EUV）微影技術(shù)展現(xiàn)極佳的光學(xué)能力，與符合預(yù)期的芯片良率。研發(fā)單位正致力于極紫外光技術(shù)，以減少曝光機(jī)光罩缺陷及制程堆棧誤差，并降低整體成本。

臺積電表示，2020年，公司的2納米及更先進(jìn)制程上將著重于改善極紫外光技術(shù)的質(zhì)量與成本。臺積公司的極紫外光項(xiàng)目在光源功率及穩(wěn)定度上有持續(xù)性的進(jìn)展，光源功率的穩(wěn)定與改善得以加快先進(jìn)技術(shù)的學(xué)習(xí)速度與制程開發(fā)。此外，極紫外光光阻制程、光罩保護(hù)膜及相關(guān)的光罩基板也都展現(xiàn)顯著的進(jìn)步，極紫外光技術(shù)已全面量產(chǎn)。

4、光罩技術(shù)

光罩技術(shù)在先進(jìn)微影技術(shù)中極為關(guān)鍵。2020年，公司研發(fā)組織成功完成3納米制程光罩技術(shù)開發(fā)，大量導(dǎo)入更復(fù)雜且先進(jìn)的極紫外光光罩技術(shù)，且持續(xù)精進(jìn)極紫外光光罩技術(shù)，以滿足2納米微影技術(shù)在光罩上的需求。

5、導(dǎo)線與封裝技術(shù)整合

晶圓級系統(tǒng)整合技術(shù)（WLSI）在日益復(fù)雜的應(yīng)用領(lǐng)域中藉由混合與匹配不同平臺而迅速發(fā)展。這些包含在晶圓級系統(tǒng)整合范圍內(nèi)的技術(shù)被命名為3DFabric，因?yàn)樗軌驅(qū)崿F(xiàn)精細(xì)間距的芯片到芯片連接，以及利用現(xiàn)有晶圓制程的統(tǒng)合制造理念。

在3DFabric下，先嵌入芯片再做導(dǎo)線互連的所有制程都稱為整合型扇出（InFO）。而先做線路重布層（RDL），然后再將芯片嵌入預(yù)制的RDL上就稱為CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）。這個新的命名系統(tǒng)真實(shí)反映了制程的本質(zhì)并指向?qū)淼募夹g(shù)推進(jìn)軌跡。與同級制程系統(tǒng)整合芯片（System on Integrated Chips， SoIC）、SoW（System on Wafer）和SoIS（System on Integrated Substrate）結(jié)合在一起，它們形成了通用的晶圓級系統(tǒng)整合技術(shù)家族，將推動產(chǎn)業(yè)界在面對更具挑戰(zhàn)和多樣化的運(yùn)算系統(tǒng)整合需求下，滿足未來的系統(tǒng)級微縮需求。

6、三維集成電路（3DIC）與系統(tǒng)整合芯片（TSMC-SoIC）

系統(tǒng)整合芯片（TSMC-SoIC）是創(chuàng)新的晶圓級前段三維芯片（3DIC）堆棧平臺，具有卓越的接合密度、互連頻寬、功耗效率和薄形輪廓，可透過系統(tǒng)級微縮來延續(xù)摩爾定律，具有持續(xù)性的效能提升和成本優(yōu)勢。系統(tǒng)整合芯片接下來可以使用傳統(tǒng)封裝或臺積公司新的3DFabric技術(shù)，

例如CoWoS或整合型扇出來做封裝，支援下一代高效能運(yùn)算（HPC）、人工智能（AI）和行動應(yīng)用產(chǎn)品。目前臺積公司已使用微米級接合間距制程完成了芯片對晶圓（Chip on Wafer， CoW）和晶圓對晶圓（Wafer on Wafer， WoW）堆棧制程的驗(yàn)證，具有令人滿意的電性良率和可靠性結(jié)果。

臺積公司將繼續(xù)追求系統(tǒng)整合芯片技術(shù)的微縮，以與臺積公司先進(jìn)的硅技術(shù)保持一致，進(jìn)一步提高晶體管密度、系統(tǒng)功耗、性能和面積（Power， Performance， Area，PPA）與成本競爭力。

7、后芯片（Chip Last）CoWoS含有硅中介層的CoWoS是針對高端高效能運(yùn)算與人工

智能產(chǎn)品應(yīng)用的2.5D領(lǐng)先技術(shù)。此技術(shù)具有一個大型的硅中介層，該中介層具有次微米級的繞線層和整合電容（integrated capacitors， iCap），因此可以在其上面放置系統(tǒng)單芯片（SoC）和高頻寬存儲器（HBM）等各種小芯片。正在開發(fā)的第五代CoWoS具有創(chuàng)紀(jì)錄的硅中介層面積，高達(dá)2，400平方毫米，相當(dāng)于三個全光罩（full-reticle）尺寸。此技術(shù)預(yù)計于2021年上半年完成驗(yàn)證。

8、先芯片（Chip-First）整合型扇出（InFO）

2020年，臺積公司持續(xù)領(lǐng)先全球大量生產(chǎn)第五代整合型扇出層疊封裝技術(shù)（InFO-PoP Gen-5）以支援行動應(yīng)用，并大量生產(chǎn)第二代整合型扇出暨基板封裝技術(shù)（InFO-oS Gen-2）支援高效能運(yùn)算晶粒分割的應(yīng)用。

第六代InFO-PoP已成功通過認(rèn)證支援行動應(yīng)用和增強(qiáng)散熱性能。如期開發(fā)完成的第三代InFO-oS提供了更多的芯片分割，整合于更大的封裝尺寸和更高的頻寬。為了滿足HPC應(yīng)用的需求，臺積公司開發(fā)了超高頻寬整合型扇出暨局部硅互連技術(shù)（InFO Local Silicon Interconnect， InFO_LSI），其中系統(tǒng)單芯片小芯片（Chiplet）藉由超高密度局部硅互連（LSI）整合到三維InFO封裝中。無基板InFO使用多芯片異質(zhì)整合與更細(xì)間距的芯片到芯片互連技術(shù)，已成功完成驗(yàn)證以滿足消費(fèi)性電子產(chǎn)品的應(yīng)用。

最新一代整合式被動元件技術(shù)（Integrated Passive Device， IPD）提供高密度電容器和低有效串聯(lián)電感（Effective Series Inductance， ESL）以增強(qiáng)電性，并已在InFO-PoP上通過認(rèn)證。AI與5G行動應(yīng)用將受惠于此增強(qiáng)的InFO-PoP技術(shù)。最新一代IPD預(yù)計于2021開始大量生產(chǎn)。

9、先進(jìn)導(dǎo)線技術(shù)

臺積公司提供創(chuàng)新的技術(shù)讓互連導(dǎo)線可以持續(xù)微縮同時也兼顧芯片效能。2020年，公司提出全新未來互連導(dǎo)線的架構(gòu)。在極小尺寸之下，這個新的架構(gòu)可以克服銅金屬回填技術(shù)上的困難，同時顯著地降低導(dǎo)線的電阻跟電容。開發(fā)這些創(chuàng)新的解決方案，協(xié)助臺積公司延續(xù)其制程技術(shù)的全球領(lǐng)先地位。

值得一提的是，臺積電除了持續(xù)發(fā)展技術(shù)以外，公司還聚焦在先進(jìn)技術(shù)研究方面投入。

臺積電表示，元件及材料的創(chuàng)新，持續(xù)提升先進(jìn)邏輯技術(shù)的效能并降低功耗。2020年，臺積公司在二維材料及納米碳管晶體管的研究持續(xù)走在業(yè)界前端。臺積公司在完整二吋晶圓上成功展示了一個合成單原子層厚單晶的六角斜方氮化硼（hexagonal Boron Nitride， hBN）的制程，這是一個重要的成就，因?yàn)閔BN已顯示為二維材料元件通道的理想鈍化層。此杰出的基礎(chǔ)研究成果發(fā)表于2020年三月全球領(lǐng)先科學(xué)期刊之一的《自然》（Nature）。

在2020年舉行的超大型集成電路技術(shù)研討會（Symposia on VLSI Technology），臺積公司展示了使用化學(xué)氣相沉積二硫化鉬單原子層的二維材料晶體管，在汲極壹伏特操作電壓下有最高的二維材料n通道場效晶體管電流。

臺積公司也在2020年舉行的國際電子元件會議（International Electron Device Meeting， IEDM）介紹了一種新穎的薄膜界面介電層（ILX），它可以在納米碳管表面成核并均勻地長出小于0.5納米的薄膜，因而可以使用慣用的原子層沉積技術(shù)沉積納米碳管晶體管的high-k閘極介電層（二氧化鉿）。使用這個新穎的ILX，閘極長度微縮到15納米的上方閘極控制納米碳管晶體管，展示了接近理想的閘極控制。

臺積公司持續(xù)尋找并探索支援人工智能和高效能運(yùn)算應(yīng)用的新興高密度、非揮發(fā)性存儲器硬件加速器。臺積公司的先進(jìn)技術(shù)研究處于最佳的位置，為持續(xù)一個技術(shù)制程接一個技術(shù)制程密度增加、提升效能、降低功耗鋪路，如同過去所做。

臺積電的特殊工藝制程

在上一個章節(jié)，我們主要介紹了臺積電在邏輯電路方面的進(jìn)展。但作為晶圓代工巨頭，臺積電其實(shí)在特殊工藝制程方面，也取得了不錯的成績。

1、混合訊號／射頻

2020年，臺積公司成功開發(fā)以3納米IP及以電磁模擬為基礎(chǔ)的LC振蕩器設(shè)計解決方案，滿足高速SerDes電路設(shè)計的需求，此解決方案能協(xié)助電路設(shè)計人員縮短設(shè)計周期，并針對不同金屬層組合，提供LC振蕩器元件及電路布局之全方位服務(wù)。

據(jù)他們介紹，2020是第一年終端使用者開始受惠于五代行動通訊技術(shù)（5G）網(wǎng)絡(luò)的高傳輸速度、低延遲以及巨量物聯(lián)網(wǎng)連結(jié)的優(yōu)勢，為了提升5G的成本與受益比，臺積公司提供各式7納米及6納米的射頻元件，以符合客戶在收發(fā)器設(shè)計的需求。藉由增強(qiáng)射頻切換器的效能，臺積公司開發(fā)40納米特殊制程支援頻率6GHz以下應(yīng)用的5G射頻前端模塊設(shè)計。針對較高頻段的毫米波設(shè)計，臺積公司亦提供28納米高效能精簡型強(qiáng)效版制程（28HPC+），增強(qiáng)功率放大器的效能，應(yīng)用于5G毫米波前端模塊設(shè)計。

2、電源IC／雙極-互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體-雙重擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體（BCD）

2020年，臺積公司擴(kuò)大其十二吋BCD技術(shù)的制程范疇，涵蓋90納米、55納米以及22納米，以因應(yīng)快速成長的行動電源管理芯片應(yīng)用，包括不同的整合度，以及特別的功耗成長需求。90納米BCD技術(shù)支援5伏到35伏的廣泛應(yīng)用，將于2021年持續(xù)擴(kuò)充。

3、面板驅(qū)動

2020年，臺 積 公司 開 發(fā) 晶 圓 堆 疊（WoW 28HPC／40HV）技術(shù)，相較于28HPC+，具有相似的穩(wěn)定產(chǎn)品良率，且降低60％功耗。同時，28HV單芯片技術(shù)完成了客戶IP驗(yàn)證以及128Mb SRAM良率驗(yàn)證。這些技術(shù)是支援小尺寸面板4K分辨率、有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）和120Hz顯示驅(qū)動IC的領(lǐng)先技術(shù)。

此外，臺積公司完成OLED在硅產(chǎn)品驗(yàn)證并導(dǎo)入AR／VR應(yīng)用的量產(chǎn)，具有優(yōu)異的量產(chǎn)良率與照明均勻性。2021年，臺積公司規(guī)劃推出此技術(shù)的改良版，采用8伏晶體管提升晶圓堆棧效率，提高效能并降低成本，支援28HV OLED觸控顯示整合（TDDI）之應(yīng)用。

4、微機(jī)電系統(tǒng)

2020年年，臺積公司完成模塊化微機(jī)電系統(tǒng)（Modular MEMS）技術(shù)的驗(yàn)證，以大量生產(chǎn)高分辨率加速度計與陀螺儀。未來計劃包含開發(fā)下一世代高敏感度薄型麥克風(fēng)、十二吋晶圓微機(jī)電光學(xué)影像穩(wěn)定（Optical Image Stabilization， OIS）系統(tǒng)解決方案，以及生物微機(jī)電應(yīng)用。

5、氮化鎵半導(dǎo)體

2020年，臺積公司開始量產(chǎn)第一代650伏和100伏增強(qiáng)型高電子移動率晶體管（E-HEMT），迅速拉升至全產(chǎn)能，公司持續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)能以因應(yīng)客戶的需求，第二代650伏和100伏E-HEMT之質(zhì)量因素（FOM）較第一代改善50%，預(yù)計于2021年年投入生產(chǎn)。

此外，100伏空乏型高電子移動率晶體管（D-HEMT）已完成元件開發(fā)，具備優(yōu)異的性能，且通過多家5G基地臺模塊設(shè)計公司的工程驗(yàn)證，預(yù)計于2021年進(jìn)入試產(chǎn)。

6、互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）影像傳感器

2020年，臺積公司在互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體影像傳感器技術(shù)獲致數(shù)項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新，有四項(xiàng)主要成果：（1）畫素尺寸的微縮較前一年減少15%，目前大量生產(chǎn)中，支援行動裝置，高分辨率影像感測應(yīng)用；（2）完成技術(shù)移轉(zhuǎn)并開始量產(chǎn)車用規(guī)格等級，超高動態(tài)范圍的影像傳感器，符合高可靠度標(biāo)準(zhǔn)；（3）鍺質(zhì)飛時測距（TOF）傳感器開始試產(chǎn)，提供較高的三維物件感測準(zhǔn)確度并使用較長的光源波長，相較于硅質(zhì)感測器，獲致較低的系統(tǒng)功耗，適合行動裝置與機(jī)器視覺應(yīng)用；（4）成功開發(fā)第二代三維金屬-介電質(zhì)-金屬（MiM）高密度畫素內(nèi)嵌式電容，電容密度較前一代高三倍，支援全域式快門與高動態(tài)范圍影像傳感器之應(yīng)用。

7、嵌入式快閃存儲器／新興存儲器

2020年，臺積公司在嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術(shù)領(lǐng)域達(dá)成數(shù)項(xiàng)重要的里程碑：在40納米制程方面，公司已成功量產(chǎn)分離閘（Split-Gate）反或閘式（NOR）技術(shù)，以支援消費(fèi)性電子產(chǎn)品的應(yīng)用與各種車用電子產(chǎn)品的應(yīng)用；

在28納米制程方面，支援高效能行動運(yùn)算與高效能低漏電制程平臺的嵌入式快閃存儲器開發(fā)維持穩(wěn)定的高良率，并已通過消費(fèi)性電子與第一級車用電子技術(shù)驗(yàn)證，預(yù)計于2021完成最高規(guī)格第零級車用電子技術(shù)驗(yàn)證；

臺積公司亦提供嵌入于非揮發(fā)性存儲器之電阻存儲器技術(shù)，作為低成本解決方案，支援對價格敏感的物聯(lián)網(wǎng)市場；40納米已完成技術(shù)驗(yàn)證，客戶產(chǎn)品驗(yàn)證持續(xù)進(jìn)行，28納米已進(jìn)入量產(chǎn)，22納米于2020年完成技術(shù)驗(yàn)證。

2020年，臺積公司在嵌入式磁性隨機(jī)存取存儲器技術(shù)取得大幅進(jìn)展，22納米已完成技術(shù)驗(yàn)證并成功進(jìn)入量產(chǎn)，并榮獲2020年度快閃存儲器高峰會之最佳參展項(xiàng)目獎，支援最創(chuàng)新的人工智能應(yīng)用；22納米嵌入式磁性隨機(jī)存取存儲器預(yù)計于2021年完成技術(shù)驗(yàn)證，支援車用電子應(yīng)用；在16納米制程方面，維持穩(wěn)定的高良率，預(yù)計于3032年完成技術(shù)驗(yàn)證，以因應(yīng)下一世代嵌入式存儲器，支援MCU、車用、物聯(lián)網(wǎng)以及人工智能裝置等多項(xiàng)應(yīng)用。

未來的主要發(fā)力點(diǎn)

為了維持及強(qiáng)化臺積公司的技術(shù)領(lǐng)先地位，臺積公司計劃持續(xù)大力投資研發(fā)。對于先進(jìn)的CMOS邏輯技術(shù)，臺積公司的3納米及2納米CMOS技術(shù)將持續(xù)進(jìn)展。

此外，公司的前瞻研發(fā)工作將聚焦于2納米以下的技術(shù)，例如三維晶體管、新存儲器及低電阻導(dǎo)線等領(lǐng)域，符合進(jìn)度以期為技術(shù)平臺提供堅實(shí)的基礎(chǔ)。關(guān)于三維集成電路先進(jìn)封裝，具有節(jié)能效益的子系統(tǒng)整合和微縮的創(chuàng)新，能夠進(jìn)一步增強(qiáng)CMOS邏輯應(yīng)用。在特殊制程技術(shù)方面，臺積公司更加著重于新的特殊技術(shù)，例如射頻及三維智能傳感器，以支援5G及智能物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用。

臺積電主要研發(fā)計劃摘要

2017年，臺積公司成立先進(jìn)技術(shù)研究部門，將持續(xù)專注于新材料、制程、元件、納米線、存儲器等未來八至十年后的長期研發(fā)。臺積公司也持續(xù)與外部的研究組織合作，從學(xué)術(shù)界到產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，以延續(xù)摩爾定律為目標(biāo)，為提供客戶具成本效益的技術(shù)及制造解決方案鋪路。

憑借著優(yōu)異、高度專注的研發(fā)團(tuán)隊，加上對創(chuàng)新的堅定承諾，臺積公司對自身的能力有信心，為客戶提供有競爭力的系統(tǒng)單芯片技術(shù)，確保公司在未來業(yè)務(wù)的成長及獲利。

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