PCB走線電感

其中W為走線寬度，l為走線長度，可以發(fā)現(xiàn)PCB走線電感與敷銅厚度無關(guān)，走線電感主要由長度l決定。

電源和地之間的走線電感

開關(guān)電源的MOSFET通常由IC的驅(qū)動級產(chǎn)生，MOSFET的源級通常接地，如果源級和地之間的走線有點(diǎn)長的話，在開關(guān)轉(zhuǎn)換的瞬間上面會產(chǎn)生電感的反向電動勢，不嚴(yán)重的話只是降低開關(guān)的切換速度，嚴(yán)重的話會是MOS管損壞，這種電壓的脈沖不受控制，本質(zhì)上是基于走線電感參數(shù)的，因此必須使你的源極寄生電感盡量小，走線短。

下圖是MOS管開關(guān)瞬間可能發(fā)生的情形，這種情況是安全的，僅僅降低了開關(guān)的切換速度，當(dāng)柵極控制MOS管關(guān)斷的時(shí)候，由于漏源極導(dǎo)通的時(shí)候源極的PCB走線也通過了電流，這部分走線相當(dāng)于一個(gè)小電感，由于電感的反向電動勢，相當(dāng)于一個(gè)小的電壓源以阻止電流減小，電流持續(xù)流動一直到儲能耗光，因此這段時(shí)間會使開關(guān)的關(guān)斷速度下降。

如果MOS管的源極是通過過孔下地，此時(shí)也需要注意過孔電感，此時(shí)需要多打過孔來減小寄生電感。

h為過孔深度(通孔為板厚)，d為過孔直徑，單位都為mm。

另外，射頻調(diào)參的時(shí)候，理論的Smith圓圖匹配和實(shí)際上差異非常大，是否需要把寄生參數(shù)表現(xiàn)出來的電容或者電感特性表示出來呢？感興趣的同學(xué)可以思考一下走線電感與寄生電容/層間電容對射頻電路的影響，以前項(xiàng)目需要，低頻LC（125KHz）是可以通過已知參數(shù)計(jì)算出寄生電容的（pF/nF級，主要是使產(chǎn)品的諧振頻率偏差5%以內(nèi)，由于PCB板和每片IC的差異，因此需要通過對內(nèi)部的諧振電容進(jìn)行調(diào)諧），不過高頻的沒試過，頻率穩(wěn)定度要求高的話，100ppm的話也夠了，不知道有沒有這類的案例。