業(yè)內(nèi)唯一可同時(shí)提供級(jí)聯(lián)型(cascade)和增強(qiáng)型(e-mode)氮化鎵器件的供應(yīng)商。
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的 E-mode(增強(qiáng)型)功率 GaN FET 。Nexperia(安世半導(dǎo)體)在其級(jí)聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型 E-mode 器件,從 GaN FET 到其他硅基功率器件, Nexperia(安世半導(dǎo)體)豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計(jì)人員提供最佳的選擇。
Nexperia(安世半導(dǎo)體)的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為 650 V 的 E-mode GaN FET(RDS(on)值介于 80 mΩ 至 190 mΩ 之間),提供 DFN 5x6 mm 和 DFN 8x8 mm 兩種封裝。這些產(chǎn)品可在高電壓(< 650 V)、低功率的數(shù)據(jù)通訊/電信、消費(fèi)類(lèi)充電、太陽(yáng)能和工業(yè)應(yīng)用中提高電源轉(zhuǎn)換效率,還可用于高精度無(wú)刷直流電機(jī)和緊湊型服務(wù)器設(shè)計(jì),以實(shí)現(xiàn)更高扭矩和更大功率。?
Nexperia(安世半導(dǎo)體)現(xiàn)還提供采用 WLCSP8 封裝的100 V(3.2 mΩ)GaN FET 和采用 FCLGA 封裝的150 V(7 m?)GaN FET 。這些器件適合各種低電壓(<150 V)、高功率應(yīng)用,例如,數(shù)據(jù)中心使用的高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、快速充電(電動(dòng)出行類(lèi)和 USB-C 類(lèi))、小尺寸 LiDAR 收發(fā)器、低噪聲 D 類(lèi)音頻放大器以及功率密度更高的消費(fèi)類(lèi)設(shè)備(如手機(jī)、筆記本電腦和游戲主機(jī))。?
在許多功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中, GaN FET 憑借緊湊型解決方案尺寸能實(shí)現(xiàn)更高的功率效率,從而顯著降低物料(BOM)成本。因此, GaN 器件在主流電力電子市場(chǎng)逐漸得到了廣泛應(yīng)用,包括服務(wù)器計(jì)算、工業(yè)自動(dòng)化、消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用和電信基礎(chǔ)設(shè)施。基于 GaN 的器件具備快速轉(zhuǎn)換/開(kāi)關(guān)能力(高 dv/dt 和 di/dt),可在低功率和高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中提供出色的效率。Nexperia(安世半導(dǎo)體)的 E-mode GaN FET 具有出色的開(kāi)關(guān)性能,這得益于極低的 Qg和 QOSS值,并且低 RDS(on)有助于實(shí)現(xiàn)更高的功率效率設(shè)計(jì)。
這些新器件進(jìn)一步擴(kuò)充了 Nexperia(安世半導(dǎo)體)豐富的 GaN FET 產(chǎn)品系列,適合各種功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。產(chǎn)品組合包括支持高電壓、高功率應(yīng)用的級(jí)聯(lián)器件,支持高電壓、低功率應(yīng)用的 650 V E-mode 器件和支持低電壓、高功率應(yīng)用的 100/150 V E-mode 器件。此外, Nexperia E-mode GaN FET 采用8英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)制造以提高產(chǎn)能,符合工業(yè)級(jí)的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。Nexperia(安世半導(dǎo)體)的 GaN 器件產(chǎn)品系列不斷擴(kuò)充,充分體現(xiàn)了 Nexperia(安世半導(dǎo)體)堅(jiān)守承諾,促進(jìn)優(yōu)質(zhì)硅器件和寬禁帶技術(shù)發(fā)展的決心。
Nexperia (安世半導(dǎo)體)
Nexperia(安世半導(dǎo)體)總部位于荷蘭,是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導(dǎo)體公司,目前在歐洲、亞洲和美國(guó)共有15,000多名員工。作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)跑者,Nexperia(安世半導(dǎo)體)的器件被廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、工業(yè)、移動(dòng)和消費(fèi)等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,幾乎為世界上所有電子設(shè)計(jì)的基本功能提供支持。
Nexperia(安世半導(dǎo)體)為全球客戶(hù)提供服務(wù),每年的產(chǎn)品出貨量超過(guò)1,000億件。這些產(chǎn)品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面成為行業(yè)基準(zhǔn),獲得廣泛認(rèn)可。Nexperia(安世半導(dǎo)體)擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續(xù)擴(kuò)充的產(chǎn)品范圍,并獲得了 IATF 16949、 ISO 9001、 ISO 14001和 ISO 45001標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,充分體現(xiàn)了公司對(duì)于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿(mǎn)足行業(yè)嚴(yán)苛要求的堅(jiān)定承諾。
Nexperia:效率致勝。
審核編輯:湯梓紅
-
FET
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
785瀏覽量
64090 -
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
2186瀏覽量
76336 -
Nexperia
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
780瀏覽量
57682 -
安世半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
6文章
169瀏覽量
23190
原文標(biāo)題:新品快訊?| Nexperia(安世半導(dǎo)體)推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET
文章出處:【微信號(hào):Nexperia_China,微信公眾號(hào):安世半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
安世半導(dǎo)體Nexperia推出車(chē)規(guī)級(jí)平面肖特基二極管,采用節(jié)省空間的CFP2-HP封裝
Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET
Nexperia擴(kuò)展E-mode GaN FET產(chǎn)品組合
Nexperia推出全新CCPAK GaN FET產(chǎn)品組合
Nexperia推出超低靜態(tài)電流通用低壓差穩(wěn)壓器
安世半導(dǎo)體榮獲2024行家極光獎(jiǎng)年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)
安世半導(dǎo)體推出微型無(wú)引腳邏輯IC
安世半導(dǎo)體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)
如何使用UCC21220A驅(qū)動(dòng)高壓GaN FET

評(píng)論