概述
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路,可將標準(易失性)CMOS RAM轉換為非易失性存儲器。它還會持續監控電源,以在RAM的電源處于邊際(超出容限)條件時提供RAM寫保護。當電源開始出現故障時,RAM受到寫保護,并且器件切換到電池備用模式。
數據表:*附件:MXD1210非易失RAM控制器技術手冊.pdf
應用
特性
引腳配置
非易失性RAM控制器
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