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AD9573 PCI-Express時(shí)鐘發(fā)生器IC,PLL內(nèi)核,分頻器,兩路輸出技術(shù)手冊(cè)

要長(zhǎng)高 ? 2025-04-11 09:51 ? 次閱讀
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概述
AD9573是一款高度集成的雙路輸出時(shí)鐘發(fā)生器 , 包括一個(gè)針對(duì)PCI-e應(yīng)用而優(yōu)化的片內(nèi)PLL內(nèi)核 。 整數(shù)N分頻PLL設(shè)計(jì)基于ADI公司成熟的高性能、低抖動(dòng)頻率合成器系列 , 可實(shí)現(xiàn)線(xiàn)路卡的較高性能 。 這款器件也適合相位噪聲和抖動(dòng)要求嚴(yán)格的其它應(yīng)用。
數(shù)據(jù)表:*附件:AD9573 PCI-Express時(shí)鐘發(fā)生器IC,PLL內(nèi)核,分頻器,兩路輸出技術(shù)手冊(cè).pdf

PLL部分由低噪聲鑒頻鑒相器(PFD)、精密電荷泵、低相位噪聲壓控振蕩器(VCO)、預(yù)編程的反饋分頻器和輸出分頻器組成。

通過(guò)連接一個(gè)外部25 MHz晶振,可以將100 MHz和33.33 MHz輸出頻率鎖定至輸入?yún)⒖肌]敵龇诸l比和反饋分頻比可針對(duì)所要求的輸出速率進(jìn)行預(yù)編程。無(wú)需外部環(huán)路濾波器,從而節(jié)省寶貴的設(shè)計(jì)時(shí)間和電路板空間。

AD9573提供16引腳、4.4 mm × 5.0 mm TSSOP封裝,可以采用3.3 V單電源供電。溫度范圍為?40°C至+85°C。

應(yīng)用

特性

  • 完全集成的VCO/PLL內(nèi)核
    均方根抖動(dòng):0.54 ps(12 kHz至20 MHz)
    輸入晶振頻率:25 MHz
  • 針對(duì)100 MHz、33.33 MHz提供預(yù)設(shè)分頻比
  • LVDS/LVCMOS 輸出格式
  • 集成環(huán)路濾波器
  • 4.4 mm × 5.0 mm TSSOP封裝,節(jié)省空間
  • 功耗:0.235 W
  • 3.3 V 工作電壓

框圖
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引腳配置描述
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典型性能特征
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操作理論
圖8展示了AD9573的框圖。該芯片具有一個(gè)鎖相環(huán)(PLL)內(nèi)核,經(jīng)過(guò)配置可生成PCI - Express所需的特定時(shí)鐘頻率,無(wú)需用戶(hù)進(jìn)行任何編程。此PLL基于亞德諾半導(dǎo)體Analog Devices)成熟的合成器技術(shù),其卓越的相位噪聲性能值得關(guān)注。AD9573集成度很高,包含環(huán)路濾波器、電源噪聲抗擾度調(diào)節(jié)器、所有必要的分頻器、輸出緩沖器以及一個(gè)晶體振蕩器。用戶(hù)只需提供25 MHz的外部晶體,即可實(shí)現(xiàn)完整的PCIe時(shí)鐘解決方案,無(wú)需處理器干預(yù)。
image.png

輸出

表11總結(jié)了可用的輸出。

表11. 輸出格式

image.png

圖9展示了LVDS輸出的簡(jiǎn)化等效電路。100 MHz輸出被描述為L(zhǎng)VDS,是因?yàn)樗捎昧薒VDS驅(qū)動(dòng)器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。不過(guò),其電平為HCSL兼容,因此與標(biāo)準(zhǔn)LVDS不同。輸出電流有所增加,以提供比標(biāo)準(zhǔn)LVDS更大的輸出擺幅。
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圖9. LVDS輸出簡(jiǎn)化等效電路

根據(jù)表12連接OE引腳,可將兩個(gè)輸出都置于高阻抗?fàn)顟B(tài)。該引腳有一個(gè)50 kΩ的下拉電阻

表12. 輸出使能引腳功能

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鑒頻鑒相器(PFD)和電荷泵

PFD接收來(lái)自參考時(shí)鐘和反饋分頻器的輸入,產(chǎn)生一個(gè)與兩者之間相位和頻率差成比例的輸出。圖10展示了簡(jiǎn)化示意圖。
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圖10. PFD簡(jiǎn)化示意圖及時(shí)序(鎖定狀態(tài))

電源

AD9573的VDD需要3.3 V ± 10%的電源。規(guī)格部分的表格給出了AD9573在該電源電壓范圍內(nèi)的性能預(yù)期。相對(duì)于地,VDD或VDDA引腳上的絕對(duì)最大電壓范圍為(-0.3 V) - (+3.6 V),此范圍絕不能被超出。

PCB布局中應(yīng)遵循良好的工程實(shí)踐。電源走線(xiàn)和PCB接地層的電源應(yīng)在PCB上用足夠的電容(>10 μF)旁路。AD9573應(yīng)使用足夠的電容(0.1 μF)在所有電源引腳處盡可能靠近引腳進(jìn)行去耦。

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