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三菱電機開始提供全SiC和混合SiC SLIMDIP樣品

三菱電機半導體 ? 來源:三菱電機半導體 ? 2025-04-16 14:58 ? 次閱讀
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全SiC SLIMDIP(PSF15SG1G6)

與相同封裝的混合SiC SLIMDIP(PSH15SG1G6)

三菱電機集團今日宣布,將于4月22日開始供應(yīng)兩款新型空調(diào)及家電用SLIMDIP系列功率半導體模塊樣品——全SiC SLIMDIP(PSF15SG1G6)和混合SiC SLIMDIP(PSH15SG1G6)。作為該企業(yè)SLIMDIP系列中首款采用SiC技術(shù)的緊湊型端子優(yōu)化模塊,這兩款產(chǎn)品在小型至大型電器應(yīng)用中均能實現(xiàn)優(yōu)異的輸出性能與功耗降低,顯著提升能效表現(xiàn)。三菱電機將在PCIM Expo&Conference 2025(5月6-8日,德國紐倫堡)及日本、中國等國家的行業(yè)展會上展出這兩款產(chǎn)品。

三菱電機新開發(fā)的SiC金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)芯片已集成至兩款新型SLIMDIP封裝中。與現(xiàn)行硅基逆導型絕緣柵雙極晶體管(RC-IGBT)SLIMDIP模塊相比,新型SiC模塊可為大容量家電提供更高的輸出功率。此外,與硅基模塊相比,全SiC SLIMDIP的功率損耗降低了79%1,混合SiC SLIMDIP的功率損耗降低了47%1,可使電器更節(jié)能。通過這兩款新型模塊與現(xiàn)有硅基RC-IGBT SLIMDIP模塊的組合,SLIMDIP系列現(xiàn)可為空調(diào)等家電的逆變器電路板提供三種選擇,每種選擇可分別滿足不同電氣容量與性能需求,在保持相同封裝的前提下,幫助減輕逆變器基板的設(shè)計負擔。

產(chǎn) 品 特 點

該系列首款SiC MOSFET模塊,幫助提升家電用大容量逆變器的輸出功率

由于內(nèi)置了新開發(fā)的專為SLIMDIP封裝優(yōu)化的SiC MOSFET芯片,作為首款面向大容量家電的SiC SLIMDIP功率半導體模塊,其輸出功率較現(xiàn)有硅基RC-IGBT SLIMDIP模塊顯著提高

全SiC SLIMDIP模塊將功率損耗降低了79%,顯著提升家電能效

全新SiC MOSFET模塊適配全SiC SLIMDIP的芯片尺寸與特性,與現(xiàn)行硅基模塊相比可降低79%1的功率損耗,顯著提升家電能效。當應(yīng)用于空調(diào)壓縮機逆變器電路時,更可實現(xiàn)年功率損耗降低80%2

得益于SiC MOSFET和RC-IGBT,混合SiC SLIMDIP模塊將功率損耗降低了47%

三菱電機將SiC MOSFET和RC-IGBT集成到單個功率半導體模塊中并應(yīng)用于家電領(lǐng)域,與目前的硅基模塊相比,混合SiC SLIMDIP能夠?qū)⒐慕档?7%1。當應(yīng)用于空調(diào)壓縮機逆變器電路時,更可實現(xiàn)年功率損耗降低41%2

混合SiC SLIMDIP內(nèi)部封裝了多個元件及連線,采用同一IC來驅(qū)動并聯(lián)的SiC MOSFET(低電流下低導通電壓)和Si RC-IGBT(高電流導通特性)并將之應(yīng)用于家電領(lǐng)域

主要規(guī)格

產(chǎn)品 全SiC SLIMDIP 混合SiC SLIMDIP
型號 PSF15SG1G6 PSH15SG1G6
內(nèi)置功率芯片 SiC MOSFET SiC MOSFET + RC-IGBT
額定電壓 600V
額定電流 15A
拓撲 6in1
電路圖 46531184-19d9-11f0-9310-92fbcf53809c.jpg 46664362-19d9-11f0-9310-92fbcf53809c.jpg
絕緣電壓 2000Vrms
尺寸
(寬×深×高)
32.8×18.8×3.6mm
樣品開始提供日期 2025年4月22日
環(huán)保意識 本產(chǎn)品符合RoHS3指令2011/65/EU和(EU)2015/863

背景

為實現(xiàn)更高水平的脫碳目標,市場對能夠高效轉(zhuǎn)換電力的家電用功率半導體的需求正持續(xù)增長,例如控制空調(diào)、洗衣機中壓縮機與風扇的逆變器。全球范圍內(nèi),家用電器的節(jié)能逆變器正加速普及,而日本更在不斷加強家電能效的法規(guī)約束。在此背景下,對有助于提升逆變器效率的高性能功率半導體,其市場需求預(yù)計將保持持續(xù)增長態(tài)勢。

三菱電機于1997年實現(xiàn)DIPIPM智能功率半導體模塊商業(yè)化量產(chǎn),該模塊采用壓注模結(jié)構(gòu),集成了具有驅(qū)動和保護功能的開關(guān)元件與控制IC。2010年,三菱電機推出了搭載SiC功率半導體模塊的“霧峰”家用空調(diào)。2015年,三菱電機發(fā)布了采用RC-IGBT的SLIMDIP系列模塊,較第6代超小型DIPIPM體積縮小約30%,助力家電產(chǎn)品向小型化與高能效演進。2016年,三菱電機公布了全SiC超小型DIPIPM,進一步推進家用空調(diào)的節(jié)能化。

注:混合SiC SLIMDIP產(chǎn)品所采用的并聯(lián)驅(qū)動與封裝技術(shù),是與日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)(NEDO)資助的"脫碳社會節(jié)能技術(shù)商業(yè)化開發(fā)促進計劃"合作研發(fā)的成果。

關(guān)于三菱電機

三菱電機創(chuàng)立于1921年,是全球知名的綜合性企業(yè)。截止2024年3月31日的財年,集團營收52579億日元(約合美元348億)。作為一家技術(shù)主導型企業(yè),三菱電機擁有多項專利技術(shù),并憑借強大的技術(shù)實力和良好的企業(yè)信譽在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動化電子元器件、家電等市場占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場,三菱電機從事開發(fā)和生產(chǎn)半導體已有69年。其半導體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無線通訊等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

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原文標題:【新品】三菱電機開始提供全SiC和混合SiC SLIMDIP樣品

文章出處:【微信號:三菱電機半導體,微信公眾號:三菱電機半導體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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