概述
ADRF5721是一款硅、4位數字衰減器,以2 dB步長提供30 dB的衰減控制范圍。
該器件的工作頻率范圍為9 kHz至40 GHz,提供優于3.4 dB的插入損耗。在所有狀態下,ADRF5721的ATTIN端口具有26 dBm(平均值)和30 dBm(峰值)的射頻(RF)輸入功率處理能力。
ADRF5721需要+3.3 V和?3.3 V雙電源電壓供電。該器件具有串行外設接口(SPI)、并行模式控制和互補金屬氧化物半導體(CMOS)/低壓晶體管對晶體管邏輯(LVTTL)兼容控制特性。
ADRF5721與ADRF5731(快速切換版本)引腳兼容,工作頻率范圍為100 MHz至40 GHz。
ADRF5721 RF端口設計用于匹配50 Ω的特征阻抗。
ADRF5721采用符合RoHS標準的16引腳、2.5 mm × 2.5 mm、基板柵格陣列(LGA)封裝,工作溫度范圍為?40°C至+105°C。
數據表:*附件:ADRF5721 2dB LSB、4位硅數字衰減器,9kHz至40GHz技術手冊.pdf
應用
- 工業掃描儀
- 測試和儀器儀表
- 蜂窩基礎設施:5G毫米波
- 軍用無線電、雷達、電子對抗(ECM)
- 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
特性 - 超寬帶頻率范圍:9 kHz至40 GHz
- 衰減范圍:2 dB步進至30 dB
- 低插入損耗
- 1.6 dB 至 18 GHz
- 2.0 dB 至 26 GHz
- 3.4 dB 至 40 GHz
- 衰減精度
- ±(0.1 + 1.0%) 的衰減狀態,最高18 GHz
- ±(0.1 + 2.5%)的衰減狀態,最高26 GHz
- ±(0.6 + 10.0%)的衰減狀態,最高40 GHz
- 典型步進誤差
- ±0.15 dB 至 18 GHz
- ±0.20 dB 至 26 GHz
- ±0.60 dB 至 40 GHz
- 高輸入線性度
- P0.1dB插入損耗狀態:30 dBm
- P0.1dB其他衰減狀態:26 dBm
- IP3: 50 dBm(典型值)
- 高RF輸入功率處理:26 dBm平均值,30 dBm峰值
- 相對相位中的緊湊分布
- 無低頻開關雜散
- SPI和并行模式控制,CMOS/LVTTL兼容
- RF幅度建立時間(0.1 dB最終RF輸出):8.5 μs
- 2.5 mm × 2.5 mm、16引腳LGA封裝
- 與ADRF5731引腳兼容,快速切換版本
框圖
引腳配置描述
接口示意圖
典型性能特征
應用信息
評估板
ADRF5721 - EVALZ是一款四層評估板。頂層和底層銅層為0.5盎司(0.7密耳),鍍覆至1.5盎司(2.2密耳),并由電介質材料隔開。該評估板的堆疊結構如圖27所示。
所有射頻和直流走線都布置在頂層銅層,而內層和底層為接地層,為射頻傳輸線提供穩固的接地。頂層電介質材料為12密耳的Rogers RO4003,可提供最佳的高頻性能。中間和底層電介質材料提供機械強度。電路板總厚度為62密耳,可在板邊連接2.4 mm的射頻連接器。
射頻傳輸線采用共面波導(CPWG)模型設計,線寬為16密耳,與接地層間距為6密耳,特性阻抗為50Ω。為實現最佳射頻和熱接地效果,應圍繞傳輸線及器件外露焊盤布置盡可能多的過孔。
直通校準可用于校準消除ADRF5721 - EVALZ評估板測量中的板損耗效應,以確定集成電路引腳處的性能。圖28展示了ADRF5721 - EVALZ評估板的典型板損耗(THRU)、嵌入插入損耗以及去嵌入插入損耗。
圖28展示了插入損耗與頻率的關系。
圖29展示了帶有元件布局的實際ADRF5721 - EVALZ評估板。
兩個電源端口連接到VDD和VSS測試點TP1和TP2,接地參考連接到GND測試點TP4。在電源走線VDD和VSS上,使用一個100 pF的旁路電容來濾除高頻噪聲。此外,還有未安裝元件的位置,可通過添加元件來應用額外的旁路電容。
所有數字控制引腳通過數字信號走線連接到2×9引腳接頭P1。設有一個電阻電容(RC)濾波器,有助于消除直流耦合噪聲。在評估ADRF5721時,評估板上未安裝外部RC濾波器,此時串聯電阻為0Ω,并聯電容未安裝。
射頻輸入和輸出端口(ATTIN和ATTOUT)分別通過50Ω傳輸線連接到2.4 mm射頻連接器J1和J2。這些高頻射頻連接器通過接觸連接,未焊接到板上。
一條直通校準傳輸線J3和J4未安裝元件。這條傳輸線用于評估環境條件下估算印刷電路板的損耗,ADRF5721 - EVALZ評估板的示意圖如圖30所示。
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ADRF5721 2 dB LSB、4位硅數字衰減器,9 kHz至40 GHz

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