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TPS51116-EP 增強型產品 DDR1、DDR2、DDR3 切換器和 LDO數據手冊

科技綠洲 ? 2025-04-27 13:35 ? 次閱讀
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TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、 和 LPDDR3 內存系統。它將同步降壓控制器與 1A 灌電流/拉電流集成在一起 跟蹤線性穩壓器和緩沖低噪聲基準。TPS51116 提供最低的總數 在空間非常寶貴的系統中實現解決方案成本。TPS51116 同步控制器運行 具有自適應導通時間控制的固定 400kHz 偽恒定頻率 PWM 在 D-CAP 模式下配置,易于使用和最快的瞬態 響應或在電流模式下支持陶瓷輸出電容器。1A 灌電流/拉電流 LDO 保持 快速瞬態響應,只需 20 μF (2 × 10 μF) 的陶瓷輸出電容。在 此外,LDO 電源輸入可從外部獲得,以顯著降低總功率 損失。TPS51116 支持所有睡眠狀態控制,在 S3 中將 VTT 置于高阻態(暫停 到 RAM)和 S4/S5 中的 VDDQ、VTT 和 VTTREF(軟關閉)(掛起到磁盤)。TPS51116 所有保護功能包括熱關斷功能,并采用 20 引腳 HTSSOP 封裝 PowerPAD 封裝。
*附件:tps51116-ep.pdf

特性

  • 同步降壓控制器 (VDDQ)
    • 寬輸入電壓范圍:3.0V 至 28V
    • 具有 100ns 負載階躍響應的 D?CAP? 模式
    • 電流模式選項支持陶瓷輸出電容器
    • 支持 S4/S5 狀態下的軟關斷
    • 來自 R 的電流感應 DS(開) 或 Resistor
    • 2.5V (DDR)、1.8V (DDR2),可調至
      1.5V (DDR3) 或 1.2V (LPDDR3) 或
      輸出范圍 0.75V 至 3.0V
    • 配備 Powergood、過壓保護和
      欠壓保護
  • 1A LDO (VTT)、緩沖基準 (VREF)
    • 能夠吸收和拉出 1 A 電流
    • LDO 輸入可用于優化功率損耗
    • 只需要 20-7 微;F 陶瓷輸出電容器
    • 緩沖低噪聲 10mA VREF 輸出
    • VREF 和 VTT 的精度 ±20 mV
    • 支持 S3 中的高阻態和 S4/S5 中的軟關斷
    • 熱關斷

應用

  • DDR/DDR2/DDR3/LPDDR3 存儲器電源
  • SSTL-2、SSTL-18、SSTL-15 和 HSTL 端接

支持國防、航空航天和醫療應用

  • 受控基線
  • 一個裝配和測試站點
  • 一個制造工地
  • 適用于軍用 (–55°C 至 125°C) 溫度范圍
  • 延長產品生命周期
  • 延長產品變更通知
  • 產品可追溯性

參數
image.png

1. 概述

TPS51116-EP 是一款專為 DDR、DDR2、DDR3 及 LPDDR3 內存系統設計的完整電源解決方案,集成了同步降壓控制器、1A 線性穩壓器(LDO)和低噪聲緩沖參考電壓源。該器件提供了高效率、快速瞬態響應及全面的保護功能,適用于寬輸入電壓范圍(3.0V 至 28V)。

2. 主要特性

  • ?同步降壓控制器?:
    • 固定400kHz偽恒定頻率PWM。
    • 支持D-CAP?模式和電流模式,以適應不同的應用需求。
    • 輸出電壓可調,范圍從0.75V至3.0V。
  • ?1A LDO?:
    • 快速瞬態響應,僅需20μF陶瓷輸出電容。
    • 可獨立供電,以優化功耗。
    • VTTREF緩沖參考輸出,噪聲低,精度高。
  • ?保護功能?:
    • 過壓保護(OVP)和欠壓保護(UVP)。
    • 負載過流保護和熱關機保護。
    • 5V供電欠壓鎖定(UVLO)保護。
  • ?睡眠狀態控制?:
    • 支持S3(掛起到RAM)和S4/S5(掛起到磁盤)睡眠狀態。
    • 在S3狀態下,VTT置于高阻態,VDDQ和VTTREF保持供電。
    • 在S4/S5狀態下,VDDQ、VTT和VTTREF放電。

3. 功能框圖

數據手冊提供了詳細的功能框圖,展示了TPS51116-EP的內部結構,包括同步降壓控制器、LDO、參考電壓源、保護電路、電源狀態控制等模塊。

4. 引腳配置與功能

TPS51116-EP采用20引腳HTSSOP封裝,數據手冊詳細列出了每個引腳的編號、類型、功能描述及默認狀態。

5. 電氣特性

  • ?絕對最大額定值?:包括供電電壓、輸入/輸出電流、結溫等參數的最大允許值。
  • ?推薦工作條件?:列出了正常工作時各參數的建議范圍。
  • ?詳細電氣特性?:包括輸出電壓精度、負載調整率、線性調整率、效率、靜態電流等詳細參數。

6. 應用信息

  • ?典型應用電路?:數據手冊提供了TPS51116-EP在DDR/DDR2/DDR3/LPDDR3內存系統中的典型應用電路圖。
  • ?外部元件選擇?:提供了電感、電容、MOSFET等外部元件的選擇建議,以確保電源解決方案的穩定性和效率。

7. 保護功能

  • ?過壓和欠壓保護?:監測輸出電壓,防止過壓和欠壓情況發生。
  • ?負載過流保護?:通過監測電感電流,防止負載過流情況發生。
  • ?熱關機保護?:監測器件結溫,防止過熱情況發生。

8. 布局與布線

  • ?布局指南?:提供了PCB布局的一般原則,包括關鍵元件的放置、旁路電容的放置、電源和地線的處理等。
  • ?布線建議?:強調了敏感信號線的布線要求,以避免耦合噪聲和干擾。

9. 封裝與訂購信息

  • ?封裝類型?:20引腳HTSSOP封裝。
  • ?訂購信息?:提供了不同型號和封裝選項的訂購代碼。

10. 注意事項

  • ?靜電放電保護?:提醒用戶在處理IC時注意靜電放電保護。
  • ?熱設計?:提供了熱設計的指導原則,以確保器件在正常工作溫度范圍內運行。
  • ?安全警告?:提醒用戶在操作和使用TPS51116-EP時注意安全,避免觸電和短路。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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