引言

在 TFT-LCD 顯示屏制造工藝中，光刻膠剝離是關鍵工序之一，其效果直接影響顯示屏的質量與性能。隨著 TFT-LCD 技術向高分辨率、窄邊框方向發展，對光刻膠剝離方法提出了更高要求。同時，精確測量光刻圖形對于把控工藝精度、保障產品質量至關重要，白光干涉儀為此提供了可靠的技術支持。

TFT-LCD 顯示屏光刻膠剝離方法

濕法剝離

濕法剝離是 TFT-LCD 顯示屏光刻膠剝離的常用方法。該方法利用化學剝離液與光刻膠發生化學反應或溶解作用實現剝離。常用的剝離液包括有機溶劑型和堿性水溶液型。有機溶劑型剝離液如 N - 甲基吡咯烷酮（NMP），對光刻膠具有良好的溶解能力，能快速滲透光刻膠內部，破壞其分子結構。堿性水溶液型剝離液則通過堿性物質與光刻膠中的酸性基團發生中和反應，使光刻膠從基板上脫落。在實際操作中，將帶有光刻膠的基板浸入剝離液槽中，通過超聲輔助或機械攪拌，加速剝離過程，提高剝離效率 。但濕法剝離存在環境污染、剝離液殘留等問題，需進行后續清洗處理。

干法剝離

干法剝離主要借助等離子體技術。在真空環境下，通過射頻電源激發氣體（如氧氣、氟基氣體等）產生等離子體。等離子體中的活性粒子與光刻膠發生物理轟擊或化學反應，將光刻膠分解為揮發性氣體排出。物理轟擊依靠離子的動能破壞光刻膠分子，化學反應則使光刻膠成分氧化或氟化，轉化為易揮發物質。干法剝離具有刻蝕選擇性好、對基板損傷小、無污染殘留等優勢，尤其適用于對精度要求高的 TFT-LCD 制造工藝。然而，干法剝離設備成本高，且等離子體處理過程中可能產生的輻射和帶電粒子，對基板和器件存在潛在損傷風險 。

組合剝離

為克服單一剝離方法的局限性，組合剝離法逐漸得到應用。該方法結合濕法和干法剝離的優點，先采用濕法剝離去除大部分光刻膠，降低光刻膠厚度，減少干法剝離的處理時間和對基板的損傷；再利用干法剝離進行精細處理，去除殘留光刻膠和聚合物，提高剝離精度。組合剝離法在保證剝離效果的同時，降低了對基板和器件的損傷，提升了 TFT-LCD 顯示屏的制造質量和生產效率 。

白光干涉儀在光刻圖形測量中的應用

測量原理

白光干涉儀基于光的干涉特性，將白光光源發出的光經分光鏡分為測量光和參考光。測量光照射到待測光刻圖形表面反射回來，與參考光相遇產生干涉條紋。由于光刻圖形不同位置的高度差異，導致反射光的光程差不同，進而形成不同的干涉條紋圖案。通過分析干涉條紋的形狀、間距和強度等信息，結合光程差與表面高度的對應關系，可精確計算出光刻圖形的高度、深度、線寬等參數。

測量優勢

白光干涉儀具有高精度、非接觸式測量特點，測量精度可達納米級別，能夠精準捕捉光刻圖形細微的尺寸變化。非接觸測量避免了對脆弱光刻圖形的物理損傷，保證樣品完整性。同時，測量速度快，可實現實時在線檢測，并通過專業軟件對測量數據進行可視化處理，直觀呈現光刻圖形形貌特征，便于工藝優化和質量控制。

實際應用

在 TFT-LCD 顯示屏光刻工藝中，白光干涉儀在光刻膠剝離前后均發揮重要作用。剝離前，可測量光刻膠的厚度、光刻圖形的初始形貌，評估光刻工藝質量；剝離過程中，實時監測光刻圖形的變化，判斷剝離是否均勻、是否對圖形造成損傷；剝離完成后，精確測量殘留光刻膠的厚度、基板表面的粗糙度以及光刻圖形的最終尺寸，為優化光刻膠剝離方法和工藝參數提供準確數據支持，確保 TFT-LCD 顯示屏的制造精度和質量符合設計要求。

TopMap Micro View白光干涉3D輪廓儀

一款可以“實時”動態/靜態 微納級3D輪廓測量的白光干涉儀

1)一改傳統白光干涉操作復雜的問題，實現一鍵智能聚焦掃描，亞納米精度下實現卓越的重復性表現。

2)系統集成CST連續掃描技術，Z向測量范圍高達100mm，不受物鏡放大倍率的影響的高精度垂直分辨率，為復雜形貌測量提供全面解決方案。

3）可搭載多普勒激光測振系統，實現實現“動態”3D輪廓測量。

實際案例

1，優于1nm分辨率，輕松測量硅片表面粗糙度測量，Ra=0.7nm

2，毫米級視野，實現5nm-有機油膜厚度掃描

3，卓越的“高深寬比”測量能力，實現光刻圖形凹槽深度和開口寬度測量。

審核編輯 黃宇