Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設(shè)計用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅(qū)動器,從而減少了元器件數(shù)量并簡化了設(shè)計。可編程的導通轉(zhuǎn)換率提供EMI和振鈴控制。
數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET數(shù)據(jù)手冊.pdf
Texas Instruments LMG3614支持突發(fā)模式運行和轉(zhuǎn)換器輕負載效率要求,具有快速啟動時間和低靜態(tài)電流。保護特性包括過熱保護和欠壓閉鎖 (UVLO),通過開漏FLT引腳進行報告。
特性
- 650V 170m? GaN功率FET
- 集成柵極驅(qū)動器,具有低傳播延遲和可調(diào)節(jié)的導通轉(zhuǎn)換率控制
- 通過FLT引腳報告實現(xiàn)過熱保護
- 輔助靜態(tài)電流:55μA
- 最大電源和輸入邏輯引腳電壓:26V
- 8mm × 5.3mm QFN封裝,帶導熱片
應(yīng)用
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