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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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集成電路是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,而晶體管則是集成電路的基本單元。沿著摩爾定律發(fā)展,現(xiàn)代集成電路的集成度不斷提升,目前單個芯片上已經(jīng)可以集成數(shù)百億個晶體管。
半導(dǎo)體制冷機chiller在半導(dǎo)體工藝制程中的高精度溫控應(yīng)用解析
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,工藝制程對溫度控制的精度和響應(yīng)速度要求嚴苛。半導(dǎo)體制冷機chiller實現(xiàn)快速升降溫及±0.5℃精度控制。一、半導(dǎo)體制冷機chille...
在納米尺度集成電路制造領(lǐng)域,快速熱處理(RTP)技術(shù)已成為實現(xiàn)器件性能突破與工藝優(yōu)化的核心工具。相較于傳統(tǒng)高溫爐管工藝,RTP通過單片式作業(yè)模式與精準(zhǔn)的...
超短脈沖激光加工技術(shù)在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用
隨著集成電路高集成度、高性能的發(fā)展,對半導(dǎo)體制造技術(shù)提出更高要求。超短脈沖激光加工作為一種精密制造技術(shù),正逐步成為半導(dǎo)體制造的重要工藝。闡述了超短脈沖激...
無結(jié)場效應(yīng)晶體管器件的發(fā)展歷程
2010年,愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結(jié)場效應(yīng)晶體管,器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此,半導(dǎo)體界興起...
溝道有效遷移率(μeff)是CMOS器件性能的關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)測量方法在高k介質(zhì)、漏電介質(zhì)與高速應(yīng)用中易出現(xiàn)誤差。本文介紹了UFSP(Ultra-Fast...
高精度測量硅棒尺寸,深視智能SRI系列一體式3D輪廓測量儀助力半導(dǎo)體質(zhì)量管控
項目背景在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,硅棒尺寸的精準(zhǔn)度直接影響后續(xù)切片工序的硅片質(zhì)量。開方后的硅棒可能存在外觀裂紋、空洞、氣泡及內(nèi)部雜質(zhì)等缺陷,因此對硅棒的幾何外形...
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFE...
半導(dǎo)體制造中使用的許多材料在加工和應(yīng)用過程中可能發(fā)生開裂,即表現(xiàn)出脆性失效。雖然“脆”的概念很容易理解,但給出某種材料或者材料體系的“脆性”值并不容易,...
本文針對當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。...
結(jié)型場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)解析
結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor, JFET)是在同一塊 N型半導(dǎo)體上制作兩個高摻雜的P區(qū),并將它們連...
半導(dǎo)體制冷技術(shù):從原理到應(yīng)用深度解析
半導(dǎo)體制冷技術(shù)(ThermoelectricCooling,TEC)作為一種基于熱電效應(yīng)的新型溫控解決方案,憑借其無機械運動、精準(zhǔn)控溫、環(huán)保無污染等特性...
在現(xiàn)代電子工業(yè)領(lǐng)域,依據(jù)使用環(huán)境、性能參數(shù)及可靠性標(biāo)準(zhǔn),電子器件可以被系統(tǒng)劃分為商業(yè)級、工業(yè)級、汽車級、宇航級這幾大類別。這種嚴謹?shù)姆旨壷贫炔粌H明確界定...
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