5G發(fā)展帶動硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè),硅基氮化鎵應(yīng)用發(fā)展廣泛

與傳統(tǒng)的金屬氧化物（LDMOS）半導(dǎo)體相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢十分明顯——提供的有效功率可超過70%，每個單位面積的功率提升了4~6倍數(shù)，從而降低整體...

2018-11-10 標(biāo)簽：功率放大器氮化鎵5G 9433 0

氮化鎵有源相控陣雷達難點 氮化鎵有源相控陣雷達優(yōu)點

GaN器件具有高功率密度和高熱耗散特性。在有源相控陣雷達中，需要高功率的射頻信號來驅(qū)動每個天線元素，這要求對高功率GaN器件的射頻功率和熱管理進行有效的...

2023-08-08 標(biāo)簽：射頻信號氮化鎵GaN 9364 0

氮化鎵神助攻設(shè)計出大功率+小身材的充電器

在PC電源和充電器市場，從去年開始便流行起一個名為GaN（氮化鎵）的概念，并因這項技術(shù)的加盟獲得了更為出色的電氣性能。那么，GaN到底是一種怎樣的技術(shù)，...

2020-09-02 標(biāo)簽：充電器usb氮化鎵 9354 0

什么是氮化鎵，氮化鎵有哪些好處

　　氮化鎵是一種無機化合物，它是一種稀有的金屬氮化物，具有高熔點、高硬度和良好的電學(xué)性能。它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，也可以用于制造磁性...

2023-02-14 標(biāo)簽：晶體管電子器件氮化鎵 9287 0

氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術(shù)，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，越來越多地...

2023-06-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電源管理德州儀器 9279 0

氮化鎵mos管的優(yōu)缺點有哪些

氮化鎵（GaN）MOS管是一種基于氮化鎵材料的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。它具有許多優(yōu)點和局限性，下面將詳細介紹這些優(yōu)點和局限性。 優(yōu)...

2024-01-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOS管 8907 0

氮化鎵電源發(fā)熱嚴重嗎 氮化鎵電源優(yōu)缺點

　相對于傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時產(chǎn)生的熱量較少，因為氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導(dǎo)率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對于傳統(tǒng)的硅...

2023-07-31 標(biāo)簽：電源電阻氮化鎵 8860 0

pd快充和氮化鎵區(qū)別在哪

近年來，隨著移動設(shè)備的普及和科技的不斷進步，人們對于充電速度和電池續(xù)航能力的需求也越來越高。PD快充和氮化鎵的出現(xiàn)，對于滿足人們對于充電速度和電池效能的...

2024-01-10 標(biāo)簽：筆記本電腦移動設(shè)備氮化鎵 8801 0

FLOSFIA公司開發(fā)出了一種廉價制造氧化鎵晶體的方法

FLOSFIA公司的厲害之處，恰恰是克服了這一阻礙新技術(shù)發(fā)展的、高成本這一問題。碳化硅和氮化鎵成本高的原因在于其從密度較小的氣體通過結(jié)晶的方法獲得。密度...

2019-02-26 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體氮化鎵 8708 0

NV612X GaNFast? 功率半導(dǎo)體器件的熱處理

介紹 最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27，集成在6mmx8mm的QFN封裝內(nèi)。這個封裝增加了一個大的冷卻片，用于降低封裝的熱...

2020-03-31 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 8641 1

氮化鎵充電器和普通充電器對比哪個好

氮化鎵充電器和普通充電器對比各有優(yōu)勢，不能直接判定哪個更好，氮化鎵充電器和普通充電器是兩種不同的充電設(shè)備，它們在充電速度、安全性、穩(wěn)定性等方面都存在差異...

2024-01-10 標(biāo)簽：電流充電器氮化鎵 8575 0

氮化鎵是什么晶體,是離子晶體還是原子晶體

氮化鎵是一種化合物，化學(xué)式為GaN，由鎵（Ga）和氮（N）兩種元素組成。它是一種化合物晶體，由原子晶體構(gòu)成。 氮化鎵具有堅硬的晶體結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的物理化學(xué)性...

2024-01-10 標(biāo)簽：晶體電子器件半導(dǎo)體材料 8463 0

實現(xiàn)超高功效的新一代非對稱型Doherty放大器QPD2731

該新一代碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）解決方案在單個封裝中采用兩個晶體管，可最大限度提高線性度、效率和增益，并最終降低運營成本。

2017-08-30 標(biāo)簽：放大器氮化鎵qpd2731 8418 0

基于GaN固態(tài)放大器可實現(xiàn)的應(yīng)用設(shè)計

以前，GaN還是反射頻電子戰(zhàn)(CREW)應(yīng)用的首選技術(shù)； 現(xiàn)在，GaN已被部署到機載電子戰(zhàn)領(lǐng)域； 未來，GaN將會越來越多的用于工作在毫米波頻率的系統(tǒng)。

2017-09-18 標(biāo)簽：氮化鎵毫米波 8083 0