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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應力優化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開通速度減半（如配置為特定驅動電流檔位時），減緩開關動作的瞬態變化，...
LM5113-Q1系列 用于 GaNFET 的汽車級 1.2A/5A、100V 半橋柵極驅動器數據手冊
LM5113-Q1 旨在以同步降壓、升壓或半橋配置驅動汽車應用中的高壓側和低壓側增強型氮化鎵 （GaN） FET 或硅 MOSFET。該器件具有集成的 ...
對于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言，優化的柵極驅動尤為重要。此類轉換器的快速開關需仔細考量寄生參數、過沖/欠沖現象以及...
當 750V 第 4 代 SiC FET 與第 3 代 650V 的比較令人吃驚——例如，6 毫歐器件顯示兩個 R 的強度幾乎減半DS?品質因數和體二極...
TPS7H6015-SEP 耐輻射 60V 半橋 GaN 柵極驅動器數據手冊
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應晶體管 （FET） 柵極驅動器專為高頻、高效率和大電流應用而設計。該系列包括 ...
氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發熱低等優勢，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準散熱設計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性...
恒壓恒流PSR 12V2A氮化鎵電源方案U8608+U7613A
恒壓恒流PSR12V2A氮化鎵電源方案U8608+U7613A在手機充電器的應用中，電池與充電器之間一般會通過一定長度的電纜相連，由此也將導致輸送到電池...
納芯微發布專為增強型GaN設計的高壓半橋驅動芯片NSD2622N，該芯片集成正負壓穩壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅動能力，可以顯著...
在輕載和空載狀態下，當FB管腳電壓低于VSKIP_IN(典型值 0.4V)時，系統進入打嗝模式工作,，停止開關動作。當FB電壓超過VSKIP_OUT(典...
Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器數據手冊
Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器可在8.2GHz至11.8GHz的頻率范圍內提供43dBm...
同一套電源芯片方案，可直接應用于不同的電壓輸出上，這不僅有效節省成本，更是大大縮短了開發時間，使項目收益最大化。深圳銀聯寶科技最新推出的25W氮化鎵電源...
氮化鎵快充芯片U8722SP封裝形式升級調整為SOP-8，集成完備的保護功能：VDD過壓/欠壓保護(VDD OVP/UVLO)、輸出過壓保護(OVP)、...
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