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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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隨著科技的發(fā)展，電子產(chǎn)品已經(jīng)成為了我們生活中的必需品。而為了保持這些產(chǎn)品的正常運(yùn)行，需要一種高效、快速、安全的充電方式。氮化鎵充電器就是一種基于氮化鎵半...
當(dāng)前流行的主流充電器和電源頭都是采用“開關(guān)型”的電源模式，其核心的輸出效率和負(fù)載能力（輸出電流大小，恒壓）瓶頸就在內(nèi)部集成的開關(guān)管的頻率。
2024-03-18 標(biāo)簽：充電器功率轉(zhuǎn)換氮化鎵 7870 0
氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場(chǎng)、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕以及抗輻射性能等優(yōu)點(diǎn)，從而可以采用氮化鎵制作半導(dǎo)體材料，而得到氮化鎵半導(dǎo)體器件。 目...
砷化鎵芯片和氮化鎵芯片制造工藝及優(yōu)缺點(diǎn)分析
砷化鎵芯片的制造工藝要求高，需要精確控制工藝參數(shù)，以保證芯片的質(zhì)量；砷化鎵芯片的制造過程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質(zhì)量；砷化...
儀器帶寬的不同會(huì)對(duì)測(cè)量結(jié)果造成怎樣的影響？
隨著碳化硅、氮化鎵等高開關(guān)頻率器件的逐漸引入，工程師在調(diào)試過程中的測(cè)試需求越來越高，此時(shí)的高頻信號(hào)經(jīng)常會(huì)導(dǎo)致使用不同的儀器測(cè)試結(jié)果都不一樣情況，到底是哪...
2018-08-28 標(biāo)簽：頻率氮化鎵測(cè)量?jī)x器 7753 0
采用LDR6282的PD協(xié)議芯片的充電+拓展+投屏三合一的Type-C適配器拆解
雙口DRP USB PD Controller LDR6282，順利通過了USB-IF的PD3.0認(rèn)證，TID: 2127。LDR6282芯片具有雙C口...
功率氮化鎵技術(shù)及電源應(yīng)用熱管理設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
在采用帶引線的TO-247封裝中采用共源共柵模式技術(shù)之后，市場(chǎng)上出現(xiàn)了許多趨勢(shì)，這些市場(chǎng)朝著R DS（開啟），更好的開關(guān)品質(zhì)因數(shù)（FOM）和更低的電容方...
在實(shí)際的激光雷達(dá)系統(tǒng)中，傳統(tǒng)的硅器件(例如MOSFET)無法為其激光驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)提供必要的性能。為了增強(qiáng)控制，MOSFET的溝道必須很大，這會(huì)導(dǎo)致寄生電容...
GaN：由鎵（原子序數(shù) 31） 和氮（原子序數(shù) 7） 結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。
2023-03-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 7205 0
采用碳化硅和氮化鎵材料器件的應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)介紹
1.1 碳化硅和氮化鎵器件的介紹, 應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)
第三代半導(dǎo)體（氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等）的崛起和發(fā)展推動(dòng)了功率器件尤其是半導(dǎo)體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進(jìn)，對(duì)封裝基板...
東微半導(dǎo)體超級(jí)硅MOSFET系列產(chǎn)品，可取代了氮化鎵高能效要求
東微半導(dǎo)體的GreenMOS系列產(chǎn)品是國(guó)內(nèi)最早量產(chǎn)并進(jìn)入工業(yè)級(jí)應(yīng)用的高壓超級(jí)結(jié)產(chǎn)品系列，在國(guó)產(chǎn)品牌中占有領(lǐng)先地位，廣泛應(yīng)用于充電樁模塊，通訊電源等大功率...
氮化鎵晶體管的結(jié)構(gòu)及優(yōu)缺點(diǎn)
氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄生參...
采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應(yīng)用PCB layout
采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應(yīng)用PCB layout 作者 ：馬坤 郵箱：kuner0806@163.com NV611X系列 半橋應(yīng)用電路圖...
小米氮化鎵充電器是一種新型充電器，它與傳統(tǒng)的普通充電器在多個(gè)方面有所不同。在這篇文章中將詳細(xì)討論小米氮化鎵充電器與普通充電器之間的區(qū)別。 首先，小米氮化...
2024-01-10 標(biāo)簽：充電器半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵 6706 0
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體即寬帶隙半導(dǎo)體，具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)異性能，滿足了節(jié)能減排等國(guó)家重大戰(zhàn)略需求，智...
氮化鎵復(fù)合物由鎵和氮原子排列構(gòu)成，最常見的是纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)(圖1-1)是一種六邊形結(jié)構(gòu)，其特征是有兩個(gè)晶格常數(shù)(圖中標(biāo)記為a 和 c)。
氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長(zhǎng)法，需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配...
什么是氮化鎵(GaN)？GaN的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域
GaN近期為何這么火？如果再有人這么問你，你可以這樣回答：因?yàn)槲覀冸x不開電源。
2023-11-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率開關(guān)氮化鎵 6449 0
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