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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
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基于進(jìn)給量梯度調(diào)節(jié)的碳化硅襯底切割厚度均勻性提升技術(shù)
碳化硅襯底切割過程中，厚度不均勻問題嚴(yán)重影響其后續(xù)應(yīng)用性能。傳統(tǒng)固定進(jìn)給量切割方式難以適應(yīng)材料特性與切割工況變化，基于進(jìn)給量梯度調(diào)節(jié)的方法為提升切割厚度...
安森美SiC Combo JFET技術(shù)概覽和產(chǎn)品介紹
安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系...
對碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時(shí)，需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實(shí)用知識，幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)...
2025-06-13 標(biāo)簽：晶體管SiC功率半導(dǎo)體 327 0
切割進(jìn)給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化
引言 在碳化硅襯底加工過程中，切割進(jìn)給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系，并進(jìn)行工藝優(yōu)化，對提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導(dǎo)體器件制...
在碳化硅襯底厚度測量中，探頭溫漂與材料各向異性均會影響測量精度，且二者相互作用形成耦合效應(yīng)。深入研究這種耦合影響，有助于揭示測量誤差根源，為優(yōu)化測量探頭...
亞非拉市場工商業(yè)儲能破局之道：基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新 傾佳電子楊茜致力于推動...
碳化硅襯底高溫加工場景下測量探頭溫漂的動態(tài)修正方法
引言 碳化硅襯底高溫加工過程中，溫度的劇烈變化會引發(fā)測量探頭溫漂，嚴(yán)重影響襯底厚度等參數(shù)的測量精度，進(jìn)而干擾加工工藝的精準(zhǔn)控制。探尋有效的動態(tài)修正方法，...
半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，廣泛應(yīng)用于集成電路、消費(fèi)電子及工業(yè)設(shè)備等場景，其性能直接影響智能終端與裝備的運(yùn)行效能。以氮化鎵（GaN）和碳化硅（...
碳化硅MOS驅(qū)動電壓選擇15V還是18V，是電力電子設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵權(quán)衡問題。這兩種電壓對器件的導(dǎo)通損耗、開關(guān)特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，這些器件在長期連續(xù)使用后會出現(xiàn)老化現(xiàn)...
碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀器的選型指南與應(yīng)用場景分析
引言 碳化硅襯底 TTV（總厚度變化）厚度是衡量其質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響半導(dǎo)體器件性能。合理選擇測量儀器對準(zhǔn)確獲取 TTV 數(shù)據(jù)至關(guān)重要，不同應(yīng)用場...
使用碳化硅 MOSFET 降低高壓開關(guān)模式電源系統(tǒng)的損耗
作者： Art Pini 從電動汽車 (EV) 和光伏 (PV) 逆變器到儲能和充電站，電力電子應(yīng)用的數(shù)量和多樣性持續(xù)增加。這些應(yīng)用需要更高的工作電壓、...
2025-05-25 標(biāo)簽：MOSFET碳化硅開關(guān)模式電源 177 0
微管是SiC晶體中極為有害的缺陷，哪怕數(shù)量極少，也會對SiC器件的性能產(chǎn)生毀滅性打擊。在傳統(tǒng)物理氣相傳輸法（PVT）生長SiC單晶時(shí)，微管極易形成，并且...
本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。
Littelfuse新型1300V A5A溝槽分立式IGBT在電動汽車中的應(yīng)用
Littelfuse推出新型1300V A5A溝槽分立式IGBT，專為800V電動汽車（BEV）應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這些IGBT具有優(yōu)化的集電極-發(fā)射極飽和電壓...
2025-04-09 標(biāo)簽：電動汽車IGBTLittelfuse 1088 0
在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中，功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件，其性能與成本直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅（SiC）功率模塊與硅基絕緣柵雙...
2025-04-02 標(biāo)簽：IGBT芯片封裝功率半導(dǎo)體 1751 0
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）因其優(yōu)異的性能，如高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高工作溫度，逐漸成為高...
2 kV SiC功率模塊：推動1500 V系統(tǒng)的革命
由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級價(jià)值方面的顯著提升，具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來越普遍。通過將最新一代SiC芯片的阻斷電壓...
碳化硅技術(shù)賦能EA10000系列電源的優(yōu)勢
為減緩氣候變化的步伐，人類在非化石燃料、可再生能源解決方案方面取得了進(jìn)展，并且交通領(lǐng)域的電氣化進(jìn)程也在加速。這些新興技術(shù)幾乎都要求使用大功率，對電源的要...
在光伏逆變器、車載充電器及牽引逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域中，由第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基（Si）制成的Si IGBT。
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